Электрические и электронные компоненты технических систем

час Лабораторные работы – 24 часа
Экзамен
Преподаватель – Баранов Валентин Владимирович, профессор

кафедры ПИКС, доктор технических наук

(ЭЭК)
Основные особенности производства ЭЭК
Общемировой рынок продаж
Тенденции развития спроса
ЭЭК в микроэлектронном

исполнении, выпускаемые предприятиями РБ

ИМС

слой n–типа;
в) – маскирование слоем Si3N4; г) – вытравливание

V–образных канавок;
д) – окисление кремния для создания диэлектрической изоляции; е) – формирование элементов транзистора, вскрытие контактных окон и нанесение металлизации для создания межсоединений

Основные этапы формирования твёрдотельной структуры ИМС

основан на управлении током, протекающим в приповерхностном слое полупроводника, при

помощи напряжения, приложенного к металлическому электроду, отделенному от поверхности полупроводника тонким диэлектриком. Различают n-МОП, р-МОП, КМОП БИС, где в качестве базового активного элемента используются р-канальные, п-канальные МОП-транзисторы, либо комплементарная пара на их основе.

для преобразования или хранения информации, вводится инжекцией неравновесных носителей в

базу через специальный инжекторный переход, смещаемый в прямом направлении.
В отличие от обычного п-р-п транзистора данная структура содержит еще один электрод-инжектор (Р1-область). Второе отличие заключается в изменении функций электронных областей N1 и N2: N1-эмиттер, N2-коллектор.
1. Транзистор р-n-р-типа образован инжекторной областью Р1, играющей роль эмиттера, частью эмиттерной N1-области, служащей базой, и базовой Р2-областью, выполняющей функции коллектора.
2. Транзистор n-р-n вертикального типа образован частью эмиттерной N1-области, примыкающей к ней, частью базовой Р2-области и коллекторной N2-областью.
Логические БИС с инжекционным питанием подразделяются на:ИЛ - интегральная логика; И2Л - интегральная инжекционная логика; И3Л - интегральная логика с изопланарной изоляцией; И4Л - интегральная ионно-имплантированная логика (без изоляции); И5Л - интегральная ионно-имплантированная логика с изопланарной изоляцией.

(З1, З2, З3, З4 и т.д.). Для инжекции зарядов на

входе структуры формируется диод. Если по всем затворам приложить пороговое отрицательное смещение U1, то у поверхности полупроводника n-типа образуется равномерный обедненный электронами слой. Увеличение смещения до U2 > U1 на затворе З1 приведет к появлению в приповерхностной под ним зоне потенциальной ямы, в которую при наличии напряжения на входном диоде будут инжектироваться дырки. Если после окончания процесса инжекции к затвору З2 приложить U3 > U2, то под ним возникает более глубокая потенциальная яма. При этом под затворами З1 и З2 возникает продольное поле, под действием которого в приповерхностном слое полупроводника произойдет дрейф носителей заряда от З1 к З2. Аналогично происходит перемещение зарядов к следующим электродам.