Бутин В.И. 2012

ядерных силовых и энергетических установок (ИИ ЯЭУ),
излучения, существующие в космическом

пространстве (ИИ КП).

нейтр.см-2;
- доза гамма-квантов 10-105Р;
рентгеновское излучение
1,0 – 104 кал.см-2.

, с


где L – расстояние между центром ЯВ и облучаемым объектом, км;
En – энергия нейтронов, МэВ.

энергией от 0,025 эВ до 1-2 МэВ, запаздывающих нейтронов со

средней энергией 0,5 МэВ, мгновенных гамма-квантов с энергией 0,5-6,5 МэВ, гамма-квантов продуктов деления от 0,1 до 1-2 МэВ и захватных гамма-квантов с максимальной энергией энергией до 10 МэВ

галактические космические лучи (ГКИ),
солнечные космические лучи (СКИ).

орбитах эксплуатации необходимо предъявлять при создании новой радиационно-стойкой элементной компонентной

базы (ЭКБ) следующие требования:
- по стойкости к дозе протонного и электронного излучения космического пространства - полная поглощенная доза не менее 100 крад;
- по стойкости к отказам при воздействии протонов и тяжелых заряженных частиц
- порог ЛПЭ отказа не менее 60 МэВ см2/мг;
- по стойкости к сбоям при воздействии протонов и тяжелых заряженных частиц – порог ЛПЭ сбоя не менее 36 МэВ см2/мг.

и радиоэлектронную аппаратуру КА
- потоки электронов и протонов радиационных

поясов Земли;
- потоки протонов, солнечных космических лучей и галактических тяжелых заряженных частиц.
Эффекты радиационного воздействия
- накопление ионизационных эффектов и структурных повреждений в материалах и ЭКБ;
- сбои и отказы ЭКБ при воздействии протонов и ТЗЧ.
Требования стойкости, прочности и устойчивости аппаратуры систем КА определяются интегральными эффектами в материалах элементов под воздействием гамма-нейтронного излучения ЯЭУ.
Кратковременные сбои и обратимые отказы могут наблюдаться в аппаратуре вследствие проявления ионизационных эффектов в полупроводниковых приборах под воздействием ИИ КП. При этом определяющими являются дифференциальные характеристики излучения – плотность энерговыделения в чувствительных объемах полупроводников.