Удаление слоев (травление)

Содержание

1. Удаление слоев (травление)
2. Если скорость травления лимитируется процессами поступления травителя
3. Получение V-образных канавок в (100) SiПоверхность (100) пересекается четырьмя плоскостями (111)
4. Формирование мембраныp++SiO2SiSiO2
5. получение U-образных канавок в (110) Si Поверхность пересекается
6. Схема химико-динамического травления
7. Методы сухого травленияИонно-лучевое травлениеИонно-плазменное травление Травление по механизму
8. Анизотропия: A = 1 – vб
9. Профиль края элемента
10. Слайд 10
11. Слайд 11
12. Процессы создания ионов и радикалов в газовом
13. Энергия ионов ≥500 эВРабочее давление 0,133 – 13,3 Па
14. Плотность пучка ионов ≈ 1 мА /см Приклады-ваемое напряжение 500 В
15. Рабочее давление 13,3 – 1330 Па
16. Схема вакуумной камеры для радикального плазмохимического травления
17. Газы, применяемые для сухого травленияФоторезистO2
18. Механизмы влияния ионного облученияОбеспечивает диссоциацию молекул травящих
19. Ионно-ускоряемая реакцияЭнергия ионов 450 эВАтомарный FТравление Si
20. Ионно-возбуждаемая реакция Энергия ионов 450 эВАтомарный ClТравление Si
21. CF4 → F + CFX CFX + O2
22. Для уменьшения бокового травления добавляют C2F6 в
23. «Загрузочный эффект»
24. Побочные эффектыПовторное осаждениеОсаждение полимеровРадиационные поврежденияЗагрязнения материалом маски и т. д.
25. Определение момента окончания травления Регистрация оптического отраженияРегистрация концентрации травящих компонентовАнализ продуктов реакции
26. Скачать презентанцию

Если скорость травления лимитируется процессами поступления травителя или отвода продуктов реакции – травление изотропное сглаживание поверхности. Если скорость лимитируется химической реакцией:скорость травления зависит от ориентации подложки,травление селективное,проявляются дефекты,на скорость травления влияют тип

Главная
Разное
Удаление слоев (травление)

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Удаление слоев (травление)

Слайд 2 Если скорость травления лимитируется процессами поступления травителя или отвода продуктов

реакции –
травление изотропное сглаживание поверхности.
Если скорость лимитируется химической реакцией:
скорость

травления зависит от ориентации подложки,
травление селективное,
проявляются дефекты,
на скорость травления влияют тип примеси и уровень легирования.

травители для кремния:
НNO3 : НF
НNO3 : НF : СН3COOH
НNO3 : НF
КОН : H2O
H2NCH2CH2NH2 : С6Н4(ОН)2 : H2N-NH2

травители для оксида кремния
HF : NH4F : H2O
HF : HNO3 : H2O

Если скорость травления лимитируется процессами поступления травителя или отвода продуктов реакции – травление изотропное сглаживание поверхности. Если скорость

Слайд 3Получение V-образных канавок в (100) Si
Поверхность (100) пересекается четырьмя плоскостями

(111)

Получение V-образных канавок в (100) SiПоверхность (100) пересекается четырьмя плоскостями (111)

Слайд 4Формирование мембраны
p++
SiO2
Si
SiO2

Слайд 5 получение U-образных канавок в (110) Si

Поверхность пересекается шестью плоскостями (111)
(четыре

под углом 90о,
две под углом 35о 26’)
35о
109о 48’

получение U-образных канавок в (110) Si Поверхность пересекается шестью плоскостями (111) (четыре под углом 90о, две под углом 35о

Слайд 6Схема химико-динамического травления

Слайд 7Методы сухого травления
Ионно-лучевое травление
Ионно-плазменное травление
Травление по механизму физического распыления
Реактивное ионное

травление
Плазменное травление
Сочетание химических реакций в ходе которых образуются летучие или

квазилетучие соединения и физического воздействия ионной бомбардировки

A↓

S↑

Методы сухого травленияИонно-лучевое травлениеИонно-плазменное травление Травление по механизму физического распыленияРеактивное ионное травлениеПлазменное травление Сочетание химических реакций в ходе которых

Слайд 8Анизотропия: A = 1 – vб / vв
Селективность: Sfm

= vпл / vмаск
Sfs = vпл / vподл
Образование граней
А =

1
S ≈ 1

Анизотропия: A = 1 – vб / vвСелективность: Sfm = vпл / vмаск Sfs = vпл /

Слайд 9Профиль края элемента

Слайд 10

Слайд 11

Слайд 12Процессы создания ионов и радикалов в газовом разряде
Простая ионизация: Ar

+ e → Ar+ + 2e
O2 + e → O2+

+ 2e
Диссоциативная ионизация: CF4 + e → CF3+ + F + 2e
Диссоциативная ионизация с прилипанием:
CF4 + e → CF3+ + F- + e
Молекулярная диссоциация:O2 + e → 2O + e → O + O-
CF3Cl + e → CF3 + Cl + e
C2F6 + e → 2CF3 + e
Диссоциативная рекомбинация: e + O2+ → 2O
Диссоциативное прилипание: e + CF4 → CF3 + F-

Процессы создания ионов и радикалов в газовом разрядеПростая ионизация: Ar + e → Ar+ + 2e O2 +

Слайд 13Энергия ионов ≥500 эВ
Рабочее давление 0,133 – 13,3 Па

Слайд 14 Плотность пучка ионов ≈ 1 мА /см

Приклады-ваемое напряжение 500 В

Слайд 15Рабочее давление 13,3 – 1330 Па

Слайд 16Схема вакуумной камеры для радикального плазмохимического травления

Слайд 17 Газы, применяемые для сухого травления
Фоторезист
O2

Слайд 18Механизмы влияния ионного облучения
Обеспечивает диссоциацию молекул травящих газов
Создает дефекты на

поверхности, катализирующие хемосорбцию или реакцию
Способствует удалению нелетучих остатков

Механизмы влияния ионного облученияОбеспечивает диссоциацию молекул травящих газовСоздает дефекты на поверхности, катализирующие хемосорбцию или реакциюСпособствует удалению нелетучих

Слайд 19Ионно-ускоряемая реакция
Энергия ионов 450 эВ
Атомарный F
Травление Si

Слайд 20Ионно-возбуждаемая реакция
Энергия ионов 450 эВ
Атомарный Cl
Травление Si

Слайд 21 CF4 → F + CFX
CFX + O2 → COF2, CO,

CO2
2F + H2 → 2HF
CFX не травит Si,

но травит SiO2

CF4 → F + CFX CFX + O2 → COF2, CO, CO2 2F + H2 → 2HFCFX не

Слайд 22 Для уменьшения бокового травления добавляют C2F6 в Cl2

e + Cl2

→ 2Cl + e ионизация
Si+ X Cl → SiClX

травление

e + C2F6 → 2CF3 +e
CF3 + Cl → CF3Cl
подавляется ионным облучением

Для уменьшения бокового травления добавляют C2F6 в Cl2 e + Cl2 → 2Cl + e ионизация Si+ X

Слайд 23«Загрузочный эффект»

Слайд 24Побочные эффекты
Повторное осаждение
Осаждение полимеров
Радиационные повреждения
Загрязнения материалом маски и т. д.

Слайд 25Определение момента окончания травления
Регистрация оптического отражения
Регистрация концентрации травящих компонентов
Анализ продуктов

реакции

Определение момента окончания травления Регистрация оптического отраженияРегистрация концентрации травящих компонентовАнализ продуктов реакции

Скачать презентацию

Разделы презентаций

Удаление слоев (травление)

Содержание

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Удаление слоев (травление)

Слайд 2 Если скорость травления лимитируется процессами поступления травителя или отвода продуктов

реакции – травление изотропное сглаживание поверхности. Если скорость лимитируется химической реакцией:скорость

Слайд 3Получение V-образных канавок в (100) SiПоверхность (100) пересекается четырьмя плоскостями

(111)

Слайд 4Формирование мембраныp++SiO2SiSiO2

Слайд 5 получение U-образных канавок в (110) Si Поверхность пересекается шестью плоскостями (111) (четыре

под углом 90о, две под углом 35о 26’)35о109о 48’

Слайд 6Схема химико-динамического травления

Слайд 7Методы сухого травленияИонно-лучевое травлениеИонно-плазменное травление Травление по механизму физического распыленияРеактивное ионное

травлениеПлазменное травление Сочетание химических реакций в ходе которых образуются летучие или

Слайд 8Анизотропия: A = 1 – vб / vвСелективность: Sfm

= vпл / vмаск Sfs = vпл / vподлОбразование гранейА =

Слайд 9Профиль края элемента

Слайд 10

Слайд 11

Слайд 12Процессы создания ионов и радикалов в газовом разрядеПростая ионизация: Ar

+ e → Ar+ + 2e O2 + e → O2+

Слайд 13Энергия ионов ≥500 эВРабочее давление 0,133 – 13,3 Па

Слайд 14 Плотность пучка ионов ≈ 1 мА /см Приклады-ваемое напряжение 500 В

Слайд 15Рабочее давление 13,3 – 1330 Па

Слайд 16Схема вакуумной камеры для радикального плазмохимического травления

Слайд 17 Газы, применяемые для сухого травленияФоторезистO2

Слайд 18Механизмы влияния ионного облученияОбеспечивает диссоциацию молекул травящих газовСоздает дефекты на

поверхности, катализирующие хемосорбцию или реакциюСпособствует удалению нелетучих остатков

Слайд 19Ионно-ускоряемая реакцияЭнергия ионов 450 эВАтомарный FТравление Si

Слайд 20Ионно-возбуждаемая реакция Энергия ионов 450 эВАтомарный ClТравление Si

Слайд 21 CF4 → F + CFX CFX + O2 → COF2, CO,

CO2 2F + H2 → 2HFCFX не травит Si,

Слайд 22 Для уменьшения бокового травления добавляют C2F6 в Cl2 e + Cl2

→ 2Cl + e ионизация Si+ X Cl → SiClX