1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Содержание

1. 1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности
2. Атомно-гладкая поверхностьa0 – постоянная решетки;  –
3. T=575C2 часаT=650C2 часаИзображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым
4. Атомная структура поверхности GaAs(001) Структура GaAs(001) Вид
5. Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)димерНереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)Атомная структура поверхности GaAs(001)
6. Атомные реконструкции поверхности GaAs(001) картины дифракции электронов
7. Слайд 7
8. Профиль электронной плотности у поверхности металла
9. Слайд 9
10. Слайд 10
11. Поверхностные электронные состояния
12. Поверхностные состояния в полупроводниках
13. Зонная диаграмма поверхности полупроводника
14. Слайд 14
15. Слайд 15
16. Слайд 16
17. Слайд 17
18. Слайд 18
19. Слайд 19
20. Слайд 20
21. Слайд 21
22. Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии
23. Вольт-амперные характеристики туннельного диода
24. Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода Обратное смещениеРавновесиеV=0
25. Слайд 25
26. Слайд 26
27. Слайд 27
28. Слайд 28
29. Слайд 29
30. Экскурсия 2 декабря (четверг): 10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние светаНОЦ НГУ
31. Слайд 31
32. Слайд 32
33. Слайд 33
34. Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур
35. Слайд 35
36. Скачать презентанцию

Атомно-гладкая поверхностьa0 – постоянная решетки;  – угол разориентации относительно сингулярной грани; tg=a0 /b, b – ширина террас Вид сверху: Прямолинейные ступени(разориентация в направлении [10]) [10][01]q

Главная
Разное
1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Слайды и текст этой презентации

Слайд 11. Поверхность металлов и полупроводников
Атомная структура поверхности кристалла
Барьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.
Поверхностные электронные состояния.
Изгиб зон, распределение

заряда, поля и и потенциала вблизи поверхности.

Поверхностные и контактные
явления в полупроводниках

2. Контакт металл-полупроводник (барьер Шоттки)
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика

3. Электрон-дырочный (p-n) переход
Энергетическая диаграмма
Вольт-амперная характеристика
Инжекция неосновных носителей заряда
Емкость p-n перехода

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристаллаБарьер для электронов на поверхности. Работа выхода.Поверхностные электронные состояния.

Слайд 2Атомно-гладкая поверхность
a0 – постоянная решетки;  – угол разориентации относительно

сингулярной грани; tg=a0 /b, b – ширина террас
Вид сверху:

Прямолинейные ступени
(разориентация в направлении [10])

[10]

[01]

Атомно-гладкая поверхностьa0 – постоянная решетки;  – угол разориентации относительно сингулярной грани; tg=a0 /b, b – ширина

Слайд 3T=575C
2 часа
T=650C
2 часа
Изображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и

после нагрева в равновесных условиях
Исходная поверхность
3 мкм
V.L. Alperovich,

I.O. Akhundov, N.S. Rudaya, D.V. Sheglov, E.E. Rodyakina,
A.V. Latyshev, and A.S. Terekhov, Appl. Phys. Lett. 94, 101908 (2009)

Как приготовить поверхность с атомно-гладкими террасами, разделенными моноатомными ступенями?

Нагреть до высокой температуры – позволить атомам диффундировать!

T=575C2 часаT=650C2 часаИзображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и после нагрева в равновесных условиях Исходная поверхность

Слайд 4Атомная структура поверхности GaAs(001)
Структура GaAs(001)
Вид сверху
1. Симметрия поверхности

GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка,

а на поверхности – только 2 порядка.

2. Соседние пары атомов на поверхности (001) взаимно насыщают «болтающиеся» орбитали и образуют димеры.

3. Образуются сложные реконструкции (m x n), где числа m и n – кратности увеличения периода поверхностной ячейки по отношению к объемной.

Слайд 5Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)
димер
Нереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)
Атомная

структура поверхности GaAs(001)

Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)димерНереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)Атомная структура поверхности GaAs(001)

Слайд 6Атомные реконструкции поверхности GaAs(001) картины дифракции электронов
Увеличение периода поверхностной кристаллической

ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки (и уменьшению расстояния между

дифракционными рефлексами)

Атомные реконструкции поверхности GaAs(001) картины дифракции электронов Увеличение периода поверхностной кристаллической ячейки соответствует уменьшению периода обратной решетки

Слайд 7

Слайд 8Профиль электронной плотности у поверхности металла

Слайд 9

Слайд 10

Слайд 11Поверхностные электронные состояния

Слайд 12Поверхностные состояния в полупроводниках

Слайд 13Зонная диаграмма поверхности полупроводника

Слайд 22Туннельный диод: зонная диаграмма в равновесии

Слайд 23Вольт-амперные характеристики туннельного диода

Слайд 24Объяснение вольт-амперной характеристики туннельного диода
Обратное смещение
Равновесие
V=0

Слайд 30Экскурсия 2 декабря (четверг):
10:00 Милехин Александр Германович, комбинационное рассеяние

света
НОЦ НГУ

Слайд 34Экскурсии 11 ноября (четверг):
10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в

низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)
15:00 Шкляев Александр Андреевич,

вакуумный сканирующий туннельный микроскоп (СТМ). НОЦ НГУ, к. 34

Экскурсии 11 ноября (четверг): 10:00 Погосов Артур Григорьевич, транспорт в низкоразмерных структурах. ЛТК (сбор в фойе ЛТК)15:00

Слайд 35

Скачать презентацию

Разделы презентаций

1. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности

Содержание

Слайды и текст этой презентации

Слайд 11. Поверхность металлов и полупроводников Атомная структура поверхности кристаллаБарьер для

электронов на поверхности. Работа выхода.Поверхностные электронные состояния. Изгиб зон, распределение

Слайд 2Атомно-гладкая поверхностьa0 – постоянная решетки;  – угол разориентации относительно

сингулярной грани; tg=a0 /b, b – ширина террас Вид сверху:

Слайд 3T=575C2 часаT=650C2 часаИзображения поверхности GaAs, полученные атомно-силовым микроскопом до и

после нагрева в равновесных условиях Исходная поверхность 3 мкмV.L. Alperovich,

Слайд 4Атомная структура поверхности GaAs(001) Структура GaAs(001) Вид сверху1. Симметрия поверхности

GaAs(001) ниже, чем объёма: в объёме есть ось 4 порядка,

Слайд 5Реконструированная поверхность GaAs(001)-(2x4)/c(2x8)димерНереконструированная поверхность GaAs(001), вид сверху на плоскость (001)Атомная