Транзисторы

полупроводниковый прибор, использующийся для усиления, генерирования и преобразования электрических колебаний,

выполненный на основе монокристаллического полупроводника (преимущественно Si или Ge), содержащего не менее трех областей с различной - электронной (n) и дырочной (p) - проводимостью. Первый транзистор был изобретен в 1948 году американцами У.Шокли, У. Браттейном и Дж. Бардином. По физической структуре и механизму управления током различают транзисторы биполярные (которые чаще называют просто транзисторами) и униполярные (которые чаще называют полевыми транзисторами). Рассмотрим эти два типа транзисторов.

Что такое транзистор?

чередующимися типами электропроводности. Его используют в электронике для усиления электрической

мощности.
В биполярных транзисторах ток определяется движением носителей заряда двух типов: электронов и дырок (отсюда их название - биполярные транзисторы). В транзисторах этого типа с помощью трехслойной полупроводниковой структуры из полупроводников различной электропроводности создаются два p-n - перехода с чередующимися типами электропроводности. Таким образом биполярные транзисторы могут быть подразделены на два типа: p-n-p и n-p-n.

Структуры и условные графические обозначения биполярных транзисторов

и основных носителей заряда называется эмиттером, он главным образом и

создает ток транзистора. Другой крайний слой с несколько меньшей концентрацией основных носителей заряда называется коллектором и служит для приема носителей заряда, поступающих от эмиттера.Между эмиттером и коллектором находится база - тонкий слой полупроводника, обедненного носителями заряда, с помощью которого осуществляется необходимое смещение обоих p-n - переходов и через который существует сквозной ток от эмиттера к коллектору.

Структура и конструкция маломощного биполярного транзистора:
1 - металлический корпус;
2 - кристалл полупроводника;
3 - стеклянные изоляторы;
4, 5, 6 - выводы коллектора, базы и эмиттера.

транзистора совпадает с названием вывода, общего для входной и выходной

цепей.

Применяются три схемы включения биполярных транзисторов в активном режиме работы: с ОБЩЕЙ БАЗОЙ (ОБ), ОБЩИМ КОЛЛЕКТОРОМ (ОК) и ОБЩИМ ЭМИТТЕРОМ (ОЭ).

ОБ

ОК

ОЭ

UкБ=const a=0,9-0,995
Iк = Iко + Iэ
IБ =Iэ -

Iк = (1- a) Iэ - Iко<< Iэ ~Iк

а

B = Iк / Iб


а = Iк / Iэ


Iэ

= Iбэо [exp ( Uбэ / VT) - 1] = (B + 1) Iб

Характеристики управления транзистором

ТТЛ