Маршруты создания ИС. Технология изготовления КМОП схем с p-карманом

(МДП) получили широкое распространение.
В качестве

диэлектрика в настоящее время используют диоксид кремния SiO2
(МОП-структуры).
Имеются работы о возможности использования в качестве тонкого диэлектрика пленку оксинитрида SiNO.

потребляемая и рассеиваемая мощность
устойчивость к перегрузкам
высокое входное сопротивление
помехоустойчивость
низкая себестоимость производства

продемонстрирован в 1960 году. Сначала полевые транзисторы с двуокисью кремния

в качестве подзатворного диэлектрика формировались на подложке n- типа проводимости. Затем из-за большей подвижности электронов, чем у дырок при формировании сверхбольших быстродействующих интегральных схем стали использовать n- канальные транзисторы, формируемые на p- подложке.

б)p-каналом; с индуцированными - в) n-каналом; г) p-каналом .

транзисторах с каналами n- и p- типов проводимости – комплементарная

структура (КМДП инвертор).
По сравнению с n-МОП ИС КМОП ИС потребляют меньшую мощность, имеют большую помехоустойчивость и высокую нагрузочную способность по выходу.

выбирают кремний p- типа проводимости легированный бором КДБ (100) с

концентрацией примеси 1015 - 1016 см-3.
Ориентация кремниевой подложки (100) имеет преимущество по сравнению с (111), заключающееся с более высокой подвижности электронов, обусловленной низкой плотностью поверхностных состояний на границе кремний-диэлектрик.

кармане.
Возможны следующие варианты изготовления КМОП ИС:
с p-карманом;
с n-карманом;
с двумя

карманами.

для легирования кармана (Окисление 0,1 мкм -ФЛ №1 Окисление 0,05

мкм).
И.л. бором B.

Окисление 500 Å + Осаждение Si3N4

+ЖХТ SiO2 +и.л. бором (р+ - охрана).
6. Создание области n+

– охраны:
ФЛ №3 + ПХТ Si3N4 +ЖХТ SiO2 +и.л. фосфором (р+ - охрана).
7. «ЛОКОС»: Окисление в парах воды при температуре 850 °С до толщины 0,6 мкм.

затвор
(d=350-450 Å).

ЖХТ ФСС.

областей (n+-стоки, исток) и (p+- стоки, исток):
ФЛ №5

+ И.л. фосфором (n+-стоки, исток) + ФЛ №6 + И.л. бором (p+- стоки, исток) + Осаждение SiO2 .

SiO2 в окнах + напыление Al+Si или силицидов (например, TiSi,

PtSi)+ ФЛ №8 (металл) + ЖХТ Al+Si.