Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Биполярные транзисторы
Содержание
- 1. Биполярные транзисторы
- 2. Структура реального БТСильнолегированная область с меньшей площадью
- 3. Схемы включения БТс общим коллектором (ОК)с общей базой (ОБ) с общим эмиттером (ОЭ)
- 4. Режимы работы БТВ общем случае возможно четыре
- 5. В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном
- 6. Физические процессы в БТ.
- 7. Физические процессы в БТ.В нормальном активном режиме
- 8. Физические процессы в БТ.Ток подходящих к коллекторному
- 9. Физические процессы в БТ.Отношение дырочной составляющей коллекторного
- 10. Связь тока базы с током эмиттераПри IЭ
- 11. Скачать презентанцию
Структура реального БТСильнолегированная область с меньшей площадью (n1+) называется эмиттеромОбласть n2 - коллектором. Область (p) называется базовой (или базой)
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Биполярные транзисторы
n-p-n
p-n-p
Биполярным транзистором (БТ) называется трехэлектродный полупроводниковый прибор
Слайд 2Структура реального БТ
Сильнолегированная область с меньшей площадью (n1+) называется эмиттером
Область
n2 - коллектором.
Область (p) называется базовой (или базой)
Слайд 4Режимы работы БТ
В общем случае возможно четыре варианта полярностей напряжения
переходов, определяющих четыре режима работы транзистора:
нормальный активный режим,
инверсный
активный режим, режим насыщения (или режим двухсторонней инжекции),
режим отсечки.
Слайд 5В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном переходе действует прямое
напряжение (напряжение эмиттер - база UЭБ), а на коллекторном переходе
- обратное (напряжение коллектор - база UКБ).Если на коллекторный переход подать прямое напряжение UКБ, а на эмиттерный - обратное UЭБ, то такой режим работы называется инверсным активным режимом (ИАР).
Режим работы, когда напряжения на эмиттерном и коллекторном переходах являются прямыми одновременно, называют режимом двухсторонней инжекции (РДИ) или режимом насыщения (РН)
Режим, когда на обоих переходах одновременно действуют обратные напряжения, называют режимом отсечки (РО), так как в этом случае через переходы протекают малые обратные токи.
Слайд 7
Физические процессы в БТ.
В нормальном активном режиме (НАР) на эмиттерном
переходе действует прямое напряжение UЭБ. Поэтому прямой ток перехода
где Iэр,
Iэn - инжекционные токи дырок (из эмиттера в базу) и электронов (из базы в эмиттер), а Iэ рек - составляющая тока, вызванная рекомбинацией в переходе тех дырок и электронов, энергия которых недостаточна для преодоления потенциального барьераЭффективность работы эмиттерного перехода учитывается коэффициентом инжекции эмиттера
Слайд 8
Физические процессы в БТ.
Ток подходящих к коллекторному переходу дырок
Относительные потери
на рекомбинацию в базе учитывают коэффициентом переноса:
Ток за коллекторным переходом:
Слайд 9
Физические процессы в БТ.
Отношение дырочной составляющей коллекторного тока к полному
току эмиттера называет статическим коэффициентом передачи тока эмиттера
Полный ток коллектора:
Обычно
используемое выражение для статического коэффициента передачи тока
Слайд 10
Связь тока базы с током эмиттера
При IЭ = 0 (холостой
ход)
IБ = -IКБО
связь IК с IБ
статический коэффициент передачи тока базы
значение
тока коллектора при нулевом токе базы (IБ = 0)
