Лекция 6

изучающий условия и приборные структуры, в которых перенос тока осуществляется

одним электроном, или, точнее, определяется движением одного электрона.

Одноэлектронными называются приборы, в которых контролируется перемещение одного электрона или малого их количества.

классических микроэлектронных приборов усилился интерес к приборам, могущим обеспечить дальнейший

прогресс электроники. Одним из возможных путей такого прогресса является создание приборов, в которых контролируется перемещение определенного количества электронов, в частности, одного электрона.

в которой бит информации будет представлен одним электроном. В таких

приборах перемещение электрона происходит посредством туннелирования. Время туннелирования электрона достаточно мало, теоретический предел быстродействия одноэлектронных приборов очень высок. Работа, необходимая для перемещения одного электрона, также мала, следовательно, энергопотребление одноэлектронных схем должно быть чрезвычайно небольшим.

электронов относительно неподвижных ионов решетки.
В структуре, состоящей из двух

областей проводника, разделенных тонким диэлектриком, электрический заряд переносится комбинированно – непрерывно в проводнике и дискретно через диэлектрик.

приложении к внешним контактам структуры электрического потенциала начинается непрерывное изменение

заряда в проводнике. Оно сопровождается накоплением заряда на границе с диэлектриком. Накопление заряда продолжается до тех пор, пока его величина не окажется достаточной для отрыва и туннелирования через диэлектрик одного электрона. После акта туннелирования система возвращается в первоначальное состояние.

возможность туннелировать через диэлектрик, когда накопленный заряд становится больше +e/2

(туннелирование в «прямом» направлении) или меньше –e/2 (туннелирование в «обратном» направлении), поскольку только при этом уменьшается электростатическая энергия системы. Внутри этого интервала туннелирование невозможно из-за кулоновского взаимодействия электрона с другими подвижными и неподвижными зарядами в проводнике. Данное явление называют кулоновской блокадой.
Одноэлектронное туннелирование в условиях кулоновской блокады было впервые рассмотрено советскими учеными Д. Авериным и К. Лихаревым. На основе их работ (1985–1986 гг.) сформировалось новое направление в наноэлектронике – одноэлектроника.

внешнего напряжения, если туннелированию электронов препятствует их кулоновское взаимодействие.

нескольким признакам.
По направлению протекания тока конструкции делятся на горизонтальные

(латеральные) и вертикальные. В горизонтальных приборах направление протекания тока параллельно плоскости поверхности структуры, в вертикальных – перпендикулярно.
По способу формирования квантовых точек (КТ) бывают приборы на постоянных и временных КТ. Заметим, что термин «КТ» по отношению к малому объекту не всегда корректен, так как квантования энергетического спектра может и не наблюдаться. Однако этот термин широко используется в силу того, что для квантования спектра достаточно понизить температуру. В дальнейшем будем придерживаться такой терминологии.

какой либо кластер (металлический или полупроводниковый). Временная КТ создается в

двумерном электронном газе путем приложения обедняющих напряже-ний, т. е. существует лишь во время работы прибора. Кроме того, приборы на временных КТ можно разделить по способу формирования двумерного электронного газа на инверсные и гетероструктурные. В инверсных приборах двумерный электронный газ образуется в инверсных приповерхностных каналах путем приложения соответствующего напряжения. В гетероструктурных приборах двумерный электронный газ сосредоточен на гетерогранице.
По количеству КТ приборы могут быть нуль- (одноточечные), одно- (цепочка точек) и двумерные (массив точек).
По управляемости параметрами КТ приборы делятся на неуправляемые (двухэлектродные) и управляемые (многоэлектродные, с одним или несколькими затворами).

классу, виду и разновидности.
Ниже рассмотрим наиболее часто встречающиеся конструкции одноэлектронных

приборов.

размеры канала между стоком и истоком лежат в нанодиапазоне, обусловливая

проявление квантово-размерных эффектов. Кроме того, одноэлектронный транзистор не усиливает текущий ток, а только управляет переходом электронов, поэтому правильнее было бы называть его переключателем. Принцип работы одноэлектронного транзистора основан на эффекте так называемой «кулоновской блокады» – скачкообразном изменении потенциальной энергии достаточно малой системы при туннелировании одного электрона и блокировании движения всех остальных. При этом электрический ток в цепи протекает макроскопически регистрируемыми порциями, иначе говоря, в системе проявляется движение единичных зарядов.

Одноэлектронный транзистор

Только вот между электродами расположен металлический или полупроводниковый «наноостровок» –

наночастица или кластер нанометровых размеров (рис.).

Если приложить
разность потенциалов между стоком и истоком, то, казалось бы,

должен потечь туннельный ток. Однако пока потенциал на управляющем электроде будет меньше некоторого порогового значения, туннелирование не наблюдается. Электрон на наночастице остается изолированным, т.е. «заблокированным».

При дальнейшем же увеличении напряжения выше порогового значения блокада электрона прорывается, и в цепи между стоком и истоком происходит перескок электрона – течет туннельный ток.

электроны. Если пойти дальше и вместо наночастицы поместить между электродами

молекулу или молекулярный комплекс, то движение единичных электронов будет осуществляться в результате прыжков по химическим связям – в работу вступят дискретные уровни энергии молекулы. Таким образом, одноэлектронный транзистор рассматривается как предельная степень миниатюризации классического транзистора – то, к чему стремятся все крупнейшие производители вычислительной техники.

исследовательских лабораториях, но в будущем их использование в массовом производстве

может привести к резкому снижению энергопотребления и тепловыделения электронными схемами, значительному увеличению быстродействия и плотности элементов микросхем. Развитие технологии одноэлектронных транзисторов позволит создать ячейки памяти с большим временем хранения, высокой плотностью записи информации и малой рассеиваемой мощностью, а также высокочувствительные химические/биохимические сенсоры.

и двойной (б) КТ. VUG, VLG – напряжения на верхнем

и нижнем затворах соответственно; VD – напряжение на стоке

Конструкции, основанны на принципе работы МОП–транзистора (металл–оксид–полупроводник) с индуцированным каналом. Затвор таких транзисторов состоит из двух электрически не связанных частей. Подача на нижний затвор положительного напряжения формирует инверсный n–канал в p–подложке, а подача на верхний затвор от-
рицательного напряжения разрывает канал областями обеднения, формируя КТ.

напряжений на верхнем затворе (а) при 4,2 К и различных

температур (б) при VUG = −1 В и VD = 0,2 мВ

Эти приборы являются планарными управляемыми приборами на одной или двух временных КТ. На рис. а показаны зависимости тока стока для одноточечного транзистора от напряжения на нижнем затворе при различных напряжениях на верхнем затворе. На рис. б представлены аналогичные характеристики, но при различных температурах.

Осцилляции на этих зависимостях соответствуют присутствию отдельных электронов.

кулоновской блокады (рис.). В кремниевой подложке создавали изолирующий слой путем

имплантации кислорода, при помощи электронной литографии и реактивного ионного травления формировали необходимый рисунок.

Затем проводили термическое подзатворное окисление, которое уменьшало размеры КТ и увеличивало высоту потенциальных барьеров между точкой и контактами. Сверху наносили поликристаллический кремниевый затвор. Разница заключалась в использовании n-Si для электронного и p-Si для дырочного транзистора.

На рис. приведены изображения электронного и дырочного транзисторов, полученные при

помощи сканирующего электронного микроскопа (СЭМ).

Изображения электронного (а) и дырочного (б) транзисторов, полученные при помощи СЭМ

различных температурах представлена на рис. Аналогичные зависимости получены и для

дырочного транзистора.

Следует отметить, что эти два транзистора – единственные одноэлектронные приборы (кроме реализованных при помощи СТМ), работающие при температурах выше 77 К. Однако вопрос о воспроизводимости 10-нм структур при помощи элек-
тронной литографии в работе авторы этого изделия не рассматривали.

Зависимости тока стока от напряжения на затворе для электронного транзистора при различных температурах T

поликремниевый слой наносили толстый слой SiO2. При помощи электронной литографии

и реактивного ионного травления формировали островок Si–SiO2. Затем проводили термическое окисление для получения тонкого (2 нм) оксида на боковой поверхности островка.

Схема одноэлектронного транзистора

После нанесения еще одного слоя поликремния при помощи электронной литографии и реактивного ионного травления формировали подводящие контакты (см. рис.)

оксид. Емкость перекрытия контактов и островка уменьшалась за счет большой

толщины SiO2 (50 нм) сверху островка. В качестве затворного электрода использовали подложку. Классификация прибора аналогична предыдущему.
Как видно из рис. выше, площадь туннельного контакта определяется высотой островка и шириной подводящего контакта, которые составляли 30 и 100 нм соответственно. Таким образом, емкость контактов при толщине бокового оксида 2 нм составляла 50 фФ.

На рис.б представлены характерные одноэлектронные осцилляции тока стока от напряжения

на затворе (т.е. на подложке). Измерения проводили при температуре 4,2 К.

Изображение одноэлектронного транзистора, полученное при помощи СЭМ

Зависимость тока стока от напряжения на затворе. Напряжение
на стоке 3 мВ

состоящая из двух одноэлектронных транзисторов, связанных между собой через туннельный

конденсатор. На основе Т-образных транзисторных структур могут быть реализованы одноэлектронный коммутатор, одноэлектронный насос, одноэлектронный инвертор и др.

МДП-типа (металл–диэлектрик–полупроводник) с ультракоротким каналом. Рассмотрим металлический кластер (для определенности

сферический, радиуса R), помещенный в диэлектрическую среду с диэлектрической проницаемостью ε. Потенциал такого кластера равен

где q – электрический заряд; C = εR – емкость.
Для кластера размером в несколько нанометров емкость составляет ~10−18 Ф. Поэтому один электрон, помещенный в подобный кластер, создает потенциал порядка 0,1 В. Такой потенциал может оказаться вполне достаточным для кулоновской блокады транспорта других электронов. Это открывает возможности для создания нового класса так называемых одноэлектронных приборов.

памяти (рис.); полевые транзисторы, управляемые одиночным электроном на затворе; одноэлектронный

аналог биполярного транзистора; «одноэлектронный насос» и др.

Одноэлектронное устройство памяти с наноразмерным кластером в качестве плавающего затвора. Схематическое изображение структуры (а) и энергетические диаграммы до (б) и после (в) захвата электрона на кластер. Захват одного электрона приводит к запиранию узкого канала за счет эффекта кулоновской блокады

на использовании прецизионной литографии тонких металлических пленок или полупроводниковых слоев

с двумерным газом. Пространственное разрешение, характерное для этого подхода, в большинстве случаев не позволяет создать объекты достаточно малого размера, что ограничивает рабочую температуру подобных устройств на уровне температуры жидкого гелия и ниже. Следует, однако, отметить значительный прогресс этой технологии, достигнутый в последнее время. Например, имеется информация о создании одноэлектронной памяти, работающей при комнатной температуре, на основе полевого транзистора с очень узким каналом и плавающим затвором нанометрового размера.

рис. показан прибор, который представляет собой двойной туннельный переход на

основе гетероструктуры
GaAs/AlGaAs.

Структура на основе GaAs/AlGaAs с расщепленным
затвором Шоттки.

осуществляется посредством прикладывания напряжения к металлическим расщепленным затворам Шоттки, расположенным

на поверхности структуры.
ДЭГ формируется на границе раздела слоев GaAs и AlGaAs, его плотность контролируется напряжением, приложенным к проводящей подложке. При подаче отрицательных напряжений на расщепленные затворы происходит обеднение ДЭГ под ними. В результате в ДЭГ формируется канал с малыми сегментами (островками) между обедненными участками (барьерами).Рабочая температура прибора около 0.5 K

Одноэлектронная ловушка
Главное свойство данного прибора – это би- или мультистабильная

внутренняя зарядовая память, то есть в пределах определенного диапазона напряжения U, прикладываемого к затвору, ближайший к затвору островок может быть в одном, двух или более устойчивых зарядовых состояниях.

Генераторы на одноэлектронных транзисторах
Одноэлектронные транзисторы можно использовать для генерации узкополосных сигналов с частотой, по существу, пропорциональной постоянному току f = I/e.

в качестве счетчика электронов – она позволяет контролируемо перемещать единичные

электроны. Счетчик электронов можно использовать в целях метрологии – квантовый стандарт тока.

Логические элементы
Имеются две принципиальные возможности построения логических элементов на одноэлектронных транзисторах. Это управляемые напряжением логические элементы и управляемые зарядом логические элементы.

постоянного тока. Принцип его работы основан на стабилизации фазы одноэлектронных

колебаний с помощью внешнего высокочастотного источника с характерной частотой f. Стабилизация фазы обеспечивает передачу определенного количества электронов n за период внешнего высокочастотного сигнала и, таким образом, генерацию постоянного тока, который фундаментально связан с частотой через уравнение I = nef.

контакт, а квантовым эталоном сопротивления элемент на квантовом эффекте Холла.

Появление квантового эталона тока позволяет замкнуть метрологический треугольник напряжение-сопротивление-ток, что очень важно для целей метрологии.

одноэлектронные транзисторы имеют высокий выходной импеданс из-за высокого сопротивления туннельных

переходов.
В-третьих, напряжение исток — сток для одноэлектронных транзисторов должно быть меньше, чем амплитуда (размах) напряжения затвора.
В- четвертых, определенные трудности в воспроизводимости характеристик одноэлектронных приборов возникают в связи с появлением неконтролируемого заряда вблизи островка. Такой заряд возникает вследствие захвата хотя бы одного примесного атома диэлектрическим окружением островка. Заряд примеси поляризует островок и изменяет, таким образом, условия для кулоновской блокады в нем.

и полевыми полупроводниковыми транзисторами связаны с намного меньшими размерами и

с расширенными функциональными возможностями а также чрезвычайно низкой потребляемой мощностью.