Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Диод Шоттки
Содержание
- 1. Диод Шоттки
- 2. Содержание: Введение.Общие сведение о диодах.Принцип работы.3.1 Барьер Шоттки.3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.4. Особенности перехода Шоттки.Структура диода Шоттки.Применение.
- 3. 1. Введение.
- 4. 2. Общие сведения о диодах.
- 5. 3. Принцип работы.
- 6. 3.1 Барьер Шоттки. Вальтер Шоттки исследовал такой барьер
- 7. Зонная диаграмма барьера Шоттки при различных напряжениях на затворе:а) VG = 0; б)VG > 0, прямое смещение; в)VG
- 8. 3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.
- 9. 4.Особенности перехода Шоттки.4. Особенности перехода Шоттки.
- 10. При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния
- 11. 6. Применение.
- 12. Скачать презентанцию
Содержание: Введение.Общие сведение о диодах.Принцип работы.3.1 Барьер Шоттки.3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.4. Особенности перехода Шоттки.Структура диода Шоттки.Применение.
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2Содержание:
Введение.
Общие сведение о диодах.
Принцип работы.
3.1 Барьер Шоттки.
3.2 Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.
4.
Особенности перехода Шоттки.
Слайд 63.1 Барьер Шоттки.
Вальтер Шоттки исследовал такой барьер в 1939 году.
Для возникновения потенциального барьера необходимо, чтобы работы выхода металла и
полупроводника были различными. При сближении полупроводника n-типа с металлом, имеющим большую, чем у полупроводника, работу выхода , металл заряжается отрицательно, а полупроводник — положительно, так как электронам легче перейти из полупроводника в металл, чем обратно.
Слайд 7Зонная диаграмма барьера Шоттки при различных напряжениях на затворе:
а) VG = 0; б)VG > 0,
прямое смещение; в)VG
Слайд 10При этом применяют подложки из низкоомного n-кремния (или карбида кремния)
с высокоомным тонким эпитаксиальным слоем того же полупроводника
1 –
низкоомный исходный кристалл кремния (полупроводниковая подложка) 2 – эпитаксиальная плёнка высокоомного Кремния
3 – контакт металл-полупроводник
4 – металлический контакт
5 – внешний контакт
5. Структура диода Шоттки:
