НАПІВПРОВІДНИКОВА ЕЛЕКТРОНІКА Лекція 13 Прилади на ефекті міждолинного переходу

Інститут високих технологій
Київського національного університету імені Тараса Шевченка

НВЧ-приладів) широко використовуються в якості гетеродина і підсилювача потужності в

діапазоні частот 1-100 ГГц. Твердотільні генератори на цих приладах застосовуються в радарах, системах раннього повідомлення і контрольно-вимірювальній апаратурі.

Ганн (1963р.) виявив генерацію когерентних НВЧ-коливань при прикладанні на довільно орієнтований короткий зразок з арсеніду галію чи фосфіду індію n– типу постійного електричного поля, що перевищує порогове значення рівне декільком кіловольт на см. Частота коливань приблизно дорівнювала величині, оберненій часу прольоту носіїв через зразок.

Причиною виникнення від’ємного диференційного питомого опору служить стимульований електричним полем перехід електронів зони провідності з низько енергетичної долини , в якій їх рухливість відносно велика, в більш високоенергетичну долину з меншими рухливостями.

Дослідження генерації в потрійних з’єднаннях GaAs1-xPx показали, що величина порогового електричного поля зменшується при зменшенні енергетичного зазору між основними і побічними мінімумами зони провідності. Все це переконливо показало, що причиною ганнівської генерації є ефект між долинного переходу електронів.

питомого опору досить різноманітні. Одним з найбільш важливих є ефект

між долинного переходу електронів. Оскільки випадкова флуктуація концентрації вільних носіїв в будь-якій точці зразка з об’ємним від’ємним диференційним питомим опором приводить до миттєвого виникнення просторового заряду, величина якого зростає з часом за експоненційним законом, такий напівпровідник є за своєю природою нестабільним.

Рівняння неперервності в одномірному випадку:

Мале локальне відхилення концентрації основних носіїв від однорідної рівноважної n0 приводить до появи просторового заряду густиною n-n0 . Рівняння Пуасона і вираз для густини струму мають вид:

де s - діелектрична проникність,  - питомий опір і D - коефіцієнт дифузії.

Пуасона, отримаємо
Підстановка цього виразу в рівняння неперервності приводить до рівняння

Дане рівняння можна вирішити методом розділення змінних.

Якщо концентрація залежить лише від координати, то рішення рівняння має вид:

де LD - дебаєвська довжина, яка рівна

LD визначає відстань, на якій затухають малі флуктуації заряду.

вид
де R - час діелектричної релаксації:
R - час, за який

відбувається розсосування просторового заряду, якщо диференційний питомий опір і диференційна рухливість  є додатні.

Однак в напівпровіднику з від’ємним диференційним опором (ВДО) будь-яка флуктуація концентрації буде наростати з постійною часу, яка рівна R , а не затухати.

Прилади з об’ємним ВДО можна розділити на дві групи: прилади, що керуються напругою (з N–подібними характеристиками) і прилади, що керуються струмом (з S-подібними характеристиками).
Наприклад, тунельний діод є прилад з N–подібною J-E характеристикою, а тиристор – прилад з S-подібною характеристикою.
Об’ємний ВДО обумовлений мікроскопічними властивостями напівпровідника: 1) стимульованим електричним полем захопленням носіїв на глибокі рівні; 2) ударною іонізацією мілких домішкових рівнів в компенсованих напівпровідниках; 3) переходом електронів із основного мінімума зони провідності в побічні (ефект між долинного переходу електронів).

поля (або збагачені шари), а в приладах з S-подібними характеристиками

- шнури струму з високою густиною.

Для приладу N–подібною J-E характеристикою позитивний диференційний питомий опір збільшується з ростом електричного поля, тобто d/dE>0. Якщо напруженість електричного поля в деякій області напівпровідника набагато більша середньої, то її питомий опір також більший. Тому густина струму буде меншою. Це приведе до збільшення розмірів області і утворення домена (області високого електричного поля), поза якою поле відносно мале.


Для приладу з S-подібною характеристикою початкова величина позитивного диференційного питомого опору зменшується при збільшенні напруженості електричного поля, тобто d/dE<0. Якщо поле в деякій області напівпровідника набагато більше середнього, то питомий опір цієї області менший. Тому струм буде втікати в цю область, що приведе до її видовження в напрямі електричного поля і утворення шнура струму з високою густиною.

опору від напруженості електричного поля. а і в – для

приладів з N–подібними J-E -характеристиками; б і г – для приладів з S-подібними J-E характеристиками.

питомим опором, що керується напругою (N-подібною характеристикою), а також формування

шнура струму з високою густиною (б) в зразку з від’ємним диференційним питомим опором , що керується струмом (S-подібною характеристикою).

опором (ВДО).

опором (ВДО).

з N -подібними J-E - характеристиками, що керуються напругою (а),

і для приладів з S – подібними J-E - характеристиками, що керуються струмом (б).

Товщина дипольного шару

Площа поперечного перерізу шнура струму

електронів з основного мінімума зони провідності з відносно великою рухливістю

в побічні більш високоенергетичні мінімуми з меншими рухливостями називається ефектом міждолинного переходу електронів.

Отримаємо наближене співвідношення між дрейфовою швидкістю і напруженістю електричного поля, спираючись на припущення про рівність електронних температур Te в нижній () і верхній (L) долинах.

Густину стаціонарного струму в напівпровіднику можна представити наступним чином:

верхній долинах відповідно, n=n1+n2 - повна концентрація носіїв заряду, 1

і 2 - рухливості, v - середня дрейфова швидкість

так як 1>>2

відношення заселеностей верхньої і нижньої долини, які розділені енергетичним зазором E , рівне

де R – відношення густини станів в верхній і нижній долинах

а M1 і M2 - число верхніх і нижніх долин відповідно.

Для арсеніда галія M1=1, а число верхніх долин вздовж осі L дорівнює 8, але вони розміщені біля краю першої зони Бриллюена, і тому M2=4. Використовуючи значення ефективних мас електронів в арсеніді галію m1*=0,067m0 і m2*=0,55m0 отримаємо R=94.

електронна температура Te перевищує температуру гратки T. Електронна температура визначається

за допомогою часу релаксації енергії:

де час релаксації енергії e припускається рівним 10-12 с.

Підставивши v і n2/n1 отримаємо

Використовуючи це рівняння можна розрахувати залежність Te від напруженості електричного поля при заданій величині T.

Отримаємо наступне співвідношення між дрейфовою швидкістю і полем:

трьох температурах гратки (двох долинна модель при припущенні рівності електронних

температур в обох мінімумах).

Висновки:
1. Існує певне порогове значення напруженості електричного поля ET, при якому виникає ділянка ВДО (або від’ємної диференційної рухливості).

2. Порогове значення напруженості електричного поля збільшується з ростом температури гратки.

3. Ділянка від’ємної диференційної рухливості може існувати, якщо температура гратки достатньо висока або енергетичний зазор  між мінімумами зони провідності малий.

і InP.
Для виникнення ВДО необхідно виконання наступних умов:
1. Температура гратки

повинна бути малою, щоб у відсутність поля більшість електронів знаходились в основному мінімумі зони провідності (тобто kT<).
2. В основному мінімумі зони провідності електрони повинні мати високу рухливість, малу ефективну масу і малу густину станів, в той час як в побічних мінімумах електрони повинні мати низку рухливість, велику ефективну масу, а густина станів повинна бути високою.
3. Енергетичний зазор між мінімумами повинен бути меншим ширини забороненої зони, щоб лавинний пробій не відбувся раніше між долинних переходів електронів.

заряду в напівпровіднику і довжини приладу, які повинні бути достатньо

великими, щоб за пролітний час відбувалось формування просторового заряду необхідної величини. Виходячи з цього встановлюється критерій для того чи іншого режиму роботи приладу.

Виходячи з цього встановлюється критерій для того чи іншого режиму роботи приладу.

Збільшення просторового заряду з часом в приладі з ВДО на початковій стадії має вид:

--від’ємна диференційна рухливість

Максимальний фактор росту буде дорівнювати

Для суттєвого збільшення заряду цей фактор повинен перевищувати 1, і, відповідно,

складає 1012 см-2. Якщо добуток n0L

в такому приладі стійкий.
Тому важливою границею, що розділяє режими роботи, є величина добутку концентрації носіїв і довжини приладу, що дорівнює n0L=1012 см-2.

Ідеальний режим однорідного електричного поля.

2. Режим зі збагаченим шаром.

3. Режим прольоту домена.

4. Режим з руйнуванням домена.

біля катоду, в режимі прольоту домена. Розподіли поля, що зображені

сусідніми кривими, відповідають моментам часу, які розділені 24 пС.

Режим з руйнуванням домена

Чисельне моделювання режиму з руйнуванням домену.

контактів.
а- омічний;
б- бар’єр Шотткі;
в- двохшаровий контакт з бар’єром

Шотткі.

Типовий діапазон концентрацій донорів складає 1014-1016 см-3, а довжини приладу – від декількох мікрометрів до декількох сотень мікрометрів.

поля з 6 до 5 кВ/см в момент t=0.
ККД, НВЧ

потужність, що генерується, і струм в приладі з фосфіду індію з двохшаровим катодним контактом, що працює в імпульсному режимі при n0=21015 см-3 і =8 мкм і в області температур -50 – 150С.

переходу електронів.
В прольотному режимі роботи робоча частота обернено пропорційна довжині

діода, тобто f=v/L. Співвідношення між потужністю, яка генерується, і частотою має вид

де Vrf і Erf - НВЧ-напруга і напруженість електричного поля відповідно, а R – імпеданс. Тому очікувана зміна потужності з частотою пропорційна 1/f2.