Разделы презентаций


Двойной электрический слой на границе раздела твердое тело / раствор электролита

Содержание

Механизмы образования ДЭС:а) преимущественная адсорбция одного вида ионов из раствора электролита на твердую фазу ; b) диссоциация молекул поверхностного слоя твердой фазы

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Двойной электрический слой на границе раздела твердое тело / раствор

электролита

μiж ≠ μiт

В случае переноса заряженных ионов электрохимический потенциал (VII.1) μi = μi + ziF ψ , где
zi — валентность i – го компонента ; F – число Фарадея ; ψ – электрический потенциал .
Условия равновесия при образовании ДЭС
μiт + ziF ψт = μiж + ziF ψж

Обозначив μiт — μiж = ∆μi , а ψт — ψж = ∆ψ, получим выражение для межфазного скачка потенциала :
(VII.2) ∆ψ = — ∆μi / ziF .

Двойной электрический слой на границе раздела твердое тело / раствор электролита

Слайд 2 Механизмы

образования ДЭС:
а) преимущественная адсорбция одного вида ионов из раствора электролита

на твердую фазу ;
b) диссоциация молекул поверхностного слоя твердой фазы с выходом менее прочно связанного вида ионов в раствор .

AgNO3 + KI = AgI↓ + KNO3

Пр AgI = 10-16

Если взять СAg+= 10-13 н., тогда как СI─ = 10-3 н., то в этом случае твердая фаза AgI будет заряжаться отрицательно, а из раствора к этой твердой фазе будут притягиваться уже положительно заряженные ионы K+.

Если поменять концентрации, взяв СAg+= 10-3 н.,
а СI─ = 10-13 н., то в этом случае твердая фаза AgI будет заряжаться положительно.

Механизмы образования ДЭС:а) преимущественная адсорбция одного вида ионов

Слайд 3K+
K+
K+
Твердое тело
Ag+
K+
Ag+
Ag+
Ag+
Ag+
Ag+
Ag+
I-
I-
I-
I-
Ag+
I-
I-
I-
I-
I-
I-
I-
I-
I-
I-
I-
I-
Раствор электролита
K+
K+
K+
K+
NO3-
K+
K+
K+
K+
K+
K+
NO3
K+
K+
NO3
K+
K+
NO3
K+
NO3
K+
NO3
K+
K+
NO3
K+
Внутренняя обкладка

Внешняя обкладка


K+K+K+ Твердое тело Ag+K+Ag+Ag+Ag+Ag+Ag+Ag+I-I-I-I-Ag+I-I-I-I-I-I-I-I-I-I-I-I-Раствор электролитаK+K+K+K+NO3-K+K+K+K+K+K+NO3K+K+NO3K+K+NO3K+NO3K+NO3K+K+NO3K+Внутренняя обкладка         Внешняя обкладка

Слайд 4Правило Панета ─ Фаянса
В достраивании кристаллической решетки внутренней

обкладки ДЭС могут принимать участие только те ионы, которые способны

образовать с ионами твердой фазы нерастворимые соединения, или ионы изоморфные им.

В нашем случае это ионы Ag+ и I— , а также изоморфные иодид-иону ионы Cl— и Br— . Такие ионы называются потенциал-определяющими ( ПОИ ), в отличие от ионов, составляющих внешнюю обкладку, которые называются индифферентными (в нашем случае это ионы K+ и NO3—).

Правило Панета ─ Фаянса  В достраивании кристаллической решетки внутренней обкладки ДЭС могут принимать участие только те

Слайд 5- Si – O - – H+
O
- SI –

O - – H+
O
- Si – O - –

H+
тв.тело раствор

- Si+ – O – H
O
-Si+ – O – H
O
Si+– O – H
тв.тело раствор

А теперь рассмотрим силикатную поверхность,
которая является амфотерной.

В первом случае ионы H+ уходят в раствор, а поверхность стекла заряжается отрицательно.

Во втором случае в раствор уходят
ионы ОН(-) , а поверхность стекла
заряжается положительно.

- Si – O - – H+ O- SI – O - – H+ O- Si –

Слайд 6(В.1) dG = - S*dT +V*dP + σ*ds +

μ i*dni + φ*dq


i

При постоянных T, P, ni уравнение (В.1) превращается в:
(VII.3) dG = σ ds + ψ dq
Полный дифференциал энергии Гиббса в этом случае :
(VII.4) dG = σ ds + s dσ + ψ dq + q dψ ;
Вычитая (VII.3) из (VII.4) получим :
s dσ = ─ q dψ ; откуда :
(VII.5) dσ / dψ = ─ q / s .

Воспользовавшись уже знакомым уравнением :

выведем термодинамическое соотношение, связывающее
поверхностную и электрическую энергии.

Обозначив величину q / s , представляющую собой
плотность поверхностного заряда, т.е. заряд 1 см2 поверхности, как ηо, мы получим уравнение Липпмана:
(VII.6) dσ / dψ = ─ ηо

(В.1) dG = - S*dT +V*dP + σ*ds +    μ i*dni + φ*dq

Слайд 7Электрокапиллярная кривая

Электрокапиллярная кривая

Слайд 8dσ/dψ=0
dσ/dψ>0
dσ/dψ

dσ/dψ=0dσ/dψ>0dσ/dψ

Слайд 9 Во всех теориях строения ДЭС действует принцип электронейтральности

системы, т. е. заряд 1 см2 поверхности твердой фазы ηо

компенсируется объемным зарядом столбика жидкости поперечным сечением 1 см2 и длиной, равной толщине всего ДЭС ( т.е. расстоянием , взятым по нормали к поверхности раздела , до того места в глубине раствора , где число положительных и отрицательных зарядов в единице объема станет одинаковым , а значит разность потенциалов ∆ψ будет равна нулю)

Основной задачей всех теорий строения ДЭС является
создание математического уравнения, связывающего
плотность поверхностного заряда ηо с падением
потенциала ∆ψ . Для начала отметим то общее,
что существует во всех теориях строения ДЭС .

Во всех теориях строения ДЭС действует принцип электронейтральности системы, т. е. заряд 1 см2 поверхности

Слайд 10Пусть на 1см2 твердой фазы находятся 100 (-)
Тогда в столбике

раствора сечением тоже 1см2
должны находиться 100 лишних (+), которые
будут компенсировать

этот заряд поверхности.

Твёрдая фаза Раствор электролита

+

+

+

-

-

-

-

+

+

+

+

+

+

+

+

+

+

-

+

+

-

-

+

+

-

+

Толщина ДЭС

_ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _ _

100 “─ ”

плотность
поверхностного
заряда ηо

плотность избыточного
объемного заряда (ρ)

Пусть на 1см2 твердой фазы находятся 100 (-)Тогда в столбике раствора сечением тоже 1см2должны находиться 100 лишних

Слайд 11Поэтому во всех последующих рассуждениях мы будем рассматривать модель плоского

ДЭС,
считая что радиус кривизны поверхности существенно больше толщины двойного слоя.
В

качестве твердой фазы выберем отрицательно заряженные частицы AgI.

Кроме того будем считать , что :

а) отрицательный заряд распределен равномерно по всей поверхности твердого тела ,

b) из свойств растворителя на ДЭС влияет только его диэлектрическая проницаемость ε , и наконец ,

в) падение потенциала ψ будем рассматривать только как функцию расстояния х, взятого по нормали к поверхности .

Поэтому во всех последующих рассуждениях мы будем рассматривать модель плоского ДЭС,считая что радиус кривизны поверхности существенно больше

Слайд 12ψ0
ψ
0
x
d
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_


Твёрдая
фаза
Раствор
электролита
Теория

Гельмгольца (1879 г.)
( х = 0 ;
ψ = ψо

)

( х = d ;
ψ = 0 )

(VII.7) ηо = (εεо / d) * ψо,
где : Ск = εεо / d ─ электроемкость плоского конденсатора ( Ф/м2 ) ;
ε ─ относительная диэлектрическая проницаемость жидкости и
εо = 8,85 * 10─12Ф/м ─ абсолютная диэлектрическая проницаемость вакуума.

ψ0 ψ0xd+++++++ + + + ____________Твёрдая фаза  Раствор электролитаТеория Гельмгольца (1879 г.)( х = 0 ;

Слайд 13Учитывая, что теория Гельмгольца создавалась за 5 лет до опубликования

теории электролитической диссоциации С.Аррениуса, понятно что в первой теории строения

ДЭС никак не учтены ни сам факт существования ионов, ни их диффузное распределение в растворе.

Зато следующая теория учла это в полной мере, использовав уравнение Больцмана для описания теплового движения (диффузии) ионов, находящихся в растворе возле поверхности твёрдого тела,
и уравнение Пуассона связывающее величину плотности избыточного объемного заряда (ρ) , которая зависит от концентрации всех видов ионов в растворе,
с потенциалом ψ.

Учитывая, что теория Гельмгольца создавалась за 5 лет до опубликования теории электролитической диссоциации С.Аррениуса, понятно что в

Слайд 14ψ0
ψ
0
x
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_


Твёрдая
фаза
Раствор

электролита
Теория Гуи - Чэпмена (1910-1913 г.)
( х = 0

ψ = ψо )

( х = ∞
ψ = 0 )

+ + + _ +
+ + _ + _
+ _ + _ +
+ + _ + _
+ _ + _ +
+ _ + _ _
+ + _
_ _ + _
+ + _ + _
+ + + + _

x

С0

С+

С─

ψ0 ψ0x+++++++ + + + ____________Твёрдая  фаза  Раствор электролитаТеория Гуи - Чэпмена (1910-1913 г.)( х

Слайд 15(VII.8) ηо= √ 2εε0RTCo *[exp( zFψо / 2RT) – exp(–

zFψо / 2RT)],
[exp( zF ψо / 2RT) – exp(–zF

ψо /2RT)] / 2 = sh (zF ψо /2RT) ―

(VII.9) ηо = √ 8εε0RTCo * sh (zFψо /2RT)

Основное уравнение теории Гуи – Чэпмена

а с учетом того , что

функция, называемая синусом гиперболическим аргумента (zFψо/2RT) , получим окончательное выражение :

Недостатки теории Гуи - Чэпмена
а) она не объясняет явления перезарядки ДЭС при введении в систему электролита с многозарядным противоионом ;
b) она не объясняет различного действия разных противоионов с одной и той же валентностью ;
с) значения емкости ДЭС , рассчитанные по этой теории , оказались на порядок больше экспериментально найденных .

(VII.8) ηо= √ 2εε0RTCo *[exp( zFψо / 2RT) – exp(– zFψо / 2RT)], [exp( zF ψо /

Слайд 16Для устранения указанных недостатков теории Гуи – Чепмена в 1924

г. Штерн предложил схему строения двойного электрического слоя, объединяющую обе

ранее предложенных модели ( Гельмгольца и Гуи – Чепмена ).

В свою теорию Штерн ввел два новых положения :
1) ионы имеют конечные, вполне определенные размеры, поэтому центры этих ионов не могут подойти к поверхности твердой фазы ближе , чем на расстояние ионного радиуса ;
2) ионы даже с одинаковым зарядом могут по разному , т.е. специфически , адсорбироваться у поверхности твердой фазы под действием не кулоновских (электростатических) , а адсорбционных сил (Ван-дер-Ваальса - Лондона) .

Штерн предложил рассматривать внешнюю обкладку двойного слоя состоящей из двух частей : плотного слоя
( или слоя Штерна ) и диффузного слоя.

Для устранения указанных недостатков теории Гуи – Чепмена в 1924 г. Штерн предложил схему строения двойного электрического

Слайд 17
─ η0 =
+
+
z+*FГ∞
z─ *FГ∞
1+[exp (Ф++ z+*Fψ1)

/ 2RT]/18c+
1+[exp (Ф─+ z─*Fψ1) / 2RT]/18c─
+
2εε0RTCo*[exp( zF ψ1 / 2RT)

– exp(– zF ψ1 / 2RT)]


ηплотн.

ηдифф.

Для описания плотного слоя Штерн использовал уравнение адсорбции Лэнгмюра и ввел понятие адсорбционного потенциала иона Фi , который выражает энергию адсорбции иона, дополнительную к энергии кулоновского взаимодействия , т.е. характеризует специфические адсорбционные свойства иона , не зависящие от его заряда z ;

Г∞ - число доступных мест для ионов на единицу поверности ;
18сi − перевод мольных долей ионов в их молярные концентрации: ( xi = ci * 1000 / 55,5 = 18 ci ) .

─ η0 =++ z+*FГ∞ z─ *FГ∞ 1+[exp (Ф++ z+*Fψ1) / 2RT]/18c+1+[exp (Ф─+ z─*Fψ1) / 2RT]/18c─+2εε0RTCo*[exp( zF ψ1

Слайд 18
ψ
0
x
d
+
+
+
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_


Твёрдая
фаза
Раствор
электролита
+ +

+ _ +
+ +

_ + _
+ _ + _ +
+ + _ + _
+ _ + _ +
+ _ + _ _
+ + _ + _
+ _ + _ +
+ + _ + _


Однако наиболее применяемой теорией ДЭС стала модифицированная теория Гуи, которая учла только первое положение из теории Штерна.

плотный
слой

диффузный слой

плоскость наибольшего приближения
или плоскость Гельмгольца

первый слой ионов

ψı ─ (“пси-прим”)потенциал

ψ0

ψ0xd+++++++ + + ____________Твёрдая  фазаРаствор электролита+  +  +   _  ++

Слайд 19Для этой cхемы строения ДЭС применимо основное уравнение модифицированной теории

Гуи (VII.8), но действует оно в интервале от x =

d до х = ∞ и имеет вид :

(VII.13) ηо = 2εε0RTCo*[exp( zFψ1/2RT) – exp(–zFψ1 /2RT)]

Таким образом в уравнение (VII.13) включены все ионы внешней обкладки, т.е. жидкостной части ДЭС. Это уравнение описывает зависимость плотности поверхностного заряда ηо от безразмерного потенциала ψ̃1 = zF ψ1 / RT и равновесной концентрации электролита в растворе Cо ( эта величина ψ̃1 называется “безразмерным пси–прим “ потенциалом, т.к. возводить экспоненту в степень, имеющую размерность нельзя)


Важно : часть скачка потенциала приходится на твердую фазу , поэтому ψо ( а тем более ψ1 ) меньше , чем межфазный скачок потенциала .

Для этой cхемы строения ДЭС применимо основное уравнение модифицированной теории Гуи (VII.8), но действует оно в интервале

Слайд 20ψ0
ψ
0
x
d
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_


Твёрдая
фаза
Раствор
электролита

Основные параметры ДЭС
по модифицированной теории Гуи .
( х =

d ;
ψ = ψı )

( х = ∞ ;
ψ = 0 )

+ + + _ +
+ + + _ + _
+ + _ + +
+ + + + _ + _
+ + _ + _ _+
+ + _ + + _ _
+ _ + _+ + _
+ _ + _ +
+ + _ + _
+ + + + _

ψ1

ζ

ψ1/e

δ

hs ─ граница
скольжения

ψ0 ψ0xd+++++++ + + + ____________Твёрдая  фаза Раствор электролита Основные параметры ДЭС по модифицированной теории Гуи

Слайд 21а) ψо - потенциал поверхности , т.е. разность потенциалов от

плоскости наибольшего приближения ( х = d) до глубины

раствора ( х = ∞ ) , где она становится равной 0 ;
b) d − положение плоскости наибольшего приближения
(внутренней плоскости Гельмгольца) ;
c) ψ1 - разность потенциалов от плоскости наибольшего
приближения ( х = d) до глубины раствора ( х = ∞ ) ;

« Пси – прим » потенциал (ψ1) имеет самый чёткий физический смысл, т.к. положение плоскости наибольшего приближения определено очень точно – это расстояние, равное одному радиусу гидратированного иона от границы раздела фаз.

К сожалению , как ψо, так и ψ1 не поддаются прямому экспериментальному измерению.

а) ψо - потенциал поверхности , т.е. разность потенциалов от плоскости наибольшего приближения ( х = d)

Слайд 22d) ζ − электрокинетический потенциал (или дзета –

потенциал) относится только к движущейся части
жидкости, поэтому его

определяют, как разность
потенциалов от границы скольжения ( х = hs ) до
глубины жидкой фазы ( х = ∞ ) ;

e) hs ─ положение границы скольжения, т.е. плоскости,
параллельной поверхности твердой фазы, разделяющей
подвижную и неподвижную части жидкости в
электрокинетических явлениях ;

Однако, используя методы исследования электрокинетических явлений ( т.е. явлений , вызванных перемещением твердой и жидкой фазы друг относительно друга ), можно рассчитать другую величину, близкую по значению к ψ1 , а именно,
ζ ─ потенциал.

d) ζ − электрокинетический потенциал (или дзета –   потенциал) относится только к движущейся части

Слайд 23 Ещё один важный

параметр ДЭС :
f) δ ─ это приведенная толщина диффузного слоя,

т.е.
такое расстояние от плоскости наибольшего
приближения, на котором значение потенциала ψ(х)
оказывается в e ≈ 2,7 раз меньше, чем ψ1.
δ ≈ 1 / (z √co)

Хотя из разобранного материала видно, что ζ составляет только часть от ψ1, важно отметить другое :
все зависимости для ψ1, хорошо подтверждаются на опытах в отношении ζ – потенциала, т.е. получив экспериментальную зависимость ζ - потенциала от состава и концентрации раствора электролита, мы можем быть уверены в том , что зависимость ψ1 – потенциала от этих параметров будет иметь точно такой же вид.

Ещё один важный параметр ДЭС :f) δ ─ это приведенная

Слайд 24Влияние различных электролитов
на параметрыДЭС.
Сразу договоримся , что будем рассматривать

одну и ту же дисперсную систему , где твердая фаза

AgI ,
(полученная в результате реакции :
AgNO3 + KI = AgI↓ + KNO3 ) ,
будет заряжена отрицательно.
Разберем по очереди два разных случая :

1 ) Влияние индифферентных электролитов, т.е. электролитов, не имеющих потенциал-определяющих ионов, способных достраивать кристаллическую решетку твердой фазы (как, например , KNO3 ).

2) Влияние электролитов, содержащих
потенциал – определяющие ионы
( как, например, AgNO3 , KI, NaCl и т.п.).

Влияние различных электролитов на параметрыДЭС.Сразу договоримся , что будем рассматривать одну и ту же дисперсную систему ,

Слайд 25_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_
_



Влияние различной концентрации KNO3
на параметы ДЭС.
d
с1< с2< с3

с4
рис.VII.6.
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+ + +

_ +
+ + + _ + _
+ _ + +
+ + + + _ + _
+ + _ + _ _+
+ + _ + + _ _
+ _ + + + _
+ _ + _ +
+ + _ + _
+ + + _

ψ0

ψ

0

x

с3

____________ Влияние различной концентрации KNO3 на параметы ДЭС.dс1< с2< с3< с4рис.VII.6.+++++++ + + + +  +

Слайд 26Индифферентный электролит не изменяет величину ψo, зато абсолютные величины ψ1

, ζ и δ постепенно уменьшаются , причем при достаточно

большой концентрации электролита ( с > 10─1 н.) всё падение потенциала приходится только на плотный слой ,
значения ψ1 (и тем более ζ ) становятся равными нулю,
а значит электрокинетические явления отсутствуют.

А теперь рассмотрим случай влияния на параметры ДЭС трех электролитов с катионами разного заряда, но концентрация их пусть будет одинакова :
KNO3 , Ba(NO3)2 и Al(NO3)3.

Это мы рассмотрели случай изменения концентрации
одного электролита KNO3.

Индифферентный электролит не изменяет величину ψo, зато абсолютные величины ψ1 , ζ и δ постепенно уменьшаются ,

Слайд 27Предположим, что на единице поверхности твердой фазы AgI находится 100

отрицательных зарядов.
Пусть концентрация KNO3 будет выбрана таким образом

, что 40% величины падения потенциала ψ приходится на плотный слой , а оставшиеся 60% на диффузную часть ДЭС . Это означает , что при данной концентрации электролита в объеме плотного слоя, который соответствует единице поверхности твердой фазы, может поместиться 40 противоионов K+ , в то время , как остальные 60 ионов K+ находятся в диффузном слое .
Предположим, что на единице поверхности твердой фазы AgI находится 100 отрицательных зарядов. Пусть концентрация KNO3  будет

Слайд 28Влияние электролитов с различным зарядом противоиона
(при одинаковой концентрации) на параметры

ДЭС.
─ 100
─ 50
0
+50
─ ψ
x

рис.VII.7

Влияние электролитов с различным зарядом противоиона(при одинаковой концентрации) на параметры ДЭС.─ 100─ 500+50─ ψ x+ψрис.VII.7

Слайд 29Примем для простоты рассуждений , что размеры ионов K+ ,

Ca2+ и Al3+ одинаковы ( радиусы этих ионов равны соответственно

1,33; 1,35 и 0,57A0).

При замене электролита KNO3 на Ca(NO3)2 в плотной части ДЭС смогут разместиться всё те же 40 ионов , но только теперь это будут ионы Ca2+ и они скомпенсируют уже не 40% , а 80% заряда единицы поверхности .

При переходе к электролиту Al(NO3)3 падение потенциала в плотном слое уже составит (40 ионов Al3+ = +120) такую величину (120% от первоначального значения ψо), что произойдет перезарядка поверхности
и знаки ψ1Al и ζAl изменятся с “─ ” на “+” .

При этом величина ψо для всех трех электролитов остается практически постоянной !

Примем для простоты рассуждений , что размеры ионов K+ , Ca2+ и Al3+ одинаковы ( радиусы этих

Слайд 30Влияние электролитов с различным зарядом противоиона
(при одинаковой концентрации) на параметры

ДЭС.
─ 100
─ 50
0
+50
─ ψ
x
ψı=+20
Al(NO3)3
ψı= ─20
Ca(NO3)2

рис.VII.7

Влияние электролитов с различным зарядом противоиона(при одинаковой концентрации) на параметры ДЭС.─ 100─ 500+50─ ψ x ψı=+20 Al(NO3)3ψı=

Слайд 31─ 100
─ 50
0
+50
─ ψ
x
ψı=+20
Al(NO3)3
ψı= ─20
Ba(NO3)2

Рис.X.9

Влияние электролитов с различным
зарядом противоиона на параметры ДЭС.

─ 100─ 500+50─ ψ x ψı=+20 Al(NO3)3ψı= ─20 Ba(NO3)2+ψРис.X.9  Влияние электролитов с различным зарядом противоиона на

Слайд 32 На рис.VII.7 представлено только по одной кривой для каждого

вида электролита. Понятно, что вместо одного рис.VII.7 можно было бы

нарисовать три, представив на каждом по семейству кривых (ψ от x) для разных концентраций каждого из электролитов, как это сделано на рис.VII.6.

И тогда сняв с этих графиков значения ζ ─ потенциала
(по линии плоскости скольжения) для разных
концентраций, можно будет построить новый график:
зависимости ζ ─ потенциала от логарифма концентрации
добавленного электролита.

На рис.VII.7 представлено только по одной кривой для каждого вида электролита. Понятно, что вместо одного рис.VII.7

Слайд 33 ζ,мВ
+ ζ,мВ
 lgC
0
рис.VII.8.
KNO3
Ba(NO3)2
Al(NO3)3

 ζ,мВ+ ζ,мВ lgC0рис.VII.8.KNO3Ba(NO3)2Al(NO3)3

Слайд 342) Влияние электролитов, содержащих потенциал – определяющие ионы .
При

рассмотрении этого вопроса следует учесть , что в каждом подобном

электролите находится два вида ионов , только один из которых способен достраивать кристаллическую решетку твердой фазы; в то время, как второй ион является индифферентным.

Первый из них – т.е. собственно потенциал-определяющий ион , способен изменять (повышать или понижать ) значение потенциала поверхности ψо , тогда как , находящийся с ним в паре ион , по мере увеличения концентрации , способен сжимать ДЭС ..

При малых концентрациях проявляется первая тенденция – изменение величины ψо ; при больших концентрациях , когда достройка кристаллической решетки твердой фазы завершена, ― увеличение концентрации приводит к сжатию ДЭС

2)  Влияние электролитов, содержащих потенциал – определяющие ионы .При рассмотрении этого вопроса следует учесть , что

Слайд 35с2
с1
с3
x
x
─ ψ
─ ψ
0
0

с2
с1
с3
Влияние неидифферентного электролита на параметры ДЭС

для золя AgI с отрицательно заряженными частицами :


а) KI ; b) AgNO3

Отличительным признаком этих графиков от предыдущей серии является то, что с изменением концентрации электролита изменяется величина ψ0 – потенциала, а в случае Ag+ происходит даже перезарядка поверхности твердой фазы .

с2с1с3xx─ ψ ─ ψ 00+ψс2с1с3Влияние неидифферентного электролита на параметры ДЭС для золя AgI с отрицательно заряженными частицами

Слайд 36 14 12 10 8

6 4 2
0
50
 50
+ζ,мВ

ζ,мВ

lg aI

ИЭТ

Зависимость ζ- потенциала от концентрации KI, добавляемого в систему с положительно заряженными частицами AgI .

Рис.VII.10

14  12   10  8   6    4

Слайд 37На рис.VII.10 хорошо видно , что происходит перезарядка ДЭС ,

причем в отличие от ранее разобранного случая перезарядки с помощью

Al(NO3)3 , теперь происходит перемена знаков не только ψ1 и ζ , но и ψо – потенциала . При значении lg aI─ = ─ 11
значение ζ становится равным нулю , что соответствует изоэлектрической точке (ИЭТ).

Следовательно , изоэлектрическая точка ─ это такая активность потенциал-определяющих ионов , при которой электрокинетический потенциал (ζ) равен нулю , а значит электрокинетические явления отсутствуют .

На рис.VII.10 хорошо видно , что происходит перезарядка ДЭС , причем в отличие от ранее разобранного случая

Слайд 38Следует отметить, что поверхностный заряд также зависит от концентрации потенциал-определяющих

ионов, только в этом случае речь идет уже о точке

нулевого заряда (ТНЗ ).

ТНЗ – это такая активность потенциал-определяющих ионов, при которой
поверхностный заряд (η0) равен нулю .

При наличии специфической адсорбции ионов в поверхностном слое значения ТНЗ и ИЭТ могут не совпадать .

Следует отметить, что поверхностный заряд также зависит от концентрации потенциал-определяющих ионов, только в этом случае речь идет

Слайд 39Электрокинетические явления .
В первой группе причиной является

приложенная к системе разность потенциалов, которая вызывает :
a) движение

дисперсионной среды в капиллярной системе ─ электроосмос ; или
b) движение частиц дисперсной фазы в растворе ─ электрофорез.

Всего этих явлений четыре и их можно сгруппировать по признаку причины, вызывающей эти явления .

Во второй группе, напротив, причиной является относительное перемещение фаз под влиянием :
c) приложенного извне давления ─ потенциал течения ,
d) силы тяжести ─ потенциал седиментации ;
а результатом является возникновение электрической
разности потенциалов .

Электрокинетические  явления .  В первой группе причиной является приложенная к системе разность потенциалов, которая вызывает

Слайд 40 мембрана из
кварцевого песка
суспензия глины
раствор электролита
электроосмос
электрофорез

мембрана изкварцевого пескасуспензия глиныраствор электролитаэлектроосмосэлектрофорез

Слайд 41потенциал течения
потенциал
седиментации
давление
капиллярная
мембрана
сила
тяжести
раствор
электролита

потенциал течения  потенциал седиментациидавлениекапиллярная  мембрана силатяжести  растворэлектролита

Слайд 42 Измеряя параметры электрокинетических явлений, можно вычислить значения

ζ– потенциала, пользуясь формулами Гельмгольца – Смолуховского (VII.15) , выведенными

на основе теории, разработанной для каждого из этих явлений :

η κ V
электроосмос ζ = * ;
ε εо I

η U
электрофорез ζ = * ;
ε εо H

η κ E
потенциал ζ = * ;
течения ε εо P

Измеряя параметры электрокинетических явлений, можно вычислить значения ζ– потенциала, пользуясь формулами Гельмгольца – Смолуховского

Слайд 43 η – вязкость среды ; κ – удельная электропроводность

раствора электролита ; ε и εо - диэлектрическая проницаемость

жидкости и вакуума; V - объемная скорость движения жидкости; I - сила тока ;
Е – потенциал течения; P – приложенное давление;
U - скорость движения частицы в электрофорезе;
Н - напряженность электрического поля .

С наличием ДЭС на границе раздела фаз (твердое тело – жидкость), а также с адсорбцией ионов, связаны электроповерхностные свойства капиллярных систем , наиболее важные из которых :
а) электрокинетический потенциал ( ζ );
b) поверхностная проводимость ;
c) изменение чисел переноса ионов в порах капиллярной системы.

η – вязкость среды ; κ – удельная электропроводность раствора электролита ;  ε и εо

Слайд 44а) Значения ζ – потенциала , определенные различными методами ,

для одной и той же системы совпадают и при этом

не зависят от геометрических параметров этой системы ( длины , радиуса капилляра , формы пор в капилляре и т.п. ).

ζ – потенциал является однозначной характеристикой свойств данной границы раздела фаз, причем зачастую гораздо более чувствительной к изменениям состава и структуры фазы , чем другие методы исследования, (как например, рентгеноструктурный анализ ). Определение величины ζ – потенциала часто имеет не только научный, но и практический интерес . Так в биологических и медицинских исследованиях весьма важно знать величину и знак заряда различных бактерий и белков.

а) Значения ζ – потенциала , определенные различными методами , для одной и той же системы совпадают

Слайд 45b) поверхностная проводимость ;
Мы уже указывали, что значения ζ

– потенциала не должны зависеть от размеров капилляра. Однако, в

ряде исследований было установлено, что величины V/I
и E/P , полученные при измерениях электроосмоса или потенциала течения, (а значит и вычисленные по ним величины ζ – потенциала ) , заметно снижаются при уменьшении радиуса капилляра до значений
порядка 10─6 см .

ζиспр

ζэксп.

ζ

Rкап (см).

10─6

b) поверхностная проводимость ; Мы уже указывали, что значения ζ – потенциала не должны зависеть от размеров

Слайд 46Такая аномалия объясняется тем , что в формулах Гельмгольца ─

Смолуховского (VII.15) для расчетов были использованы табличные значения удельной электропроводности

κ, измеренные для свободного раствора, без учета поверхностной проводимости

В проводниках второго рода (растворах электролитов) перенос заряда осуществляется ионами . Суммарная концентрация ионов в подвижной части ДЭС оказывается выше, чем свободном растворе; за счет этого возникает обусловленная избытком этих ионов добавочная электропроводность κs , называемая поверхностной проводимостью.

Величина κs не является удельной электропроводностью только поверхностного слоя, а представляет собой избыток κ, усредненный по всему объему капилляра .

Такая аномалия объясняется тем , что в формулах Гельмгольца ─ Смолуховского (VII.15) для расчетов были использованы табличные

Слайд 47Таким образом, фактическая удельная электропроводность раствора в капилляре складывается из

объемной электропроводности κv и поверхностной
проводимости

κs :
(VII.16) κ = κv + κs

Если использовать в формулах (VII.15) исправленные значения κ = κv + κs , т.е , ввести поправочный коэффициент α , равный отношению фактической проводимости системы к объемной :
α = (κv + κs) / κv
то окажется, что полученные значения
ζиспр. = α * ζэксп.
практически не изменяются с уменьшением радиуса капилляра .

Таким образом, фактическая удельная электропроводность раствора в капилляре складывается из объемной электропроводности κv и поверхностной

Слайд 48Явление капиллярной сверхпроводимости.
раствор
электролита
непроводящая
мембрана
Ώ
омметр
Поместим в

раствор электролита, сопротивление которого Rэл мы измерили, между измерительными электродами

непроводящую пористую мембрану, находящуюся в равновесии с этим раствором ,
Явление капиллярной сверхпроводимости. растворэлектролитанепроводящая  мембрана Ώ омметрПоместим в раствор электролита, сопротивление которого Rэл мы измерили, между

Слайд 49 Общее сопротивление такой системы R∑ должно увеличиться за счет

замены части проводящего раствора электролита на непроводящий скелет мембраны .
Коэффициент

структурного сопротивления β = R∑ / Rэл показывает во сколько раз увеличивается сопротивление системы при замене раствора мембраной

Однако, в порах этой мембраны находится тот же электролит , а значит существует поверхностная проводимость , которая уменьшает сопротивление системы в α раз .

Общее сопротивление такой системы R∑ должно увеличиться за счет замены части проводящего раствора электролита на непроводящий

Слайд 50В этом случае отношение сопротивлений системы с мембраной и без

неё уже выразится формулой
R∑ / Rэл. =

β / α ,
причем β не зависит от концентрации электролита, а α возрастает с уменьшением, как концентрации раствора , так и радиуса пор в мембране.
Поэтому , когда коэффициент α окажется больше , чем β, то введение непроводящей мембраны не только не увеличит , а напротив, уменьшит сопротивление системы .

Это явление “капиллярной сверхпроводимости”, было открыто и весьма подробно исследовано на кафедре коллоидной химии СПбГУ в 60-х годах ХХ века Д.А.Фридрихсбергом.

В этом случае отношение сопротивлений системы с мембраной и без неё уже выразится формулой   R∑

Слайд 51c) изменение чисел переноса ионов в порах капиллярной системы (мембраны)

по сравнению со свободным раствором.
Числом переноса i-го иона называется

отношение количества электричества, перенесенного ионом i –го рода ( qi ) , к общему количества электричества, прошедшего через раствор ∑Q .

Поэтому числа переноса катиона и аниона соответственно равны : nk = qk / ∑Q и na = qa / ∑Q ,
причем сумма na + nk = 1 .
Для такого электролита, как KCl , где подвижности ионов почти одинаковы :
na = nk = 0,5 .

c) изменение чисел переноса ионов в порах капиллярной системы (мембраны) по сравнению со свободным раствором. Числом переноса

Слайд 52 На рис.VII.12 представлен продольный разрез капилляра с отрицательным зарядом

поверхности, заполненного электролитом с ДЭС. Из этого рисунка видно ,

что в подвижной зоне диффузного слоя концентрация катионов больше, чем анионов. Тем не менее в центральной части достаточно широкого капилляра есть зона свободного электронейтрального раствора , где числа переноса не изменяются. Если объем этой центральной части будет составлять подавляющую часть общего объема капилляра , то суммарное значение числа переноса иона практически не изменяется по сравнению со свободным раствором .
На рис.VII.12 представлен продольный разрез капилляра с отрицательным зарядом поверхности, заполненного электролитом с ДЭС. Из этого

Слайд 53
─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─

─ ─ ─ ─ ─
+ + + + +

+ + + + + + +

+ + + + + + + + + + +

+ + ─ + + ─ + + ─ +
+ ─ + ─ + ─ + ─ + ─
─ + ─ + ─ + ─ + ─ + ─ +
+ ─ + ─ + ─ + ─ + ─
─ + ─ + ─ + ─ + ─ + ─ +
+ ─ + ─ + ─ + ─ + ─
─ + ─ + ─ + ─ + ─ + ─ + + + ─ + + ─ + + ─ +
+ + + + + + + + + + +
+ + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + + +

+ + + + + + + + + + + +

a) широкий капилляр

b) очень узкий капилляр

рис.VII.12

─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ ─ + +

Слайд 54Однако с уменьшением радиуса капилляра доля
катионов в общем объеме

будет увеличиваться, значит число переноса катиона будет возрастать, а число

переноса аниона – убывать . А в очень узком капилляре анионов практически нет, соответственно число переноса
катиона приближается к единице , тогда как число переноса аниона стремится к нулю. Иными словами, мембрана с капиллярами типа b будет пропускать
только ионы одного знака заряда .

Поэтому по влиянию на числа переноса ионов мембраны можно разделить на три группы :

Однако с уменьшением радиуса капилляра доля катионов в общем объеме будет увеличиваться, значит число переноса катиона будет

Слайд 551) электрохимически неактивные мембраны – не изменяют числа переноса ионов

по сравнению с их значениями в свободном растворе ;
2) электрохимически

активные мембраны – изменяют числа переноса ионов по сравнению с их значениями в свободном растворе ; в них, в зависимости от знака заряда твердой фазы, повышается число переноса противоположного по знаку иона .
3) идеально электрохимически активные мембраны – т.е. мембраны, проницаемые для ионов лишь одного знака заряда. В таких мембранах число переноса ионов одного знака заряда равно 1, а другого иона ─ равно 0.

Подобное разделение мембран на группы связано с их применением для очистки коллоидных растворов от электролитов методом электродиализа.

1) электрохимически неактивные мембраны – не изменяют числа переноса ионов по сравнению с их значениями в свободном

Слайд 56вода
коллоидный
раствор + Na2SO4
вода

+
катод ()
(+) анод
мембраны
nk >

na
nk < na
H2O + 2e  =
H2 + 2OH 
H2O

 4e  =
4H+ + O2

OH 

NaOH

Na+

SO4-2

H+

H2SO4

Схема электродиализатора

Необходимо, чтобы заряд твердой фазы мембраны совпадал по знаку с зарядом соответствующего электрода
() — к катоду ; (+) — к аноду.

X

X

вода  коллоидный раствор + Na2SO4вода +катод ()(+) анодмембраныnk > nank < naH2O + 2e  =H2

Слайд 57 Электродиализ находит широкое применение прежде всего для очистки воды

. При получении дистиллированной воды методом перегонки приходится испарять огромную

массу воды для удаления ничтожно малой по весу части примесей . При электродиализе поступают наоборот и удаляют электролиты не затрагивая массы воды. При этом оказалось, что расход энергии на электродиализ невской воды был в 16 раз меньше, чем расход на её дистилляцию
Электродиализ находит широкое применение прежде всего для очистки воды . При получении дистиллированной воды методом перегонки

Слайд 58Широкое применение находит электродиализ в медицине и биологии как препаративный

метод удаления электролитов из различных коллоидных растворов . При получении

иммунных сывороток было обнаружено , что основные иммунологические свойства их связаны с определенной фракцией белков крови – с глобулинами. Остальные же компоненты (форменные элементы крови , фибрин , альбумин ) являются балластом и для достижения лучшего иммунологического действия сыворотки должны быть удалены из крови . Для этой цели в плазму крови вводят раствор сернокислого аммония , который осаждает только глобулин , оставляя прочие компоненты в растворе , после чего сернокислый аммоний удаляют электродиализом
Широкое применение находит электродиализ в медицине и биологии как препаративный метод удаления электролитов из различных коллоидных растворов

Слайд 59Практическое применение электрокинетических явлений .
Электрофорез широко используется :
a) в

медицине и биологии для:
выявления биохимической и физиологической роли различных

ВМС
диагностики причины болезни и последующего контроля за результатами введения лекарственных препаратов .

b) в промышленности для нанесения покрытий на различные поверхности (как например, грунтовка кузовов автомашин). Особенно важно то, что этот процесс можно проводить в неводных средах (спирт, ацетон и т.п.), а также применять для покрытия металлических деталей каучуком, используя для этой цели латексы – водные дисперсии каучука .

Практическое применение электрокинетических явлений . Электрофорез широко используется :a) в медицине и биологии для: выявления биохимической и

Слайд 60Явление потенциала протекания лежит в основе исследований токов сердечно-сосудистой системы

(электрокардиографии), а также играет существенную роль в изучении биотоков сердца

и мозга . В геофизике широко используется метод электроразведки , когда после подачи на исследуемый участок разности потенциалов возникает вторичная ЭДС , величина которой , обусловлена залеганием проводящих рудных тел

Электроосмос успешно применяется для удаления избыточной влаги при возведении плотин, дамб и т.п. гидротехнических сооружений, а также для осушки
сырых стен зданий ,

Явление потенциала протекания лежит в основе исследований токов сердечно-сосудистой системы (электрокардиографии), а также играет существенную роль в

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика