Разделы презентаций


Материаловедение

Содержание

Материаловедениедоц. Лазарева Н.П.т.234-31-64, NPLazareva@mail.eltech.ruКафедра микроэлектроники, а.5270Учебный график(по учебным неделям)Расписание лекций

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Материаловедение
доц. Лазарева Н.П.
Министерство образования Российской Федерации
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
«ЛЭТИ»
Факультет электроники


Кафедра микроэлектроники

2008 г.

Материаловедениедоц. Лазарева Н.П.Министерство образования Российской ФедерацииСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет«ЛЭТИ»Факультет электроники Кафедра микроэлектроники 2008 г.

Слайд 2Материаловедение
доц. Лазарева Н.П.
т.234-31-64, NPLazareva@mail.eltech.ru
Кафедра микроэлектроники, а.5270
Учебный график
(по учебным неделям)

Расписание лекций

Материаловедениедоц. Лазарева Н.П.т.234-31-64, NPLazareva@mail.eltech.ruКафедра микроэлектроники, а.5270Учебный график(по учебным неделям)Расписание лекций

Слайд 3Материаловедение
доц. Лазарева Н.П.
т.234-31-64, NPLazareva@mail.eltech.ru
Кафедра микроэлектроники, а.5270


ЛИТЕРАТУРА

Материаловедениедоц. Лазарева Н.П.т.234-31-64, NPLazareva@mail.eltech.ruКафедра микроэлектроники, а.5270ЛИТЕРАТУРА

Слайд 4ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА
Материаловедение
доц. Лазарева Н.П.
Министерство образования Российской

Федерации
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет
«ЛЭТИ»
Факультет электроники
Кафедра микроэлектроники
тема 1

ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА Материаловедениедоц. Лазарева Н.П.Министерство образования Российской ФедерацииСанкт-Петербургский государственный электротехнический университет«ЛЭТИ»Факультет электроники Кафедра микроэлектроники

Слайд 5
Рис.1. Одна из возможных классификаций материалов электронной техники.
ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ

О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА Классификация материалов электронной техники

Рис.1. Одна из возможных классификаций материалов электронной техники. ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА  Классификация материалов электронной

Слайд 6Классификация материалов

Материалы, используемые в электронной технике (МЭТ), можно подразделить

на функциональные и конструкционные. Под функциональными МЭТ следует понимать материалы,

которые обеспечивают реализацию определенных функций в элементах электронной аппаратуры.

В качестве примеров функциональных МЭТ можно назвать резистивные, конденсаторные и электроизоляционные материалы, высокопроводящие и сверхпроводящие вещества, материалы для хранения и записи информации, материалы с нелинейными электрическими свойствами, материалы для активных элементов полупроводниковой электроники, таких как диоды, транзисторы, лазеры, фотодетекторы и др.

Конструкционными называют материалы, предназначенные для из-готовления корпусов и деталей различных приборов и устройств элек-тронной техники.

К ним предъявляются прежде всего жесткие эксплуатационные, технологические и экономические требования.
Классификация материалов 		Материалы, используемые в электронной технике (МЭТ), можно подразделить на функциональные и конструкционные. Под функциональными МЭТ

Слайд 7Классификация материалов



По реакции на внешнее электрическое поле функциональные МЭТ принято

подразделять на проводники, полупроводники и диэлектрики.
Объективным критерием, по которому

определяют принадлежность материала к той или иной группе, является удельное электрическое сопротивление ρ в нормальных условиях эксплуатации.

удельное электрическое сопротивление ρ=1/γ,
где γ=enμ; μ=(e2nλ)/(2mu);
е [A·c], n [м-3], μ [м2/(В·с)], λ [м], m [кг], u [м/с]

γ [См/м], ρ [Ом∙м]

К проводникам относят материалы с удельным электрическим сопротивлением ρ < 10−5 Ом∙м, к диэлектрикам – материалы, у которых
ρ > 108 Ом∙м.

Удельное сопротивление полупроводников может изменяться в очень широких пределах – от 10−5 до 108 Ом∙м.

По поведению в магнитном поле функциональные МЭТ классифицируют на слабомагнитные и сильномагнитные вещества.
Классификация материаловПо реакции на внешнее электрическое поле функциональные МЭТ принято подразделять на проводники, полупроводники и диэлектрики. Объективным

Слайд 8Стрктура атома и молекулы водорода:
а – простейшая планетарная модель атома

водорода Э. Резерфорда (пунктиром показана разрешенная орбита электрона в возбужденном состоянии);




где

е и m – заряд и масса электрона, соответственно; Ze – заряд ядра; v – скорость движения электрона по орбите; ε0 – электрическая постоянная (ε0 = 8,85· 10-12 Ф/м).

б – квантовомеханическая модель электронной структуры двух уединенных атомов водорода; в – то же, для молекулы водорода.

ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА



Строение атомов


Стрктура атома и молекулы водорода:а – простейшая планетарная модель атома водорода Э. Резерфорда (пунктиром показана разрешенная орбита электрона

Слайд 9Строение атомов
ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА

Энергетические соотношения для простейшей

модели атома водорода:
1 – ядро;
2 – электронная орбита;
3 –

разрешенный энергетический уровень электрона

Полная энергия электрона Э в атоме складывается из кинетической энергии движения по орбите ЭК и потенциальной энергии ЭП, обусловленной полем протонов:

Характерная особенность потенциальной кривой ЭП (r) заключается в сильном увеличении ее крутизны по мере уменьшения r.

При движении электрона в поле центральных сил полная и кинетическая энергия одинаковы по величине, но противоположны по знаку, причем каждая из них равна половине потенциальной энергии.

Строение атомовОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА Энергетические соотношения для простейшей модели атома водорода:1 – ядро; 2 –

Слайд 10Энергетические уровни атома водорода
Строение атомов
ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА

В

соответствии с постулатом Бора стабильны только такие круговые орбиты, для

которых момент количества движения оказывается кратным постоянной Планка ћ = h/( 2π ):
mvr = n ћ ,
где n – главное квантовое число
( n = 1, 2, 3, ... ).

Энергетические уровни и радиусы стационарных орбит,
которые может иметь электрон в атоме:


где h = 6,62·10 -34 Дж · с.

Энергия электронов в атомах должна быть квантованной, т.е.
электроны могут занимать лишь вполне определенные энергетические уровни

Энергетические уровни атома водородаСтроение атомовОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА В соответствии с постулатом Бора стабильны только такие

Слайд 11Энергетические уровни атома водорода
Строение атомов
ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА

По

мере возрастания главного квантового числа n увеличивается плотность расположения уровней

на энергетической шкале. Соответственно, уменьшается дискретность энергии и поведение электрона приближается к классическому.
Значение n = ∞ определяет границу между сплошными и дискретными состояниями.


Переход электрона в область состояний со сплошным энергетическим спектром означает его отрыв от атома с некоторой кинетической энергией, т.е. ионизацию атома.
Энергия ионизации определяется глубиной залегания основного состояния относительно сплошного спектра. Для атома водорода Э1 = – 13,6 эВ.
Этому состоянию соответствует радиус электронной орбиты r = a0 = 0,53·10-10 м, который в физике принято называть боровским радиусом.
Постулат Бора: в атоме разрешенными являются лишь те электронные орбиты,
на длине которых укладывается целое число длин волн де Бройля λ = h/( mv).

Энергетические уровни атома водородаСтроение атомовОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА По мере возрастания главного квантового числа n увеличивается

Слайд 12Заселение электронных состояний в атомах начинается с самых низких энергетических

уровней, затем заполняются более высокие, а верхние уровни остаются свободными

и соответствуют возбужденному состоянию атома.
В квантовой теории атома каждое электронное состояние описывается набором четырех квантовых чисел. Главное квантовое число n определяет энергию электрона. Совокупность электронов, обладающих одинаковым значением главного квантового числа, называют электронной оболочкой.
Состояниям с квантовыми числами n = 1, 2, 3, 4, 5, ... присвоены буквенные обозначения K, L, M, N, O, P, Q.
В свою очередь, оболочки подразделяют на под-оболочки, отличающиеся значением азимутального квантового числа l. Последнее определяет орбитальный (вращательный) момент количества движения электрона MLв соответствии с формулой

Строение атомов

ОСНОВНЫЕ СВЕДЕНИЯ О СТРОЕНИИ ВЕЩЕСТВА



l = (n – 1) = 0, 1, 2, 3, ... .


Спектроскопические обозначения электронных состояний в атоме:
1s, 2s, 2p, 3s, 3p, 3d, 4s, 4p, 4d, 4f и т.д.
первая цифра всегда указывает главное квантовое число n.

Заселение электронных состояний в атомах начинается с самых низких энергетических уровней, затем заполняются более высокие, а верхние

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика