НИТРИДЫ

разве это не прекрасно!
Конфуций

Zn3N2; и т.д.) – тугоплавкие, устойчивые при высоких температурах вещества,

например, боразон; нитридные покрытия придают изделиям твердость, коррозионную стойкость; нитриды применяются в энергетике, космической технике.

металла к азоту с образованием иона N3−.
К таким нитридам

относятся Li3N, Mg3N2, Zn3N2 и Cu3N2.
Кроме лития, другие щелочные металлы IA подгруппы нитридов не образуют.
Ионные нитриды имеют высокие температуры плавления, реагируют с водой, образуя NH3 и гидроксиды металлов.

Li3N

с электронами другого элемента без перехода их от азота к

другому атому, образуются нитриды с ковалентной связью. К ковалентным нитридам относятся, например, Si3N4, P3N5 и BN – высокостабильные белые вещества, причем BN имеет две аллотропные модификации: гексагональную и алмазоподобную. Последняя образуется при высоких давлениях и температурах и имеет твердость, близкую к твердости алмаза.
Нитриды с промежуточным типом связи. Переходные элементы в реакции с NH3 при высокой температуре образуют необычный класс соединений, в которых атомы азота распределены между регулярно расположенными атомами металла. В этих соединениях нет четкого смещения электронов. Примеры таких нитридов – Fe4N, W2N, Mo2N, Mn3N2. Эти соединения, как правило, совершенно инертны и обладают хорошей электрической проводимостью.

в середине 1980-ых, его потенциал для практического применения в микроэлектронике

был осознан из-за его относительно высокой теплопроводимости для изоляции керамики. Этот материал представляет интерес как нетоксичная альтернатива бериллия. Методы металлизации позволяют AlN использоваться вместо глинозёма и BeO для многих применений в электронике.
Химические свойства
Нитрид алюминия – (главным образом) материал с ковалентными связями, имеющий гексагональную кристаллическую структуру.
Материал устойчив к очень высоким температурам в инертных атмосферах.
На воздухе поверхностное окисление происходит выше 700°C, и при комнатной температуре были обнаружены поверхностные окисленные слои толщиной 5–10 нм. Этот окисный слой защищает материал до 1370°C.

в атмосферах водорода и углекислого газа до 980°C.
Материал распадается

медленно в неорганических кислотах при контакте жидкости с границами зёрен, как и в случае с сильными щелочами.
Материал медленно гидролизируется в воде.
Применение
Производство светодиодов.
Нановолоконные материалы
Материал для высокотеплопроводной керамики (вместо оксида бериллия) – подложки, корпуса электронных схем

= 0,58÷1,00), представляет собой фазу внедрения с широкой областью гомогенности,

кристаллы с кубической гранецентрированной решеткой.
Получение – азотированием титана при 1200°C или другими способами.
Применяется как жаропрочный материал, для создания износостойких покрытий (в частности, для зубных протезов жёлтого «под золото» цвета), используется в микроэлектронике в качестве диффузионного барьера совместно с медной металлизацией и др.

от белого до серого.
Не плавится. Интенсивно возгоняется с разложением

выше 1600°С
Si3N4 не взаимодействует с азотной, серной и соляной кислотами, слабо реагирует с Н3РО4 и интенсивно с фтористоводородной кислотой; разлагается расплавами щелочей, оксидов и карбонатов щелочных металлов.
Не взаимодействует с Сl2 до 900°С, Н2S – до 1000°С, Н2 – до 1200°С. С расплавами Al, Pb, Sn, Zn, Bi, Cd, Cu не реагирует, с переходными металлами образует силициды, с оксидами металлов выше 1200°С – силикаты.
Окисление Si3N4 на воздухе начинается выше 900°С Si3N4 получают взаимодействием Si с N2 в печах или в плазме выше 1200°С, восстановлением SiO, углеродом в присутствии N2, реакцией SiH4 или SiСl4 с N2 или NH3.

Si.
Высокопрочные изделия производят спеканием в газостатических установках под высоким

давлением N2 и в оболочках под давлением нейтральных газов.
Si3N4 применяют для изготовления деталей теплового тракта газотурбинных двигателей, двигателей внутреннего сгорания, тиглей, защитных чехлов термопар, элементов насосов, трубопроводов и штуцеров для перекачки расплавов цветных металлов, для футеровки металлургических печей, сопел газовых горелок, изготовления инструментов (например, резцов), блочных носителей катализаторов, обтекателей головных частей летательных аппаратов, радиопрозрачных окон, как абразивный и изоляционный материал.

кристаллическое вещество, т. пл. 3000°С
При высоких давлениях -BN переходит

в -BN и метастабильный -BN, которые по твердости близки к алмазу.
BN устойчив в атмосфере О2 до ~700°С, разлагается горячими растворами щелочей с выделением NH3 (особенно реакционноспособен -BN).
При комнатной температуре с HF образует NH4[BF4], с F2 – BF3 и N2.
Получают -N главным образом взаимодействием В2О3 с NH3 около 2000°С в присутствии восстановителя (обычно угля), а также плазмохимическим методом (аморфный В подают в струю азотной плазмы при 5000 – 6100 K) или пиролизом смеси летучих соединений бора и азота при 1300 – 2300 K.

5 ГПа в присутствии щелочных или щелочно-земельных металлов или их

нитридов, а также без них при более высоких давлениях (6–13 ГПа).
Модификацию -BN получают из -BN, главным образом с помощью ударного сжатия при давлениях выше 13 ГПа.
-BN служит для изготовления высокоогнеупорных материалов, термостойкого волокна, как сухая смазка в подшипниках, полупроводник или диэлектрик;
нитрид, обогащенный изотопом 10В, – поглотитель нейтронов в ядерных реакторах;
- и -BN – сверхтвердые абразивные материалы.

Заточные круги из нитрида бора
Тигли из пиролитического нитрида
бора

для роста и синтеза кристаллов

стабильной структурой является структура вюрцита, при повышенных давлениях (37 –

65 ГПа) более устойчивой становится структура типа поваренной соли.
Для структуры типа вюрцита ТПЛ = 1973 – 2791 K.
GaN устойчив в кипящей воде, практически не взаимодействует с серной, соляной, азотной, плавиковой кислотами и царской водкой, реагирует с горячими растворами щелочей.
На воздухе GaN начинает окисляться при температуре выше 1100 K.
Нитридная технология в оптоэлектронике близка к тому, чтобы занять место, аналогичное кремнию в схемах вычислительной техники. К тому же нитридные светодиоды становятся альтернативой ламп накаливания и люминесцентных ламп при значительной экономии электроэнергии.

микроэлектроники – чипы на его основе будут потреблять меньше энергии

и повысится общая эффективность электронных схем.
Успехи в разработке светодиодов на основе нитрида галлия (GaN) и его твердых растворов с индием и алюминием (InGaN, AlGaN) позволили создать излучатели, которые в состоянии заменить лампы накаливания и люминесцентные лампы. Они дают белый свет высокой яркости, хотя сами светодиоды излучают в голубой области. Но если добавить люминофор, возбуждаемый голубым светом и излучающий желто-зеленый свет, или использовать смесь зеленого и красного люминофоров, то спектр смешанного излучения будет таким же, как у белого света.