Модули динамических оперативных ЗУ

запоминающего устройства, обычно ОЗУ. Кроме того, на модулях памяти могут

находиться и специальные микросхемы, служащие для опознавания типа модуля или для контроля достоверности данных.
Основными разновидностями модулей динамических оперативных ЗУ с момента их оформления в виде самостоятельных единиц были:
• 30-контактные однобайтные модули SIMM (DRAM)
• 72-контактные четырехбайтные модули SIMM (DRAM)
• 168-контактные восьмибайтные модули DIMM (SDRAM)
•184-контактные восьмибайтные модули DIMM (DDR SDRAM)
• 184-контактные (20 из них не заняты) двухбайтные модули RIMM RDDRAM).

Модули динамических оперативных ЗУ

рядом контактов, так как контакты краевого разъема модуля, расположенные в

одинаковых позициях с двух сторон платы, электрически соединены.
DIMM (Dual In-Line Memory Module) – модуль памяти с двумя рядами контактов.
RIMM (Dual In-line Memory Module) – модуль памяти типа Rambus.
Модуль называют односторонним если микросхемы памяти физически располагаются только с одной стороны платы, а если с двух сторон – двухсторонним. При равной емкости модулей, у двухстороннего модуля количество микросхем больше, поэтому на каждую линию шины данных приходится большая нагрузка, чем при использовании одностороннего. С этой точки зрения односторонние модули предпочтительней двусторонних. Однако количество банков в двусторонних модулях вдвое больше, чем в односторонних.

ее отсутствием) контроля хранимых данных. Контроль может основываться на использовании

дополнительных (по одному на каждый хранимый байт) битов четности, т.е. каждый байт занимает в памяти по 9 бит. Такой контроль позволяет выявить ошибки при считывании хранимой информации из памяти, но не исправить их.
Более сложный контроль предполагает использование кодов, корректирующих ошибки – ECC (Error Correcting Codes), которые позволяют обнаруживать ошибки большей кратности, чем одиночные, а одиночные ошибки могут быть исправлены. Кроме этого существуют и др. схемы контроля.
Модули DIMM различаются по наличию или отсутствию в них буферных схем на шинах адреса и управляющих сигналов. Небуферизованные (unbuffered) модули больше нагружают эти шины, но более быстродействующие и дешевые. Буферизованные (registered) имеют буферные регистры и, обеспечивая меньшую нагрузку на шины, позволяют подключить к ней большее количество модулей. Однако эти регистры несколько снижают быстродействие памяти, требуя лишнего такта задержки.

которого после включения компьютера определяется объем и тип установленной в

нем памяти.
В модулях SIMM стал использоваться так называемый параллельный метод идентификации (parallel presence detect), при котором краевой разъем модуля имел дополнительные контакты, используемые только для целей указания присутствия модуля в том слоте, где он установлен, его объема и времени обращения. В самых первых (30-контактных) модулях таких дополнительных контактов было только два, в 72-контактных модулях их стало четыре: два указывали на объем модуля и два – на время обращения.
Попытки использовать ввод дополнительных контактов в последующих модулях потребовали увеличения количества таких контактов, но решить все проблемы идентификации не смогли. Поэтому, начиная c модулей DIMM, используют так называемый последовательный способ идентификации (Serial Presence Detect – SPD), при котором на плату модуля устанавливается специальная дополнительная микросхема, так называемый SPD-чип, представляющая собой небольшую постоянную память на 128 или 256 байт с последовательным интерфейсом доступа. В этой микросхеме записана основная информация об изготовителе микросхемы и ее параметрах.

— используется для FPM DRAM и EDO DRAM
● 100-pin

DIMM — используется для принтеров SDRAM
● 144-pin SO-DIMM — используется для SDR SDRAM (иногда также для EDO RAM) в портативных компьютерах
● 168-pin DIMM — используется для SDR SDRAM (реже для FPM/EDO DRAM в рабочих станциях/серверах)
● 172-pin MicroDIMM — используется для DDR SDRAM
● 184-pin DIMM — используется для DDR SDRAM
● 200-pin SO-DIMM — используется для DDR SDRAM и DDR2 SDRAM
● 214-pin MicroDIMM — используется для DDR2 SDRAM
● 204-pin SO-DIMM — используется для DDR3 SDRAM
● 240-pin DIMM — используется для DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM и FB-DIMM DRAM