Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Урок-исследование "Полупроводниковые приборы"
Содержание
- 1. Урок-исследование "Полупроводниковые приборы"
- 2. Цель: изучения принципа действия и строения полупроводниковых
- 3. Полупроводниковые приборы. «Полупроводниковые приборы» - это перспективная ветвь развития электротехники.ПолупроводникиТриодыДиодыТранзисторыРезисторыИнтегральные микросхемыФотоэлектрические полупроводниковые приборы
- 4. Виды проводимостиПримеснаяЭлектроннаяДырчатаяНе основные носители заряда
- 5. Примесная электропроводностьсоздаётся путём добавления к тщательно очищенному полупроводнику весьма малого количества примеси.
- 6. ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
- 7. Биполярные транзисторы Биполярный транзистор можно условно рассматривать
- 8. ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ В современных электронных вычислительных машинах
- 9. ВЫВОДЫ 1. Средствами электротехники относительно быстро
- 10. 8. В настоящее время широко применяют несколько
- 11. 13. Интегральные микросхемы представляют собой усилительные устройства.14.
- 12. Скачать презентанцию
Цель: изучения принципа действия и строения полупроводниковых приборов. Задачи:∙ виды электропроводности;∙ полупроводники их свойства и применение;принципы работы полупроводниковых приборов
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Полупроводниковые приборы
урок –исследование по физике. 9 класс
Берюмова Ольга Николаевна, учитель
физики МОУ СОШ № 22 Курского муниципального района Ставропольского края
Слайд 2Цель: изучения принципа действия и строения полупроводниковых приборов.
Задачи:
∙ виды
электропроводности;
∙ полупроводники их свойства и применение;
принципы работы полупроводниковых приборов
Слайд 3Полупроводниковые приборы.
«Полупроводниковые приборы» - это перспективная ветвь развития электротехники.
Полупроводники
Триоды
Диоды
Транзисторы
Резисторы
Интегральные
микросхемы
Фотоэлектрические полупроводниковые приборы
Слайд 5Примесная электропроводность
создаётся путём добавления к тщательно очищенному полупроводнику весьма малого
количества примеси.
Слайд 6ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ
ДИОДЫ
В пластине полупроводника,
на границе между двумя слоями с различного рода электропроводностями, образуется
электронно-дырочный переход, называемый также р-п-переходом или запирающим слоем.
Слайд 7Биполярные транзисторы
Биполярный транзистор можно условно рассматривать как соединение полупроводниковых
диодов.
* Термин «транзистор», образованный путем слияния двух английских
слов transfer-передача и resistor- сопротивление, надо понимать как передающее сопротивление.. 
Слайд 8ИНТЕГРАЛЬНЫЕ МИКРОСХЕМЫ
В современных электронных вычислительных машинах количество пассивных (резисторов,
конденсаторов) и активных (диодов, транзисторов) элементов достигает миллионов.
Слайд 9 ВЫВОДЫ
1. Средствами электротехники относительно быстро решаются важнейшие технические
проблемы в народном хозяйстве.
2. Полупроводниковые приборы вытеснили электронные лампы
и ионные приборы3. Электрическая проводимость полупроводников с повышение температуры уменьшается.
4. Чем лучше очистка полупроводника, тем выше его удельное сопротивление.
5. На практике используется исключительно примесная электропроводность полупроводников,
6. Размеры диода зависят от допустимой для данного типа диодов плотности тока.
7. Чем больше нагревостойкость диода, тем меньше могут быть его габариты при том же КПД
Слайд 108. В настоящее время широко применяют несколько видов полупроводниковых диодов:
селеновые, германиевые, кремниевые, редко из арсенида галлия.
9.
Применение электронных устройств приводит к непрерывному усложнению их схем и к увеличению количества используемых в них элементов. 10 В современных электронных вычислительных машинах количество пассивных (резисторов, конденсаторов) и активных (диодов, транзисторов) элементов достигает миллионов.
11 Разработаны новые принципы создания электронных устройств на базе элементной интеграции .
12 Электронные устройства на полупроводниковых интегральных микросхемах могут иметь плотность монтажа до 500 элементов в 1 см3.
Слайд 1113. Интегральные микросхемы представляют собой усилительные устройства.
14. Они обладают большим
быстродействием и высокой надежностью (безотказностью в работе). Современные интегральные микросхемы
могут содержать более 1000 элементов.15. Большие интегральные микросхемы рассчитаны на очень небольшую мощность — десятые доли ватта.
