Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта

Содержание

1. Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта
2. Магнитоэлектрический эффектР – электрическая поляризация, Е –
3. pSi =mSi, (i=1,2) pTi=mTi(1 V)/V, pT3=mT3=0L p
4. Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре
5. Ek и Hk – напряженности электрического и
6. Метод номограммЗависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной
7. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли
8. Зависимость поперечного МЭ коэффициента отобъемной доли пьезоэлектрика
9. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли
10. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли
11. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли
12. Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли
13. Материальные параметры
14. Спасибо за вниманиеЛеонтьев Виктор Сергеевич Тел.: +7-906-200-41-27E-mail: viktorsergeevich.novsu@gmail.com
15. Скачать презентанцию

Магнитоэлектрический эффектР – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле, М – намагниченность,Н – внешнее магнитное поле,S – деформация,σ – механическое напряжение.H → P – магнитоэлектрический эффект,E → M – обратный

Главная
Разное
Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта
Леонтьев В.С.

Слайд 2Магнитоэлектрический эффект
Р – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле,

М – намагниченность,
Н – внешнее магнитное поле,
S – деформация,
σ –

механическое напряжение.

H → P – магнитоэлектрический эффект,
E → M – обратный магнитоэлектрический эффект,
H → S – магнитострикционный эффект,
σ → M – магнитоупругий эффект (эффект Виллари),
E → S – обратный пьезоэлектрический эффект,
σ → P – пьезоэлектрический эффект.

Магнитоэлектрический эффектР – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле, М – намагниченность,Н – внешнее магнитное поле,S

Слайд 3pSi =mSi, (i=1,2) pTi=mTi(1 V)/V, pT3=mT3=0
L
 p D dx 

0
3
0
11 31
33 12
11
33 12
11 21 31
1
3
E, 31
H
 E
m p
( ps  ps )(1V )  2

p d 2 (1V )

V (1V )(mq mq ) pd

(ms  s )V  

p





pSi = psij pTj+ pdki pEk pDk = pdki pTi+pεkn pEn mSi = msij mTj+ mqki mHk mBk = mqki mTi+mμkn mHn

pDn=mDn pE=mE pBn=mBn

Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре

pSi =mSi, (i=1,2) pTi=mTi(1 V)/V, pT3=mT3=0L p D dx  03011 3133 121133 1211 21 311 3 E, 31H Em p( ps  ps )(1V

Слайд 4Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре

Слайд 5Ek и Hk – напряженности электрического и магнитного полей,
mSi –

компонент деформации магнитного слоя,
pSi – компонент деформации пьезоэлектрического слоя,
pDk –

электрическое смещение пьезоэлектрического слоя,
pTi – компонент механического напряжения в пьезоэлектрической фазе,
psii – коэффициенты податливости пьезоэлектрика при постоянном электрическом поле,

mTi

– компонент механического напряжение в магнитной фазе,

msii – коэффициенты податливости магнитной фазы при постоянном магнитом поле,
pε33 – диэлектрическая проницаемость пьезоэлектрика,
pdki – пьезоэлектрический коэффициент пьезоэлектрика, mqij – пьезомагнитный коэффициент магнитной фазы, μkn – магнитная проницаемость,
mB3 – компоненты векторов магнитной индукции,
X – коэффициент связи,

V – объѐмная доля пьезоэлектрика, V=pV/(pV+mV), pV и
магнетика,
E,31 – поперечный МЭ коэффициент по напряжению.

mV объѐмы пьезоэлектрика и

Обозначения

Ek и Hk – напряженности электрического и магнитного полей,mSi – компонент деформации магнитного слоя,pSi – компонент деформации

Слайд 6Метод номограмм
Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для

симметричной структуры с различной податливостью магнитострикционных и пьезоэлектрических элементов, х

= 0,5 ∙ 10-22 (в единицах СИ) х – коэффициент пьезомагнитной связи в пьезомагнитной фазе

Метод номограммЗависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для симметричной структуры с различной податливостью магнитострикционных и

Слайд 7Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 10*10-22
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E

В/см Э

-12 2 -12 2

s11=10*10 m /N; ps11=10*10 m /N

-12 2 -12 2

s11=10*10 m /N; ps11=15*10 m /N

Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;6; 8;

Слайд 8Зависимость поперечного МЭ коэффициента от
объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры с

X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
m
-12 2 -12 2
s11=1010 m /N;

ps11=20*10 m /N

Зависимость поперечного МЭ коэффициента отобъемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;6; 8; 10*10-2200,511,522,50 0,1 0,20,3 0,4 0,5 0,6 0,70,8 0,9 1E

Слайд 9Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
0
0,5
1
1,5
2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
6; 8; 10*10-22
2,5 1,8

1,6
E В/см Э
0
0,2
0,4
0,6
1

0,8
1,2
1,4
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
E

В/см Э

ms11=20*10-12 m2/N; ps11=10*10-12 m2/N

ms11=20*10-12 m2/N; ps11=15*10-12 m2/N

Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;00,511,520 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1v6; 8;

Слайд 10Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
1,4

1,2

1

0,8

0,6

0,4

0,2
1,6
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
ms11=2010-12 m2/N; ps11=20*10-12

m2/N

E В/см Э

Слайд 11Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 10*10-22
1,6 1,4
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E

В/см Э

-12 2 -12 2

s11=35*10 m /N; ps11=10*10 m /N

v p

-12 2 -12 2

s11=35*10 m /N; s11=15*10 m /N

Слайд 12Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
E В/см Э
ms11=3510-12

m2/N; ps11=20*10-12 m2/N

Слайд 13Материальные параметры

Слайд 14Спасибо за внимание
Леонтьев Виктор Сергеевич Тел.: +7-906-200-41-27
E-mail: viktorsergeevich.novsu@gmail.com

Скачать презентацию

Разделы презентаций

Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта

Содержание

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта
Леонтьев В.С.

Слайд 2Магнитоэлектрический эффект
Р – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле,

М – намагниченность,
Н – внешнее магнитное поле,
S – деформация,
σ –

Слайд 3pSi =mSi, (i=1,2) pTi=mTi(1 V)/V, pT3=mT3=0
L
 p D dx 

0
3
0
11 31
33 12
11
33 12
11 21 31
1
3
E, 31
H
 E
m p
( ps  ps )(1V )  2

Слайд 4Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре

Слайд 5Ek и Hk – напряженности электрического и магнитного полей,
mSi –

компонент деформации магнитного слоя,
pSi – компонент деформации пьезоэлектрического слоя,
pDk –

Слайд 6Метод номограмм
Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для

симметричной структуры с различной податливостью магнитострикционных и пьезоэлектрических элементов, х

Слайд 7Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 10*10-22
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E

Слайд 8Зависимость поперечного МЭ коэффициента от
объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры с

X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
m
-12 2 -12 2
s11=1010 m /N;

Слайд 9Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
0
0,5
1
1,5
2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
6; 8; 10*10-22
2,5 1,8

1,6
E В/см Э
0
0,2
0,4
0,6
1

0,8
1,2
1,4
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
E

Слайд 10Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
1,4

1,2

1

0,8

0,6

0,4

0,2
1,6
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
ms11=2010-12 m2/N; ps11=20*10-12

Слайд 11Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 10*10-22
1,6 1,4
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E

Слайд 12Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
E В/см Э
ms11=3510-12

Слайд 13Материальные параметры

Слайд 14Спасибо за внимание
Леонтьев Виктор Сергеевич Тел.: +7-906-200-41-27
E-mail: viktorsergeevich.novsu@gmail.com

Обратная связь

Что такое TheSlide.ru?

Разделы презентаций

Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта

Содержание

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффектаЛеонтьев В.С.

Слайд 2Магнитоэлектрический эффектР – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле,

М – намагниченность,Н – внешнее магнитное поле,S – деформация,σ –

Слайд 3pSi =mSi, (i=1,2) pTi=mTi(1 V)/V, pT3=mT3=0L p D dx 

03011 3133 121133 1211 21 311 3 E, 31H Em p( ps  ps )(1V )  2

Слайд 4Расчет магнитоэлектрического коэффициента в структуре

Слайд 5Ek и Hk – напряженности электрического и магнитного полей,mSi –

компонент деформации магнитного слоя,pSi – компонент деформации пьезоэлектрического слоя,pDk –

Слайд 6Метод номограммЗависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для

симметричной структуры с различной податливостью магнитострикционных и пьезоэлектрических элементов, х

Слайд 7Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;6; 8; 10*10-2200,511,522,530 0,1 0,20,3 0,4 0,5 0,6 0,70,8 0,9 1E В/см Эv00,511,522,50 0,1 0,20,3 0,4 0,5 0,6 0,70,8 0,9 1E

Слайд 8Зависимость поперечного МЭ коэффициента отобъемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры с

X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;6; 8; 10*10-2200,511,522,50 0,1 0,20,3 0,4 0,5 0,6 0,70,8 0,9 1E В/см Эvm-12 2 -12 2s11=10*10 m /N;

Слайд 9Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;00,511,520 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1v6; 8; 10*10-222,5 1,81,6E В/см Э00,20,40,610,81,21,40 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1vE

Слайд 10Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;6; 8; 10*10-2201,41,210,80,60,40,21,60 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1vms11=20*10-12 m2/N; ps11=20*10-12

Слайд 11Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;6; 8; 10*10-221,6 1,400,20,40,60,811,21,40 0,1 0,20,3 0,4 0,5 0,6 0,70,8 0,9 1E В/см Эv00,20,40,60,811,20 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,70,8 0,9 1E

Слайд 12Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика длясимметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;6; 8; 10*10-2200,20,40,60,811,20 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1vE В/см Эms11=35*10-12

Слайд 13Материальные параметры

Слайд 14Спасибо за вниманиеЛеонтьев Виктор Сергеевич Тел.: +7-906-200-41-27E-mail: viktorsergeevich.novsu@gmail.com

Похожие презентации

Обратная связь

Что такое TheSlide.ru?

Слайд 1Метод номограмм для определения магнитоэлектрического эффекта
Леонтьев В.С.

Слайд 2Магнитоэлектрический эффект
Р – электрическая поляризация, Е – внешнее электрическое поле,

М – намагниченность,
Н – внешнее магнитное поле,
S – деформация,
σ –

Слайд 3pSi =mSi, (i=1,2) pTi=mTi(1 V)/V, pT3=mT3=0
L
 p D dx 

0
3
0
11 31
33 12
11
33 12
11 21 31
1
3
E, 31
H
 E
m p
( ps  ps )(1V )  2

Слайд 5Ek и Hk – напряженности электрического и магнитного полей,
mSi –

компонент деформации магнитного слоя,
pSi – компонент деформации пьезоэлектрического слоя,
pDk –

Слайд 6Метод номограмм
Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для

Слайд 7Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 10*10-22
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E

Слайд 8Зависимость поперечного МЭ коэффициента от
объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры с

X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
0,5
1
1,5
2
2,5
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
m
-12 2 -12 2
s11=1010 m /N;

Слайд 9Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
0
0,5
1
1,5
2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
6; 8; 10*10-22
2,5 1,8

1,6
E В/см Э
0
0,2
0,4
0,6
1

0,8
1,2
1,4
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
E

Слайд 10Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
1,4

1,2

1

0,8

0,6

0,4

0,2
1,6
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
ms11=2010-12 m2/N; ps11=20*10-12

Слайд 11Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 10*10-22
1,6 1,4
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
0 0,1 0,2
0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E В/см Э
v
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7
0,8 0,9 1
E

Слайд 12Зависимость поперечного МЭ коэффициента от объемной доли пьезоэлектрика для
симметричной структуры

с X=0,15; 0,5; 1; 2; 4;
6; 8; 1010-22
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
0 0,1 0,2 0,3 0,4 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1
v
E В/см Э
ms11=3510-12

Слайд 14Спасибо за внимание
Леонтьев Виктор Сергеевич Тел.: +7-906-200-41-27
E-mail: viktorsergeevich.novsu@gmail.com