фотоэффект

вакуумный фотоэлемент.
Он представляет собой
откачанный стеклянный баллон,
внутренняя поверхность

которого (за
исключением окошка для доступа
излучения) покрыта
фоточувствительным слоем,
служащим фотокатодом. В качестве
анода обычно используется кольцо
или сетка, помещаемая в центре
баллона.

— области полупроводника с дырочной и электронной проводимостями.
Пунктирной линией

обозначен р-n - переход

Полупроводниковый прибор с выпрямляющим полупроводниковым переход (p-n - переходом) – фотоэлемент, действие которого основано на внутреннем фотоэффекте.

В качестве материалов для полупроводникового фотоэлемента используются
Se, GaAs, CdS, Ge и Si.

Применение:
Приемники оптического излучения, для прямого преобразования энергии солнечного излучения в электрическую энергию в солнечных батареях.

и спектрофотометрия), а также измерение весьма слабых излучений (в астрофизике,

в биологии и других областях научного исследования).

2. Фотоэлектрический контроль и управление производственными процессами, автоматика, транспорт, бытовая техника.

3. Электронные счетные, запоминающие и записывающие устройства.

4. Регистрация и измерение инфракрасного излучения, сигнализация и локация в видимых и инфракрасных лучах, техника ночного видения.

5. Системы оптической связи на лазерах.

6. Преобразование энергии солнечного излучения непосредственно в электрическую энергию (солнечные батареи, широко применяющиеся для питания аппаратуры искусственных спутников Земли и других устройств).

7. Оптоэлектроника.

Основные области применения фотоэлектронных приборов

следующие экспериментально установленные соотношения:
1. Величина фототока в режиме насыщения прямо

пропорцио­нальна интенсивности падающего света, если спектральный состав излучения неизменен (закон Столетова)..
2. Для каждого вещества существует длинноволновая (крас­ная) граница спектра излучения λо, за которой (при λ > λо ) фотоэмиссии не происходит. Эту наибольшую длину волны λо (или наи­меньшую энергию кванта hνо ) излучения, еще вызывающего фото­эффект, называют также длинноволновым порогом фотоэффекта, а соответствующую ей наименьшую частоту νо= λо /с порогавой частотой (с – скорость света).
3. Максимальная начальная кинетическая энергия фотоэлект­ронов линейно возрастает с частотой падающего света и не зави­сит от его интенсивности (закон Эйнштейна).

в СИ?
а) Джс

б) кгм/c2
в) кгм/c
г) Нм
д) кг/м3

( Е-энергия фотона; с- скорость света)
А)  Ес
B)  Ес2

C) с/Е
D)  с2/Е
E)  Е/с

излучения на катод, в четыре раза?
А)  Увеличится

в четыре раза.
B)  Уменьшится в четыре раза.
C)  Увеличится в два раза.
D)  Уменьшится в два раза.
E)  Не изменится.

А)  Работа выхода зависит от длины волны падающего излучения.
B) 

«Запирающее» напряжение зависит от работы выхода.
C)  Увеличение длины волны падающего излучения приводит к увеличению скорости вылетающих фотоэлектронов.
D)  Максимальная скорость вылетающих фотоэлектронов, зависит только от работы выхода.
E)  Увеличение частоты падающего излучения, приводит к увеличению скорости фотоэлектронов.

голубую область спектра. При освещении какими лучами данной пластины наблюдается

фотоэффект?

А)  Инфракрасными.
B)  Ультрафиолетовыми.
C)  Желтыми.
D)  Красными.
E)  Оранжевыми.

излучения на катод, в четыре раза?
А)  Увеличится в четыре раза.

B)  Уменьшится в четыре раза.
C)  Увеличится в два раза.
D)  Уменьшится в два раза.
E)  Не изменится.

зависит от:
А) Только от частоты падающего излучения.
B) Только от температуры металла.

C) Только от интенсивности излучения.
D) От частоты и интенсивности падающего
Излучения.
E) От температуры металла и интенсивности
излучения.