Разделы презентаций


Дифракция в кристаллах

Содержание

Дифракция в кристаллах2. Условие дифракции Лауэ3. Эквивалентность формулировок Брэгга и Лауэ

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Дифракция в кристаллах
Условие дифракции Брэгга






Дифракция в кристаллахУсловие дифракции Брэгга

Слайд 2Дифракция в кристаллах



2. Условие дифракции Лауэ



3. Эквивалентность формулировок

Брэгга и Лауэ

Дифракция в кристаллах2. Условие дифракции Лауэ3. Эквивалентность    формулировок  Брэгга и Лауэ

Слайд 3Уравнение Лауэ для амплитуды рассеяния




Уравнение Лауэ  для амплитуды рассеяния

Слайд 4Структурный фактор базиса
6666


Структурный фактор ОЦК решетки



Структурный фактор базиса6666Структурный фактор ОЦК решетки

Слайд 5Структурный фактор ГЦК решетки
6666




Структурный фактор ГЦК решетки6666

Слайд 6Атомный фактор рассеяния
6666







Форм-фактор
углерода
Форм-фактор алюминия

Атомный фактор рассеяния6666Форм-факторуглеродаФорм-фактор алюминия

Слайд 7Температурная зависимость линий отражения
6666



Множитель Дебая-Уоллера
Температурная зависимость
интенсивности дифракционных
максимумов (h00) для алюминия

Температурная зависимость  линий отражения6666Множитель Дебая-УоллераТемпературная зависимостьинтенсивности дифракционныхмаксимумов (h00) для алюминия

Слайд 8Фактор поглощения
6666


Рентгеновское излучение, рассеянное кристаллом, значительно поглощается в нем. Поглощение

зависит от угла рассеяния , плотности вещества

и линейного коэффициента рассеяния . При расчете интенсивности поглощение учитывают, вводя в формулу множитель (фактор) поглощения .

При получении рентгенограмм от поликристаллических образцов интенсивность дифракционных линий также зависит от вероятности нахождения кристаллитов в отражающем положении. Эта вероятность зависит от числа эквивалентных плоскостей {hkl}.
Число эквивалентных плоскостей р, называемое множителем (фактором) повторяемости, зависит от симметрии кристалла.
Так, для кубического кристалла р имеет следующие значения:
12 — для {110}, 8 — для {111} и 6 — для {100}.






Фактор повторяемости

Фактор поглощения6666Рентгеновское излучение, рассеянное кристаллом, значительно поглощается в нем. Поглощение зависит от угла рассеяния   ,

Слайд 9Множитель Лорентца
6666


Реальные кристаллы являются мозаичными, т. е. состоят из блоков,

повернутых друг относительно друга на малые углы. По этой причине

мозаичный кристалл отражает не только под брэгговским углом, но и в некотором угловом интервале ( ).

Для учета влияния на интенсивность отраженных лучей мозаичности кристалла, а также геометрии съемки в формулу интенсивности вводят множитель Лорентца:






Рассеяние рентгеновских лучей электронами




- для монокристаллов,
- для поликристаллов




.




Множитель Лорентца6666Реальные кристаллы являются мозаичными, т. е. состоят из блоков, повернутых друг относительно друга на малые углы.

Слайд 10Интегральная интенсивность дифракционных максимумов
6666


С учетом всех факторов формулы интегральной интенсивности

дифракционных максимумов для малых или мозаичных кристаллов имеют вид:







(для поликристаллов)




.




(для монокристаллов)




Интегральная интенсивность  дифракционных максимумов6666С учетом всех факторов формулы интегральной интенсивности дифракционных максимумов для малых или мозаичных

Слайд 11Экспериментальные методы рентгеновского спектроскопического анализа
6666


Построение Эвальда



Монохроматическое
излучение (λ = сonst)


Немонохроматическое излучение (

)

Экспериментальные методы рентгеновского спектроскопического анализа6666Построение ЭвальдаМонохроматическое излучение (λ = сonst) Немонохроматическое излучение (

Слайд 12МЕТОД ЛАУЭ

Схема камеры Лауэ


Дифракционная картина

МЕТОД ЛАУЭСхема камеры ЛауэДифракционная картина

Слайд 13МЕТОД ВРАЩАЮЩЕГОСЯ КРИСТАЛЛА

Схема камеры в методе
вращающегося кристалла

Построение Эвальда для
метода вращающегося


кристалла


Типичная рентгенограмма
при вращении кристалла

МЕТОД ВРАЩАЮЩЕГОСЯ КРИСТАЛЛАСхема камеры в методевращающегося кристаллаПостроение Эвальда дляметода вращающегося кристаллаТипичная рентгенограммапри вращении кристалла

Слайд 14МЕТОД ДЕБАЯ-ШЕРРЕРА
Схема камеры в методе Дебая-Шеррера
Рентгенограммы кремния, полученные методом


Дебая-Шеррера: а) на пленке; б) с помощью счетчика

а)
б)

МЕТОД  ДЕБАЯ-ШЕРРЕРАСхема камеры в методе Дебая-ШеррераРентгенограммы кремния, полученные методом Дебая-Шеррера: а) на пленке; б) с помощью

Слайд 15ПОСТРОЕНИЕ ЭВАЛЬДА ДЛЯ МЕТОДА ДЕБАЯ-ШЕРРЕРА
Каждый вектор обратной решетки производит

сферу с радиусом К в начальной точке 0 (а); вектор,

соединяющий точки этой окружности с концом вектора падающего излучения, есть волновой вектор рассеянного излучения. Каждый вектор обратной решетки дает конус рассеянного излучения, образующий угол ɸ с направлением падения.
ПОСТРОЕНИЕ ЭВАЛЬДА ДЛЯ МЕТОДА ДЕБАЯ-ШЕРРЕРАКаждый вектор   обратной решетки производит сферу с радиусом К в начальной

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика