давлении 200 мм рт. ст. систематическая погрешность в определении концентрации
составляет -4%, а случайная ±1.5% при контролировании давления с погрешностью ±2 мм рт. ст.Воспроизводимость площади контакта, важная для обеспечения точности CVизмерений, достигается выбором величины и обеспечением стабильности давления в капилляре. Необходимо также следить за чистотой ртути, так как примеси и загрязнения снижают коэффициент ее поверхностного натяжения.
Зависимость площади ртутного контакта от характера рельефа поверхности полупроводникового образца очевидна. Поэтому говорить о точности CV-измерений можно лишь при условии, что образцы имеют поверхность, которая при наблюдении невооруженным глазом выглядит зеркальной. Отдельные крупные дефекты могут привести к появлению сколов на краю рабочего отверстия капилляра.
