Разделы презентаций


Физическое материаловедение Активационная спектроскопия

Содержание

Пост-радиационные явленияРелаксационные эмиссиифотоныэлектроныТермостимулированная люминесценцияТермостимулированная экзоэлектронная эмиссияТермостимулированная проводимостьФотостимулированная люминесценцияФотостимулированная экзоэлектронная эмиссияФотостимулированная проводимостьЭлектронный спиновый резонансОптическое поглощение облученных материалов

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Физическое материаловедение
Активационная спектроскопия

Физическое материаловедениеАктивационная спектроскопия

Слайд 2Пост-радиационные явления
Релаксационные эмиссии
фотоны
электроны
Термостимулированная люминесценция
Термостимулированная экзоэлектронная эмиссия
Термостимулированная проводимость
Фотостимулированная люминесценция
Фотостимулированная экзоэлектронная эмиссия
Фотостимулированная

проводимость
Электронный спиновый резонанс
Оптическое поглощение облученных материалов

Пост-радиационные явленияРелаксационные эмиссиифотоныэлектроныТермостимулированная люминесценцияТермостимулированная экзоэлектронная эмиссияТермостимулированная проводимостьФотостимулированная люминесценцияФотостимулированная экзоэлектронная эмиссияФотостимулированная проводимостьЭлектронный спиновый резонансОптическое поглощение облученных материалов

Слайд 3ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ

ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ - это люминесцентное свечение вещества, возникающее в процессе его

нагревания. Обычно для появления термолюминесценции вещество необходимо предварительно возбудить УФ

светом, ионизирующим излучением (ϒ-квантами, рентгеновскими лучами, потоком электронов или ионов).

При предварительном возбуждении вещества при комнатной или более низкой температуре в нем запасается энергия в виде пространственно разделенных неравновесных носителей заряда - дырок в валентной зоне и электронов в зоне проводимости, которые далее стабилизируются ("захватываются") на энергетических уровнях, обусловленных наличием специально вводимых или сопутствующих примесей, собственных или радиационно-стимулированных дефектов кристаллической структуры, а также отдельных функциональных атомных групп и макрорадикалов, обладающих положительным сродством к электрону.

Предварительное возбуждение

ТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯТЕРМОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ - это люминесцентное свечение вещества, возникающее в процессе его нагревания. Обычно для появления термолюминесценции вещество необходимо

Слайд 4Термолюминесценция флюорита
CaF2
Естественная и активированная
термолюминесценция известняка
Кальцит
CaCO3
Лепидолит
KLi1,5Al1,5[AISi3О10](F, ОН)
Термолюминесцентные материалы
Щелочногалоидные кристаллы, например LiF
Сульфат

кальция
CaSO4
Оксид алюминия
Al2O3 (рубин, сапфир)
Кварц
SiO2
Полимеры:
полистирол,
полиамид
CaCO3

Термолюминесценция флюоритаCaF2Естественная и активированнаятермолюминесценция известнякаКальцитCaCO3ЛепидолитKLi1,5Al1,5[AISi3О10](F, ОН)Термолюминесцентные материалыЩелочногалоидные кристаллы, например LiFСульфат кальцияCaSO4Оксид алюминияAl2O3 (рубин, сапфир)КварцSiO2Полимеры:полистирол, полиамидCaCO3

Слайд 5Post-irradiation phenomena: relaxation processes in system of charged and neutral

particles
or

TE

TE

TSEE OSEE



Relaxation in the system of neutral particles:


Thermally stimulated atom diffusion (TSAD) i) A + A → A2* ;
Radiative relaxation ii) A2*→ A2 + hν; Nonradiative iii) A2*→ A2 + ΔE
Post-irradiation phenomena: relaxation processes in system of charged and neutral particlesorTETETSEE OSEE  Relaxation in the system

Слайд 6Ion center regeneration and thermocycling
ALTpD
Solid Ar

Ion center regeneration and thermocyclingALTpDSolid Ar

Слайд 7Повышение температуры приводит к увеличению вероятности термического высвобождения захваченных электронов

с переходом в зону проводимости и их последующей избирательной рекомбинации

с ионизированными центрами. Рекомбинационное свечение проявляется в виде пиков термолюминесценции в видимом, ультрафиолетовом (УФ) или инфракрасном (ИК) диапазоне.

Термическая стимуляция релаксационной эмиссии фотонов

Термолюминесценция твердого азота, измеренная после его облучения пучком 1 кэВ электронов.

Повышение температуры приводит к увеличению вероятности термического высвобождения захваченных электронов с переходом в зону проводимости и их

Слайд 8Принципиальная схема установки для исследования материалов
методами термо- и оптикостимулированной

люминесценции
McKeever
Измерение общего выхода
TSL & OSL
Гораздо больше информации
дает измерение спектрально
разрешенной

TSL & OSL
Принципиальная схема установки для исследования материалов методами термо- и оптикостимулированной люминесценцииMcKeeverИзмерение общего выходаTSL & OSLГораздо больше информации

Слайд 9Корреляционная спектроскопия
1,2 – охлаждаемая подложка (посеребренная Cu пластина,

покрытая тонким слоем MgF2)

3 – образец
4 – низкотемпературный экран
5,6 – система подачи газа
7 – источник электронов
8 – электростатическая линза

13 – автоматическая система регулировки температуры

Облучение

Корреляционная спектроскопия  1,2 – охлаждаемая подложка (посеребренная Cu пластина, покрытая тонким слоем MgF2)

Слайд 10 
9 – пластина Фарадея (Cu пластина, покрытая Au )
10 –

оптическое окно
11,12 – оптический спектрометр (Ocean Optics, 200–1100 nm)
13 –

система автоматического регулирования температуры (LTC-60 Leybold)
14 – измеритель давления (Dual Gauge Pfeiffer
5E-10 - 1000 mbar).

Измерение термостимулированных токов, люминесценции и десорбции

 9 – пластина Фарадея (Cu пластина, покрытая Au )10 – оптическое окно11,12 – оптический спектрометр (Ocean Optics,

Слайд 11Схема установки для изучения катодо- и термолюминесценции в видимой и

ВУФ области спектра

Схема установки для изучения катодо- и термолюминесценции в видимой и ВУФ области спектра

Слайд 12Механизмы термолюминесценции
p - Вероятность выхода электрона из ловушки в единицу

времени;
s - Частотный фактор; E - Энергия активации.
Предполагая dT= βdt,

где β – скорость нагрева, и интегрируя, получаем

Если n – число электронов в ловушке во время t

Интенсивность TL~ скорости «подхода» электронов к центрам люминесценции

При отсутствии перезахвата электронов на других ловушках

Механизмы термолюминесценцииp - Вероятность выхода электрона из ловушки в единицу времени;s - Частотный фактор; E - Энергия

Слайд 13Это выражение для кинетики первого порядка при условии отсутствия перезахвата

описывает кривую термолюминесценции в кристалле с одним типом ловушек, т.е.

с ловушками одной глубины.
В случае кинетики первого порядка в кристалле с несколькими N типами ловушек, сложная кривая может быть представлена в виде суммы «однопиковых» кривых:

n0 – число электронов, захваченных в ловущках при начальной температуре.

Это выражение для кинетики первого порядка при условии отсутствия перезахвата описывает кривую термолюминесценции в кристалле с одним

Слайд 14Методы анализа термолюминесценции
Метод начального роста
Метод площадей
Метод полуширины
Метод различных скоростей нагрева
Метод

изотермического распада
Метод подгонки кривых

Методы анализа термолюминесценцииМетод начального ростаМетод площадейМетод полушириныМетод различных скоростей нагреваМетод изотермического распадаМетод подгонки кривых

Слайд 15Метод начального роста
Может быть использован в случае «однопиковой кривой» или

когда нет перекрытия между пиками.

I ~ exp (- E/kT)
Метод площадей
Представляет

собой расширение метода начального роста. Он основан на предположении, что плотность заполненных ловушек при любой температуре пропорциональна остающейся площади кривой ТЛ.

ln (I/A0) = -E/kT + b
A0 – общая площадь под кривой, b - константа
Метод начального ростаМожет быть использован в случае «однопиковой кривой» или когда нет перекрытия между пиками.I ~ exp

Слайд 16Метод «чистки кривых»

Метод «чистки кривых»

Слайд 17Метод «чистки кривых»
A. Vedda

Метод «чистки кривых»A. Vedda

Слайд 18Применение метода полуширины
В случае кинетики первого порядка эмпирическое выражение для

энергии активации

E = 1.52 (kTm2)/δ1 – 1.58(2kTm)
При использовании нарастающей части

кривой

E = 1.51kTm T1 /(Tm - T1)

При использовании убывающей части кривой
E = kTm2 /(T2 - Tm)

Применение метода полушириныВ случае кинетики первого порядка эмпирическое выражение для энергии активацииE = 1.52 (kTm2)/δ1 – 1.58(2kTm)При

Слайд 19Применение метода различных скоростей нагрева
βE/ kTm2 = s exp(-E/kTm)


E =

{kTm1 Tm2 / Tm1 - Tm2}ln[β1 / β2 (Tm2 /Tm1)

2]

TSL from electron beam irradiated solid Xe

Применение метода различных скоростей нагреваβE/ kTm2 = s exp(-E/kTm)E = {kTm1 Tm2 / Tm1 - Tm2}ln[β1 /

Слайд 20Анализ кривых методом изотермического распада
Наклон m линейной зависимости ln(It /I0)

от t будет равен s exp (-E/kT).
построив ln(m) как функцию

от 1/T получаем E/k
Анализ кривых методом изотермического распадаНаклон m линейной зависимости ln(It /I0) от t будет равен s exp (-E/kT).построив

Слайд 21Пример экспериментальных и расчетных кривых термолюминесценции полученных методом подгонки кривых
Термолюминесценция

допированных церием перовскитов LuAlO3 (LuAP):Ce

YAP (YAlO3)
A. Vedda

Пример экспериментальных и расчетных кривых термолюминесценции полученных методом подгонки кривыхТермолюминесценция допированных церием перовскитов LuAlO3 (LuAP):CeYAP (YAlO3)A. Vedda

Слайд 22Положение максимумов термолюминесценции на кривых зависимости яркости свечения от температуры

(“glow curves”) определяется структурой центров захвата электронов ("ловушек"), форма и

интенсивность пиков высвечивания дают информацию об энергетической "глубине залегания" уровней центров захвата относительно зоны проводимости. Спектр термолюминесценции определяется энергетической структурой ионизированных центров свечения. Вместе с тем форма кривых термолюминесценции существенно зависит от условий опыта, в частности от скорости нагревания, вида, интенсивности и длительности предварительного возбуждения, а также определяется кинетикой рекомбинационных процессов (линейной или квадратичной по отношению к концентрации ионизированных центров свечения), что нужно учитывать при обработке и сопоставлении экспериментальных данных.

О спектрах термолюминесценции

Положение максимумов термолюминесценции на кривых зависимости яркости свечения от температуры (“glow curves”) определяется структурой центров захвата электронов

Слайд 23Наблюдение фазовых переходов методами активационной спектроскопии
Solid N2

Наблюдение фазовых переходов методами активационной спектроскопииSolid N2

Слайд 24Литература:

1. Ч.Б. Лущик ЖЭТФ (1956) 3, 390.
2. J.T. Randall and

M.H.F. Wilkins, Proc. Roy Soc. London (1945) 184, 366, 390.
3.

Ф. Даниельс, Ч. Бойд, Д. Саундерс, УФН (1953) L1, 271.
4. D.R. Vij Thermoluminescence in Luminescence of Solids, Plenum Press New York 1998, р. 271-307.
5. Ю.А. Гороховатский, Г.А. Бордовский, Термоактивационная токовая спектроскопия высокоомных полупроводников и диэлектриков, Москва, Наука 1991, с. 243.
6. http://www.xumuk.ru
Литература:1. Ч.Б. Лущик ЖЭТФ (1956) 3, 390.2. J.T. Randall and M.H.F. Wilkins, Proc. Roy Soc. London (1945)

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика