Слайд 1Электрический ток в полупроводниках.
План урока:
Изучите новый материал (слайды 2-19)
Прочитайте
§§ 113-115 учебника (Мякишев – год издания – на стене
в группе)
Проверьте себя (слайд 20)
Проверьте правильность решения задач предыдущего урока (слайды 21-24)
Выполните тест «ТОК В ПОЛУПРОВОДНИКАХ»
Слайд 2
Электрический ток в полупроводниках.
Слайд 3Электрический ток в полупроводниках.
Полупроводники – вещества, проводимость которых с ростом
температуры не возрастает, а, наоборот, возрастает.
Из графика видно, что с
уменьшением температуры убывает значение удельного сопротивления полупроводника.
Слайд 4Зависимость сопротивления полупроводников от температуры.
Полупроводник из германия (1) включают в
цепь.
При нагревании полупроводника отмечается повышение силы тока в цепи, значит,
сопротивление германия уменьшается при повышении температуры.
Слайд 5Сравнение проводимости полупроводников и металлов.
Проводимость полупроводников принципиально отличается от проводимости
металлов. На графике представлена зависимость удельного сопротивления полупроводников (1) и
металлов (2) от температуры.
Слайд 6Зависимость сопротивления полупроводников от освещения.
Сопротивление полупроводников уменьшается под действием освещения.
В
приведенном эксперименте закрывая полупроводник различными экранами – прозрачным , полупрозрачным
и непрозрачным можно заметить, что сопротивление полупроводника уменьшается при увеличении освещения.
Слайд 7Терморезистор.
Зависимость сопротивления от температуры используют в различных автоматических устройствах.
Когда температура
в помещении, в котором находится терморезистор (1) достигает определенного значения,
срабатывает электромагнитное реле (2); при этом замыкается контакт (3), включающий цепь исполнения с сигнализатором (4).
Слайд 8Фоторезистор.
Аналогично работает фоторезистор.
В фоторезисторах используют зависимость сопротивления полупроводников от освещения.
В
городах по этому принципу работает уличное освещение.
Слайд 9Ковалентная связь в атомах полупроводников.
Атом кремния четырехвалентен. Соседние атомы кремния
взаимодействуют друг с другом, благодаря паре электронов, каждый из которых
стал общим при образовании кристалла.
Слайд 10Механизм проводимости электрического тока в полупроводниках.
Взаимодействие соседней пары атомов в
полупроводниках осуществляется посредством парноэлектронной связи.
При увеличении температуры эти связи разрушаются:
образуются свободные электроны и «вакантные места» для них – дырки.
При низкой температуре кремний не проводит ток.
Слайд 11Примесная проводимость полупроводников.
Для увеличения проводимости в полупроводники вводят примеси.
Донорная примесь:
увеличивает число свободных электронов ( мышьяк к кремнию).
Акцепторная примесь: увеличивает
число «вакантных мест» – дырок (индий к кремнию).
Слайд 12Электрический ток через контакт
п- и р- типов.
Справа – схема
полупроводника с донорной примесью: п-типа (от «negativ» – отрицательный); с
избытком электронов.
Слева – схема полупроводника с акцепторной примесью: р-типа (от «pozitiv» – положительный); с избытком дырок.
Слайд 13Прямой р-п-переход.
Прямой п-р-переход. Положительный полюс источника тока подключен к полупроводнику
р-типа. Ток осуществляется основными носителями: из п – электронами, из
р – дырками.
Слайд 14Обратный р-п-переход.
Обратный п-р-переход. Положительный полюс источника тока подключен к полупроводнику
п-типа. Ток осуществляется неосновными носителями, которых мало. Образуется запирающий слой,
через который ток не идет.
Слайд 15Полупроводниковый диод
Полупроводниковый диод – прибор, в котором используют способность р-п-перехода
проводить ток в одном направлении.
На пластинку кремния впаивают каплю индия.
Поверхностный
слой кремния, в который проникнут атомы индия, станет дырочным полупроводником.
На рисунке – вольт – амперная характеристика полупроводникового диода.
Слайд 16Устройство полупроводникового диода.
Пластинка кремния (1) с вплавленным индием (2) помещена
в металлический корпус, предохраняющий кристалл от внешних воздействий.
К кремнию и
индию присоединяют выводы (3) и (4), изолированные от корпуса.
Слайд 17Полупроводниковый диод
Основное свойство полупроводникового диода – проводить ток только в
одном направлении (одностороння проводимость)
Проводит электрический ток
Не проводит электрический ток
Слайд 18Транзистор.
(3) – эмиттер (р-типа)
(5) – коллектор (р-типа)
(2) – база (п-типа)
(4),
(6) – р-п-переходы
(7) – изоляторы
(8) – вывод эмиттера
(9) – вывод
коллектора
(10) – вывод базы
Существует 2 типа транзисторов – р-п-р-типа и п-р-п-типа.
Их обозначения на схеме.
Слайд 19Включение транзистора в цепь.
Оба р-п-перехода соединяют с двумя источниками тока.
Переход
«эмиттер – база» включают в пропускном, а переход «коллектор –
база» в запирающем направлении.
Пока цепь эмиттера разомкнута, ток очень мал.
При замыкании цепи эмиттера, дырки (основные носители заряда эмиттера) переходят из него в базу, создавая ток в этой цепи.
Слайд 20Усилительное действие транзистора.
При включении реостата на полную обмотку – большая
часть напряжения передается на реостат, а меньшая – на лампу,
подобно этому, пока не включена цепь эмиттера, сопротивление «база – коллектор» значительно больше, чем сопротивление лампы.
При включении реостата на минимум – меньшая часть напряжения – на реостате, большая – на лампе. Если замкнуть цепь эмиттера, то сопротивление участка «база – коллектор значительно уменьшится и большая часть напряжения окажется на лампе.
Слайд 21ПРОВЕРЬ СЕБЯ:
Какие вещества называются полупроводниками?
Какой тип связи между атомами
осуществляется в полупроводниковых кристаллах?
Что такое дырочная проводимость?
Атомы с какой валентностью
могут быть акцепторными примесями?
Какие носители заряда создают электрический ток в полупроводниках n-типа?
Какие носители заряда создают электрический ток в полупроводниках p-типа?
Как изменяется удельное электрическое сопротивление полупроводников: а) при нагревании; б) при освещении?
То такое p-n переход?
Почему при отсутствии внешнего электрического поля электроны не переходят через p-n переход из n-полупроводника в p-полупроводник?
Почему p-n переход обладает односторонней проводимостью?
Какими недостатками обладают полупроводниковые диоды?
Почему полупроводниковый диод нельзя использовать для выпрямления тока при очень малых переменных напряжениях?
Слайд 23Задача 5
Каков температурный коэффициент электрического сопротивления материала, если при его
нагревании от 00С до 1000С его электрическое сопротивление увеличилось на
0,1 %?
Слайд 24Задача 6
Электрическая плитка мощностью 600 Вт рассчитана на напряжение 220
В. При работе плитки температура молибденовой нити равна 5000С. Чему
равно сопротивление плитки в рабочем состоянии?
Молибден: α=0,0046 0С-1
Слайд 27Температурный коэффициент удельного сопротивления металлов