Разделы презентаций


Типы интегральных схем

Содержание

p-n переход Полупроводники, из которых изготовляют транзисторы и диоды, разделяются на полупроводники с электронной - n( negative - отрицательный) и дырочной – p (positive – положительный) проводимостью. Принцип действия полупроводниковых диодов

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Типы интегральных схем
Дополнительный материал по теме: “Полупроводники”
Учитель физики

Кюкяйской СОШ Сунтарского улуса
Республики Саха Федоров А. М.

Типы интегральных схем Дополнительный материал по теме: “Полупроводники” Учитель физики Кюкяйской СОШ Сунтарского улусаРеспублики Саха Федоров А.

Слайд 2p-n переход
Полупроводники, из которых изготовляют транзисторы и диоды,
разделяются

на полупроводники с электронной - n( negative -
отрицательный) и

дырочной – p (positive – положительный) проводимостью. Принцип действия полупроводниковых диодов основан на свойствах p-n перехода, когда в контакте находятся два полупроводника p и n типа. В месте контакта происходит диффузия положительных зарядов (дырок) из области p в область n, а электронов обратно, из n в p. Однако без внешнего воздействия процесс стабилизируется, потому что образуется так называемый запирающий слой.





__ __ __ __ __ __ __ __

n

p

+ + + + + +

_ _ _ _ _ _

+ + + + + + + + + + + + + +





p-n переход Полупроводники, из которых изготовляют транзисторы и диоды, разделяются на полупроводники с электронной - n( negative

Слайд 3Полупроводниковые диоды
При подключении к области p “ плюса “

источника электрического тока, а к n “минуса”, запирающий слой разрушится,

такой диод будет проводить ток. Если осуществить подключение источника питания наоборот, т. е. к p – “минус”, а к n – “плюс”, то ток будет фактически равен нулю. Это основное
свойство полупроводниковых диодов позволяет применять их в качестве выпрямителей тока. Большинство полупроводников делается из кремния и германия с различными добавками, из оксидов некоторых металлов. В зависимости от добавок они имеют n- или p-тип.







А

К

прямое вкл







обратное вкл

Полупроводниковые диоды При подключении к области p “ плюса “ источника электрического тока, а к n “минуса”,

Слайд 4Транзистор
Транзистор представляет собой трехслойную структуру из таких же полупроводниковых материалов,

однако в основе его работы лежит не один, а два

p-n перехода. Внешние слои называют эмиттером и коллектором, а средний (обычно очень тонкий, порядка нескольких микрон) слой – базой.
ТранзисторТранзистор представляет собой трехслойную структуру из таких же полупроводниковых материалов, однако в основе его работы лежит не

Слайд 5Биполярный транзистор
Тип n – p – n
Тип

p – n – p
n
p
n
p
n
p
Э
Б
К
Основной недостаток биполярного транзистора –

большое потребление энергии и выделение тепла.
Биполярный транзистор Тип n – p – n  Тип p – n – p npnpnpЭБКОсновной недостаток

Слайд 6Полевой транзистор

В качестве альтернативы был разработан полевой транзистор. Он

представляет собой однополярный полупроводниковый прибор, выводы которого называются исток, сток,

затвор. При подаче напряжения на затвор и сток( или соответственно исток) носители заряда, электроны в областях с проводимостью n- типа (или дырки в областях с проводимостью p- типа), проходят через возникающий под затвором тонкий проводящий канал.
Полевой транзистор В качестве альтернативы был разработан полевой транзистор. Он представляет собой однополярный полупроводниковый прибор, выводы которого

Слайд 7МОП - транзисторы
Полевые транзисторы с изолированным затвором – МДМ(металл


диэлектрик – полупроводник). МОП- транзисторы более экономичны.
Транзистор, изобретенный в

1948 г., лежит в основе всех современных микросхем и микропроцессоров. Его авторы- Уильям Шокли, Уолтер Браттейн, Джон Бардин получили Нобелевскую премию по физике в 1956 г.
МОП - транзисторы Полевые транзисторы с изолированным затвором – МДМ(металл –диэлектрик – полупроводник). МОП- транзисторы более экономичны.

Слайд 8Применение транзисторов в вычислительной технике
Состояние транзистора, когда через коллектор течет

большой ток, можно условно принять за 1, а малый –

за 0.
Вначале транзисторы изготовлялись как отдельные элементы и представляли собой цилиндры диаметром в десяток миллиметров с несколькими проволочными выводами.
Применение транзисторов в вычислительной техникеСостояние транзистора, когда через коллектор течет большой ток, можно условно принять за 1,

Слайд 9ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯ

Полупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на

одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида галлия).
Плёночная микросхема —

все элементы и межэлементные соединения выполнены в виде плёнок:
толстоплёночная интегральная схема;
тонкоплёночная интегральная схема.
Гибридная микросхема — кроме полупроводникового кристалла содержит несколько бескорпусных диодов, транзисторов и(или) других электронных компонентов, помещённых в один корпус.

ТЕХНОЛОГИЯ ИЗГОТОВЛЕНИЯПолупроводниковая микросхема — все элементы и межэлементные соединения выполнены на одном полупроводниковом кристалле (например, кремния, германия, арсенида

Слайд 10Классификация микросхем
В СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости

от степени интеграции (указано количество элементов для цифровых схем):
Малая интегральная

схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле.
Средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле.
Большая интегральная схема (БИС) — до 10000 элементов в кристалле.
Сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — до 1 миллиона элементов в кристалле.
Ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — до 1 миллиарда элементов в кристалле.
Гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 миллиарда элементов в кристалле.
В настоящее время название ГБИС практически не используется (например, последние версии процессоров Pentium 4 содержат пока несколько сотен миллионов транзисторов), и все схемы с числом элементов, превышающим 10 000, относят к классу СБИС, считая УБИС его подклассом.

Интегральная микросхема может обладать законченным, сколь угодно сложным, функционалом — вплоть до целого микрокомпьютера (однокристальный микрокомпьютер).

Классификация микросхемВ СССР были предложены следующие названия микросхем в зависимости от степени интеграции (указано количество элементов для

Слайд 11Корпуса микросхем
Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и

бескорпусном.
Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для монтажа в гибридную

микросхему или микросборку.
Корпус — это часть конструкции микросхемы, предназначенная для защиты от внешних воздействий и для соединения с внешними электрическими цепями посредством выводов. Корпуса стандартизованы для упрощения технологического процесса изготовления изделий из разных микросхем. Число стандартных корпусов исчисляется сотнями.
В российских корпусах расстояние между выводами измеряется в миллиметрах и наиболее часто это 2,5 мм или 1,25 мм. У импортных микросхем расстояние измеряют в дюймах, используя величину 1/10 или 1/20 дюйма, что соответствует 2,54 и 1,28 мм. В корпусах до 16 выводов эта разница не значительна, а при больших размерах идентичные корпуса уже несовместимы.
В современных импортных корпусах для поверхностного монтажа применяют и метрические размеры: 0,8 мм; 0,65 мм и другие.
Корпуса микросхем Микросхемы выпускаются в двух конструктивных вариантах — корпусном и бескорпусном.Бескорпусная микросхема — это полупроводниковый кристалл, предназначенный для

Слайд 12Вид обрабатываемого сигнала
Все микросхемы подразделяют на две группы - аналоговые

и цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для работы с непрерывными во

времени сигналами. К их числу можно отнести усилители радио-, звуковой и промежуточной частот, операционные усилители, стабилизаторы напряжения и др. Для аналоговых микросхем характерно то, что входная и выходная электрические величины могут иметь любые значения в заданном диапазоне. В цифровых же микросхемах входные и выходные сигналы могут иметь один из двух уровней напряжения: высокий или низкий. В первом случае говорят, что мы имеем дело с высоким логическим уровнем, или логической 1, а во втором - с низким логическим уровнем, или логическим 0.

В основу работы цифровых микросхем положена двоичная система счисления. В этой системе используются две цифры: 0 и 1. Цифра 0 соответствует отсутствию напряжения на выходе логического устройства, 1 - наличию напряжения. С помощью нулей и единиц двоичной системы можно записать (закодировать) любое десятичное число. Так, для записи одноразрядного десятичного числа требуются четыре двоичных разряда. Сказанное поясняется табл. 1.

Вид обрабатываемого сигналаВсе микросхемы подразделяют на две группы - аналоговые и цифровые. Аналоговые микросхемы предназначены для работы

Слайд 13
В первом столбце таблицы (ее называют таблицей истинности) записаны десятичные

числа от 0 до 9, а в последующих четырех столбцах

- разряды двоичного числа. Видно, что число в последующей строке получается в результате прибавления 1 к первому разряду двоичного числа. С помощью четырех разрядов можно записать числа от 0000 до 1111, что соответствует диапазону чисел от 0 до 15 в десятичной системе. Таким образом, если двоичное число содержит N разрядов, то с его помощью можно записать максимальное десятичное число, равное 2^(N-1). По таблице также несложно заметить, как можно перевести число из двоичной системы в десятичную. Для этого достаточно сложить степени числа 2, соответствующие тем разрядам, в которых записаны логические 1. Так, двоичное число 1001 соответствует десятичному числу 9 (2^3 + 2^0).
Двоичную систему счисления используют в большинстве современных цифровых вычислительных машин.
В первом столбце таблицы (ее называют таблицей истинности) записаны десятичные числа от 0 до 9, а в

Слайд 14СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!

СПАСИБО ЗА ВНИМАНИЕ!

Теги

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика