Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов
Содержание
- 1. Правила проектирования и проектные нормы КМДП транзисторов
- 2. КМДП структура
- 3. Структура МДП транзистораПодложка – легированный кремний одного
- 4. Технология производства КМДП интегральных схем Выращивание кристалла SiНарезка
- 5. Формирование n-карманаНанесение фоторезиста (Фоторезист – вещество, меняющее
- 6. Фотолитография (Процесс повторяющийся перед каждым травлением или легированием)
- 7. Плазмохимическое травлениеПлазмохимическое травлениеУдаление фоторезиста
- 8. Технология производства КМДП интегральных схем (продолжение)Формирование тонкого подзатворного окислаВыращивание поликристаллического кремнияСоздание активных областей транзистора (самосовмещенная технология)
- 9. Создание активных областей транзистораЛегирование бором/фосфором высокой концентрации
- 10. Формирование контактов и металлизацииВыращивание толстого окислаВскрытие контактных окон (травление)Осаждение металла (магнетронное распыление)
- 11. Топология КМДП инвертора
- 12. Топологические нормы (правила проектирования топологии)λ – норма
- 13. Топологические нормы (важные нормы для выполнения
- 14. Пример применения топологических норм при создании топологииА1
- 15. Скачать презентанцию
КМДП структура
Слайды и текст этой презентации
Слайд 3Структура МДП транзистора
Подложка – легированный кремний одного типа
(для n-МОП
легирование бором (p-тип примеси), для p-МОП легирование фосфором (n-тип примеси))
Сток-исток
– сильнолегированный кремний другого типаПодзатворный диэлектрик – оксид или нитрид кремния (SiO2 или Si3N4)
Затвор – поликристаллический кремний (Si*)
Изолирующие слои – толстый оксид кремния
Соединительный слой – металл
Слайд 4Технология производства КМДП интегральных схем
Выращивание кристалла Si
Нарезка пластин Si
Механическая полировка
Химическая
полировка
Ионная имплантация глубоких областей
Выращивание эпитаксиального слоя
Формирование кармана
Выращивание окисла
Фотолитография
Слайд 5Формирование n-кармана
Нанесение фоторезиста
(Фоторезист – вещество, меняющее свои свойства при воздействии
определенного рода излучений)
Фотолитография
Ионная имплантация фосфором
Удаление фоторезиста
Слайд 8Технология производства КМДП интегральных схем (продолжение)
Формирование тонкого подзатворного окисла
Выращивание поликристаллического
кремния
Создание активных областей транзистора (самосовмещенная технология)
Слайд 9Создание активных областей транзистора
Легирование бором/фосфором высокой концентрации (p+/n+), прямо через
поликристаллический кремний и тонкий окисел
Диффузия n- и p- областей
(разгон
примесей)
Слайд 10Формирование контактов и металлизации
Выращивание толстого окисла
Вскрытие контактных окон (травление)
Осаждение металла
(магнетронное распыление)
Слайд 12Топологические нормы (правила проектирования топологии)
λ – норма проектирования равная половине
технологического размера
Минимальный размер области n-кармана неограничен
Минимальное расстояние между карманами неограниченно
Минимальная
ширина тонкого окисла – 2λМинимальная ширина p+ и n+ областей – 4λ
Минимальный зазор между диффузионными областями – 4λ
Перекрытие n-канальным карманом области p-канального транзистора – 6λ
Минимальная ширина канала транзистора – 4λ
Слайд 13Топологические нормы
(важные нормы для выполнения лабораторных работ)
Минимальная длина затвора
транзистора – 2λ
Вылет (хвост) затвора на фоновый окисел – 2λ
Минимальная
ширина поликремниевой шины вне активной области – 2λРазмер поликремния в месте контакта – 6λ
Размер контактного окна – 2λ
Зазор между окнами – 5λ
Зазор между металлом в одном слое – 4λ
Минимальная ширина металлической шины – 4λ
Слайд 14Пример применения топологических норм при создании топологии
А1 = 2λ
А2 =
2λ
А3 = 5λ
А4 = 1λ
L ≥ 2λ
W ≥ 4λ
