Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Энергонезависимая память
Содержание
- 1. Энергонезависимая память
- 2. Твердотельная памятьБыстродействиеЭнергонезависимостьПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ
- 3. Mask ROMЯчейка памятиMemory Cell
- 4. Mask ROMDiode ROMn-MOS ROM p-MOS ROM
- 5. OTP ROM Однократно программируемая памятьOne Time Programmable
- 6. OTP ROM AntifuseДиэлектрик - ONO (oxide-nitride-oxide)12
- 7. Floating -gate transistor (FAMOS)Digital Integrated Circuits A Design Perspective.Jan M. RabaeyAnantha ChandrakasanBorivoje Nikolic
- 8. Floating -gate transistor (FAMOS)1971 Frohman’s UV-erasable EPROMUV-erasable EPROM
- 9. EEPROMFloating gateSourceSubstratepGateDrainn1n120–30 nm10 nm-10 V10 VIVGDFLOTOX transistorDigital Integrated Circuits A Design Perspective.Jan M. RabaeyAnantha ChandrakasanBorivoje Nikolic
- 10. EEPROM Cell12,5VВнешниеВнутренниеВ EEPROM можно переписывать отдельные ячейкиIn System Programming
- 11. Flash
- 12. FlashOR ROMНеактивные строки =0NOR ROMНеактивные строки = 0NAND ROMНеактивные строки =1
- 13. Flash
- 14. Скачать презентанцию
Твердотельная памятьБыстродействиеЭнергонезависимостьПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПАМЯТЬ
Слайды и текст этой презентации
Слайд 5OTP ROM
Однократно программируемая память
One Time Programmable ROM
Ячейка
«Чистая»
Запрограммированная
Технология плавких перемычек
FUSE
Слайд 7Floating -gate transistor (FAMOS)
Digital Integrated Circuits
A Design Perspective.
Jan M. Rabaey
Anantha
Chandrakasan
Borivoje Nikolic
Слайд 9EEPROM
Floating gate
Source
Substrate
p
Gate
Drain
n
1
n
1
20
–
30 nm
10 nm
-10 V
10 V
I
V
GD
FLOTOX transistor
Digital Integrated Circuits
A Design
Perspective.
Jan M. Rabaey
Anantha Chandrakasan
Borivoje Nikolic
Слайд 10EEPROM Cell
12,5V
Внешние
Внутренние
В EEPROM можно переписывать отдельные ячейки
In System Programming
