Вводная лекция

элементов и узлов ЭВМ
3) Система элементов (СЭ) ЭВМ. Основные требования

к системам элементов
4)  Статические и динамические параметры и характеристики элементов ЭВМ

и исследования схем
электронных устройств радиотехники и связи, вычислительной
техники, автоматики и

др. областей техники.
Опр. (Науч.-техн. Словарь) Схемотехника - научно-техническое
направление, охватывающее проблемы анализа и синтеза
электронных устройств радиотехники, связи, автоматики, вычислит.
техники с целью обеспечения оптимального выполнения ими
заданных функций.

Основная задача: синтез (определение структуры) электронных схем, обеспечивающих выполнение определенных функций и расчет параметров, входящих в них элементов

электронные лампы.
2. Полупроводниковые транзисторы (1955-1965) — в 1947 году Уильям

Шокли, Джон Бардин и Уолтер Браттейн в лабораториях Bell Labs создали биполярный транзистор.
3. ИМС (интегральные микросхемы) малой и средней степени
интеграции (1965-1980). МИС и СИС имели до 100 и до 1000 элементов на кристалле (соответственно).
4. БИС/СБИС (большая и свехбольшая ИС) (1980- наст. вр.) имеют до 10К/1 М элементов на крисстале. Для более крупных были обозначения УБИС (ультрабольшая ИС) и ГБИС (гигабольшая ИС)

проводят ее детализацию. Как правило, в структуре ЭВМ выделяют следующие

структурные единицы:
Элементы- предназначается для обработки единичных электрических сигналов, соответствующих битам информации.
Узлы- обеспечивают одновременную обработку группы сигналов - информационных слов,
Блоки-  реализуют некоторую последовательность в обработке информационных слов - функционально обособленную часть машинных операций
Устройства- предназначаются для выполнения отдельных машинных операций и их последовательностей,

ЭВМ обеспечивает преобразование входной информации «Х» в выходную «У» .Все

современные вычислительные машины строятся на комплексах системах интегральных микросхем (ИС). Электронная микросхема называется интегральной, если ее компоненты и соединения между ними выполнены в едином технологическом цикле, на едином основании и имеют общую герметизацию и защиту от механических воздействий. Каждая микросхема представляет собой миниатюрную электронную схему, сформированную послойно в кристалле полупроводника: кремния, германия и т.д. В состав микропроцессорных наборов включаются различные типы микросхем, но все они должны иметь единый тип межмодульных связей, основанный на стандартизации параметров сигналов взаимодействия (амплитуда, полярность, длительность импульсов и т.п.).

признакам. Наиболее часто такими признаками являются:
I. ПО НАЗНАЧЕНИЮ:
- логические, в

них входные сигналы преобразуются в выходные по законам алгебры логики;
- запоминающие, в них значение сигналов сохраняется определенное время;
- вспомогательные, в них входные сигналы преобразуются из одной формы в другую, без изменения содержания, например - усиливаются.

смешанные.
III. ПО СТЕПЕНИ ИНТЕГРАЦИИ (количеству компонентов (диодов, транзисторов),

размещаемых на кристалле заданной площади):
- малой степени интеграции (МИС),(SSI - Small scale integration)до 100 компонентов;
- средней степени интеграции (СИС), (MSI - Medium ...)от 101 до 1000 компонентов;
- большой степени интеграции (БИС), (LSI - Large ...)от 1001 до 10 000 компонентов;
- сверх большой степени интеграции (СБИС), (VLSI - Vary ...)более 10 000 компонентов.
По мере совершенствования технологии изготовления ИМС, границы могут изменяться.

- это совокупность ИМС, которые могут выполнять различные функции, имеют

единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначены для совместного использования. ИМС одной серии согласуются по физическим параметрам базовых логических элементов (Vсс, VН, VL и др.)При создании ЦУ целесообразно использовать ИМС одной серии (технологии).
БАЗОВЫМ ЛЭ считается тот ЛЭ, параметры которого наиболее полно характеризуют физические свойства большинства ИМС данной серии.

серий
(технологий ) ИМС, наиболее широкое применение находят:
а) выполненные на

основе биполярных многоэмиттерных n-p-n и p-n-p транзисторах:
- технология транзисторно-транзисторной логики (ТТЛ, 1963 г.);
- технология эмиттерно-связной логики (ЭСЛ, 1970 г.);
б) выполненные на основе униполярных полевых n- и p- канальных транзисторах, иначе на МОП-транзисторах:
- комплиментарная МОП технология (1968 г.);
- n-МОП технология.
Причем каждая из этих технологий имеет несколько разновидностей.

ИС состоит из 4-х элементов:

1,5,7 - полупроводниковые ИС, в них все элементы и

межэлементные связи (соединения) выполнены в объеме и на поверхности полупроводника.
3 - пленочные ИС, в них все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде пленок.
2,4,6,8 - гибридные ИС;
-2-ой элемент обозначает порядковый номер серии; ЗАМЕЧАНИЕ:1-ый и 2-ой элементы вместе образуют номер серии ИМС.

назначение, причем:
первая буква определяет подгруппу, например:

В - схемы вычислительных средств;
И - схемы арифметических и дискретных устройств;
Л - логические элементы;
Р - схемы ЗУ;
Т - триггеры; и другие.

каждой подгруппы свой перечень), например подгруппа логических элементов обозначена "Л",

а внутри этой подгруппы имеются следующие виды:
ЛИ - элемент И; ЛА - И-НЕ;
ЛН - НЕ; ЛР - И-ИЛИ-НЕ;
ЛЛ - ИЛИ; ЛД - расширители; и др.
Подгруппа И - схемы цифровых устройств, например:
ИР - регистры; ИМ - сумматоры;
ИЛ - полусумматоры; ИЕ - счетчики;
ИВ - шифраторы; ИД - дешифраторы; и др.
Подгруппа Т - триггеры:
ТВ - универсальные типа JK; ТТ - счетные типа Т;
ТМ - с задержкой типа D; ТЛ - Шмитта; и др.

в серии.

Для ИС широкого применения перед обозначением ставится буква К.
В

обозначении ИС, отличающихся только конструктивным исполнением, перед номером серии добавляются буквы, определяющие конструктивное исполнение корпуса:
Р - пластмассовый;
М - керамический;
Е - металлический;
А - планарный;
И - стеклокерамический.
Например: КР 155 ЛА2 - широкого применения, в пластмассовом корпусе по полупроводниковой технологии, 8 ЛЭ "И-НЕ" 155 серии.

функционально-логическую схему ЭВМ. Минимальный (по числу типов элементов) функционально полный (с

точки зрения выполнения логических операций) набор состоит из элементов типа «и — не» либо «или — не». Все элементы одной системы выполняются совместимыми по уровням сигналов, временным характеристикам, требованиям к источникам питания. ЭВМ может быть построена на нескольких СЭ в соответствии с требованиями, предъявляемыми к быстродействию на каждом из уровней функциональной схемы машины. В этом случае в СЭ вводятся также специальные согласующие элементы.

элементов реализовать любую, сколь угодно сложную ФАЛ; реализуется функционально полным

набором логических элементов.
Техническая полнота - свойство системы элементов реализовать помимо логических другие функции, в том числе вспомогательные и специальные. К этим функциям относятся преобразование уровней сигналов, обеспечение нагрузочной способности, восстановление сигналов по форме и амплитуде, генерация сигналов, индикация состояния запоминающих элементов, формирование сигналов записи и считывания информации запоминающих устройств.

что электрические параметры входных и выходных сигналов должны быть выбраны

так, чтобы обеспечить непосредственное соединение выхода одного элемента со входами других элементов. Для нормального совместного функционирования элементов уровни входных и выходных напряжений логических сигналов должны лежать в зоне отображения 0 и 1. Принцип совместимости входных и выходных сигналов должен выполняться при воздействии на элемент допустимых нагрузок и дестабилизирующих факторов (изменение напряжений питания, температуры окружающей среды, наличие помех, старение электрорадиоэлементов и др.).

ряд параметров (характеристик), знание, которых необходимо для правильной

эксплуатации и проектирования цифровых устройств.
СТАТИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ ИМС.
1 .Входные и выходные НАПРЯЖЕНИЯ высокого и низкого уровней:
Для ТТЛ VIH  2,0 В, VOH  2,4 В,
VIL  0,8 В, VOL  0,4 В ,

выходные ТОКИ высокого и низкого уровней:
Для ТТЛ

IIH  0,04 мА, IOH  0,4 мА
IIL  1,6 мА, IOL  16 мА
3.МОЩНОСТЬ, потребляемая от источника питания РСС.
Статическая мощность потребляется ЛЭ (ИМС), который не переключается, т.е. находится в 1/0 состоянии, поэтому в качестве основного параметра приводят среднюю потребляемую мощность: Pcc=(P0+P1)/2
4.ПОМЕХОУСТОЙЧИВОСТЬ или допустимые напряжения помех - V.
Это такая величина помехи, которая не может привести к изменению состояния ЛЭ (ИМС):
Для ТТЛ VH = VOH - VIH = 2,4 B - 2,0 B = 0,4 B;
 VL = VOL - VIL = 0,8 B - 0,4 B = 0,4 B.
5.НАГРУЗОЧНАЯ СПОСОБНОСТЬ - n.
Это максимальное число входов ЛЭ, которое допустимо подключать к выходу аналогичного ЛЭ. Определяется током, который может быть отдан логическим элементом во внешние цепи (нагрузку) или принят от нее.
Для ТТЛ n = IOH / IIH = IOL / IIL = 0,4/0,04 мА = 16/1,6 мА =10 ЛЭ.
При помощи спец. ИМС - расширителей, возможно увеличение числа n, однако большое число входов снижает помехоустойчивость и уменьшает быстродействие.

оно оценивается максимальной тактовой ЧАСТОТОЙ переключения - Fmax, для ЛЭ

- СРЕДНИМ ВРЕМЕНЕМ ЗАДЕРЖКИ СИГНАЛОВ - tp, оно определяется как среднее время перехода логических элементов из состояния "0" в состояние "1" и обратно: tp=(tpHL + tpLH)/2.

По этому признаку ИС условно подразделяют на:
сверхскоростны tр < 3нс
скоростные 3 < tр < 10нс;
среднескоростные 10 < tр < 50нс;
медленнодействующие tр >50нс.