Разделы презентаций


Электрический ток в полупроводниках

Содержание

Электрический ток в полупроводниках.

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Электрический ток в полупроводниках.
План урока:
Изучите новый материал (слайды 2-19)
Прочитайте

§§ 113-115 учебника (Мякишев – год издания – на стене

в группе)
Проверьте себя (слайд 20)
Проверьте правильность решения задач предыдущего урока (слайды 21-24)
Выполните тест «ТОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ»
Электрический ток в полупроводниках. План урока:Изучите новый материал (слайды 2-19)Прочитайте §§ 113-115 учебника (Мякишев – год издания

Слайд 2 Электрический ток в полупроводниках.

Электрический ток в полупроводниках.

Слайд 3Электрический ток в полупроводниках.
Полупроводники – вещества, проводимость которых с ростом

температуры не возрастает, а, наоборот, возрастает.
Из графика видно, что с

уменьшением температуры убывает значение удельного сопротивления полупроводника.
Электрический ток в полупроводниках.Полупроводники – вещества, проводимость которых с ростом температуры не возрастает, а, наоборот, возрастает.Из графика

Слайд 4Зависимость сопротивления полупроводников от температуры.
Полупроводник из германия (1) включают в

цепь.
При нагревании полупроводника отмечается повышение силы тока в цепи, значит,

сопротивление германия уменьшается при повышении температуры.
Зависимость сопротивления полупроводников от температуры.Полупроводник из германия (1) включают в цепь.При нагревании полупроводника отмечается повышение силы тока

Слайд 5Сравнение проводимости полупроводников и металлов.
Проводимость полупроводников принципиально отличается от проводимости

металлов. На графике представлена зависимость удельного сопротивления полупроводников (1) и

металлов (2) от температуры.
Сравнение проводимости полупроводников и металлов.Проводимость полупроводников принципиально отличается от проводимости металлов. На графике представлена зависимость удельного сопротивления

Слайд 6Зависимость сопротивления полупроводников от освещения.
Сопротивление полупроводников уменьшается под действием освещения.
В

приведенном эксперименте закрывая полупроводник различными экранами – прозрачным , полупрозрачным

и непрозрачным можно заметить, что сопротивление полупроводника уменьшается при увеличении освещения.
Зависимость сопротивления полупроводников от освещения.Сопротивление полупроводников уменьшается под действием освещения.В приведенном эксперименте закрывая полупроводник различными экранами –

Слайд 7Терморезистор.
Зависимость сопротивления от температуры используют в различных автоматических устройствах.
Когда температура

в помещении, в котором находится терморезистор (1) достигает определенного значения,

срабатывает электромагнитное реле (2); при этом замыкается контакт (3), включающий цепь исполнения с сигнализатором (4).
Терморезистор.Зависимость сопротивления от температуры используют в различных автоматических устройствах.Когда температура в помещении, в котором находится терморезистор (1)

Слайд 8Фоторезистор.
Аналогично работает фоторезистор.
В фоторезисторах используют зависимость сопротивления полупроводников от освещения.
В

городах по этому принципу работает уличное освещение.

Фоторезистор.Аналогично работает фоторезистор.В фоторезисторах используют зависимость сопротивления полупроводников от освещения.В городах по этому принципу работает уличное освещение.

Слайд 9Ковалентная связь в атомах полупроводников.
Атом кремния четырехвалентен. Соседние атомы кремния

взаимодействуют друг с другом, благодаря паре электронов, каждый из которых

стал общим при образовании кристалла.
Ковалентная связь в атомах полупроводников.Атом кремния четырехвалентен. Соседние атомы кремния взаимодействуют друг с другом, благодаря паре электронов,

Слайд 10Механизм проводимости электрического тока в полупроводниках.
Взаимодействие соседней пары атомов в

полупроводниках осуществляется посредством парноэлектронной связи.
При увеличении температуры эти связи разрушаются:

образуются свободные электроны и «вакантные места» для них – дырки.
При низкой температуре кремний не проводит ток.
Механизм проводимости электрического тока в полупроводниках.Взаимодействие соседней пары атомов в полупроводниках осуществляется посредством парноэлектронной связи.При увеличении температуры

Слайд 11Примесная проводимость полупроводников.
Для увеличения проводимости в полупроводники вводят примеси.
Донорная примесь:

увеличивает число свободных электронов ( мышьяк к кремнию).
Акцепторная примесь: увеличивает

число «вакантных мест» – дырок (индий к кремнию).
Примесная проводимость полупроводников.Для увеличения проводимости в полупроводники вводят примеси.Донорная примесь: увеличивает число свободных электронов ( мышьяк к

Слайд 12Электрический ток через контакт п- и р- типов.
Справа – схема

полупроводника с донорной примесью: п-типа (от «negativ» – отрицательный); с

избытком электронов.
Слева – схема полупроводника с акцепторной примесью: р-типа (от «pozitiv» – положительный); с избытком дырок.
Электрический ток через контакт  п- и р- типов.Справа – схема полупроводника с донорной примесью: п-типа (от

Слайд 13Прямой р-п-переход.
Прямой п-р-переход. Положительный полюс источника тока подключен к полупроводнику

р-типа. Ток осуществляется основными носителями: из п – электронами, из

р – дырками.
Прямой р-п-переход.Прямой п-р-переход. Положительный полюс источника тока подключен к полупроводнику р-типа. Ток осуществляется основными носителями: из п

Слайд 14Обратный р-п-переход.
Обратный п-р-переход. Положительный полюс источника тока подключен к полупроводнику

п-типа. Ток осуществляется неосновными носителями, которых мало. Образуется запирающий слой,

через который ток не идет.
Обратный р-п-переход.Обратный п-р-переход. Положительный полюс источника тока подключен к полупроводнику п-типа. Ток осуществляется неосновными носителями, которых мало.

Слайд 15Полупроводниковый диод
Полупроводниковый диод – прибор, в котором используют способность р-п-перехода

проводить ток в одном направлении.
На пластинку кремния впаивают каплю индия.
Поверхностный

слой кремния, в который проникнут атомы индия, станет дырочным полупроводником.
На рисунке – вольт – амперная характеристика полупроводникового диода.
Полупроводниковый диодПолупроводниковый диод – прибор, в котором используют способность р-п-перехода проводить ток в одном направлении.На пластинку кремния

Слайд 16Устройство полупроводникового диода.
Пластинка кремния (1) с вплавленным индием (2) помещена

в металлический корпус, предохраняющий кристалл от внешних воздействий.
К кремнию и

индию присоединяют выводы (3) и (4), изолированные от корпуса.
Устройство полупроводникового диода.Пластинка кремния (1) с вплавленным индием (2) помещена в металлический корпус, предохраняющий кристалл от внешних

Слайд 17Полупроводниковый диод
Основное свойство полупроводникового диода – проводить ток только в

одном направлении (одностороння проводимость)
Проводит электрический ток
Не проводит электрический ток

Полупроводниковый диодОсновное свойство полупроводникового диода – проводить ток только в одном направлении (одностороння проводимость)Проводит электрический токНе проводит

Слайд 18Транзистор.
(3) – эмиттер (р-типа)
(5) – коллектор (р-типа)
(2) – база (п-типа)
(4),

(6) – р-п-переходы
(7) – изоляторы
(8) – вывод эмиттера
(9) – вывод

коллектора
(10) – вывод базы
Существует 2 типа транзисторов – р-п-р-типа и п-р-п-типа.
Их обозначения на схеме.
Транзистор.(3) – эмиттер (р-типа)(5) – коллектор (р-типа)(2) – база (п-типа)(4), (6) – р-п-переходы(7) – изоляторы(8) – вывод

Слайд 19Включение транзистора в цепь.
Оба р-п-перехода соединяют с двумя источниками тока.
Переход

«эмиттер – база» включают в пропускном, а переход «коллектор –

база» в запирающем направлении.
Пока цепь эмиттера разомкнута, ток очень мал.
При замыкании цепи эмиттера, дырки (основные носители заряда эмиттера) переходят из него в базу, создавая ток в этой цепи.
Включение транзистора в цепь.Оба р-п-перехода соединяют с двумя источниками тока.Переход «эмиттер – база» включают в пропускном, а

Слайд 20Усилительное действие транзистора.
При включении реостата на полную обмотку – большая

часть напряжения передается на реостат, а меньшая – на лампу,

подобно этому, пока не включена цепь эмиттера, сопротивление «база – коллектор» значительно больше, чем сопротивление лампы.

При включении реостата на минимум – меньшая часть напряжения – на реостате, большая – на лампе. Если замкнуть цепь эмиттера, то сопротивление участка «база – коллектор значительно уменьшится и большая часть напряжения окажется на лампе.

Усилительное действие транзистора.При включении реостата на полную обмотку – большая часть напряжения передается на реостат, а меньшая

Слайд 21ПРОВЕРЬ СЕБЯ:
Какие вещества называются полупроводниками?
Какой тип связи между атомами

осуществляется в полупроводниковых кристаллах?
Что такое дырочная проводимость?
Атомы с какой валентностью

могут быть акцепторными примесями?
Какие носители заряда создают электрический ток в полупроводниках n-типа?
Какие носители заряда создают электрический ток в полупроводниках p-типа?
Как изменяется удельное электрическое сопротивление полупроводников: а) при нагревании; б) при освещении?
То такое p-n переход?
Почему при отсутствии внешнего электрического поля электроны не переходят через p-n переход из n-полупроводника в p-полупроводник?
Почему p-n переход обладает односторонней проводимостью?
Какими недостатками обладают полупроводниковые диоды?
Почему полупроводниковый диод нельзя использовать для выпрямления тока при очень малых переменных напряжениях?
ПРОВЕРЬ СЕБЯ: Какие вещества называются полупроводниками?Какой тип связи между атомами осуществляется в полупроводниковых кристаллах?Что такое дырочная проводимость?Атомы

Слайд 22РЕШЕНИе ЗАДАЧ:

РЕШЕНИе ЗАДАЧ:

Слайд 23Задача 5
Каков температурный коэффициент электрического сопротивления материала, если при его

нагревании от 00С до 1000С его электрическое сопротивление увеличилось на

0,1 %?
Задача 5Каков температурный коэффициент электрического сопротивления материала, если при его нагревании от 00С до 1000С его электрическое

Слайд 24Задача 6
Электрическая плитка мощностью 600 Вт рассчитана на напряжение 220

В. При работе плитки температура молибденовой нити равна 5000С. Чему

равно сопротивление плитки в рабочем состоянии?

Молибден: α=0,0046 0С-1

Задача 6Электрическая плитка мощностью 600 Вт рассчитана на напряжение 220 В. При работе плитки температура молибденовой нити

Слайд 25Решение задачи 6

Решение задачи 6

Слайд 26Домашнее задание.
§ 113 – 115

Домашнее задание.§ 113 – 115

Слайд 27Температурный коэффициент удельного сопротивления металлов

Температурный коэффициент удельного сопротивления металлов

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика