"Дефекты в кристаллах"

решетки; во всех трех измерениях они не превышают одного или

нескольких межатомных расстояний (параметров решетки). Точечные дефекты – это вакансии, атомы в междоузлиях, атомы в узлах «чужой» подрешетки, примесные атомы в узлах или междоузлиях.

могут быть как собственные, так и примесные атомы или ионы,

отличающиеся от основных атомов по размеру или валентности.  Примеси замещения заменяют частицы основного вещества в узлах решетки. 

вакансии движутся внутри кристалла, атомы перемещаются в процессе объемной диффузии

наружу и осаждаются на поверхности кристалла, образуя новые слои.

достаточно высокой температуре в значительной мере компенсируется затрата энергии на

образование дефекта. Точечные дефекты могут двигаться через кристалл, взаимодействовать друг с другом и другими дефектами. Встречаясь друг с другом, вакансия и междоузельный атом могут аннигилировать.

о дислокациях впервые использовано в 1934 году Орованом и Тейлером

при исследовании пластической деформации кристаллических материалов, для объяснения большой разницы между практической и теоретической прочностью металла. Дислокация – это дефекты кристаллического строения, представляющие собой линии, вдоль и вблизи которых нарушено характерное для кристалла правильное расположение атомных плоскостей.  

и границы зерен.

приводят к нарушению равновесного состояния решетки и увеличивают ее внутреннюю

энергию.