Разделы презентаций


электроны в кристаллах

Содержание

1 ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХОдноэлектронное приближение при котором вместо взаимодействия данного электрона с остальными электронами по отдельности рассматривается его движение в некотором результирующем (самосогласованном) поле усредненного пространственного заряда остальных электроновВ приближении сильной

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Презентация на тему: электроны в кристаллах
Подготовил: Студент группы РТ-11
Дмитриев Илья

Презентация на тему:  электроны в кристаллахПодготовил: Студент группы РТ-11Дмитриев Илья

Слайд 21


ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ
Одноэлектронное приближение при котором вместо взаимодействия данного электрона

с остальными электронами по отдельности рассматривается его движение в некотором

результирующем (самосогласованном) поле усредненного пространственного заряда остальных электронов

В приближении сильной связи предполагается, что во всем объеме кристалла существует сильно изменяющееся потенциальное поле

1 ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХОдноэлектронное приближение при котором вместо взаимодействия данного электрона с остальными электронами по отдельности рассматривается

Слайд 3

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ
2
Разрешенной зоной называется интервал значений энергии, которой может

обладать электрон в кристалле

Запрещенные зоны это энергетические промежутки, отделяющие разрешенные

зоны друг от друга

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ2Разрешенной зоной называется интервал значений энергии, которой может обладать электрон в кристаллеЗапрещенные зоны это

Слайд 4ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ
Свойство 1. Число квантовых состояний в разрешенной зоне

равно кратности вырождения атомного уровня энергии, из которого возникла зона,

умноженное на полное число атомов в кристалле
Свойство 2. Электроны являются фермионами и подчиняются принципу Паули, два и более тождественных фермиона (частицы с полуцелым спином) не могут одновременно находиться в одном и том же квантовом состоянии, поэтому число электронов в разрешенной зоне не может превзойти числа имеющихся в нем состояний, называемых вакансиями.
Свойство 3. Низко расположенные уровни образуют узкие зоны, а высоко расположенные – широкие.
Свойство 4. носителями заряда, создающими ток в кристалле могут быть только электроны из обобществленной, частично заполненной зоны. (проводимости) https://www.youtube.com/watch?v=qD7eLEvMHVI

3

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ Свойство 1. Число квантовых состояний в разрешенной зоне равно кратности вырождения атомного уровня энергии,

Слайд 5

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ
Зонная структура некоторых кристаллических проводников и изоляторов
4
Пример 1.

Кристаллы одновалентных химических элементов лития, натрия, калия, меди (проводники) 1s

2 2s 1

Пример 2. Кристаллы двухвалентных химических элементов бериллия, магния (проводники)
1s22s2

Пример 3. Кристалл поваренной соли (изолятор)
Натрий 1s22s12p63s1
Хлор 1s22s22p63s23p5

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХЗонная структура некоторых кристаллических проводников и изоляторов4Пример 1. Кристаллы одновалентных химических элементов лития, натрия,

Слайд 6

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ
Для упрощения анализа применяют адиабатное приближение – атомы

в узлах кристаллической решетки считаются неподвижными
При сближении атомов оболочки начинают

перекрываться

Электроны внутренних оболочек
1s, 2s, 2p

Валентные электроны 3s

Крайний атом

Свободные
электроны

5

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХДля упрощения анализа применяют адиабатное приближение – атомы в узлах кристаллической решетки считаются неподвижнымиПри

Слайд 76
ЗАПОЛНЕНИЕ ЭЛЕКТРОНАМИ
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ
ТВЕРДЫЕ ТЕЛА
вещества с неполным
заполнением верхних
разрешенных

зон – а и б
(металлы)
вещества с полным
заполнением валентной
зоны

- в

Запрещенная зона относительно узкая -
собственные полупроводники (0.5 -1.2 эВ)

Запрещенная зона относительно широкая
диэлектрики (4-5 эВ)

6ЗАПОЛНЕНИЕ ЭЛЕКТРОНАМИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ ТВЕРДЫЕ ТЕЛАвещества с неполным заполнением верхнихразрешенных зон – а и б(металлы)вещества с полным

Слайд 8

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ
1. Решение уравнения Шредингера с учетом периодичности потенциального

поля в кристалле имеет вид волн – волны Блоха, волновая

функция частицы (обычно электрона), расположенной в периодическом потенциале.

2. В кристалле многие физические величины являются периодическими функциями
Например квазиимпульс

3. Закон– зависимость ее энергии от импульса дисперсии частицы

7

ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ1. Решение уравнения Шредингера с учетом периодичности потенциального поля в кристалле имеет вид волн

Слайд 98
ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХ
Представим скорость электронов в кристалле, как групповую скорость

распространения волн де-Бройля
Энергия электрона, выраженная через частоту, соответствующую волне де-Бройля
Волновой

вектор

На электрон во внешнем поле действует сила

Работа по перемещению электрона приводит к изменению энергии электрона

Сила, действующая на электрон

8ЭЛЕКТРОНЫ В КРИСТАЛЛАХПредставим скорость электронов в кристалле, как групповую скорость распространения волн де-БройляЭнергия электрона, выраженная через частоту,

Слайд 109
ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ КРИСТАЛЛОВ
Удельная проводимость
Удельная проводимость

9ЭЛЕКТРОПРОВОДНОСТЬ КРИСТАЛЛОВ Удельная проводимостьУдельная проводимость

Слайд 1110
ТЕПЛОЕМКОСТЬ ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА
Распределение Ферми
Условие вырождения электронного газа
Полностью вырожденный электронный газ

10ТЕПЛОЕМКОСТЬ ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗАРаспределение ФермиУсловие вырождения электронного газаПолностью вырожденный электронный газ

Слайд 1211
ТЕПЛОЕМКОСТЬ ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗА
Суммарная тепловая энергия электрона
 - доля электронов,

участвующих в тепловом движении
1. При больших температурах (больше температуры

Дебая) выполняется закон Дюлонга-Пти

2. При малых температурах

11ТЕПЛОЕМКОСТЬ ЭЛЕКТРОННОГО ГАЗАСуммарная тепловая энергия электрона  - доля электронов, участвующих в тепловом движении 1. При больших

Слайд 1312
ЗАПОЛНЕНИЕ ЭЛЕКТРОНАМИ
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ
Примесные полупроводники отличаются наличием в узлах

решетки атомов посторонних примесей или других дефектов
Примесные уровни,
передающие электроны

в зону
проводимости называют
донорными уровнями,
а полупроводник - донором

Примесные уровни,
на которые могут переходить
электроны валентной зоны,
называют акцепторными уровнями,
а полупроводник - акцептором

12ЗАПОЛНЕНИЕ ЭЛЕКТРОНАМИ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ УРОВНЕЙ Примесные полупроводники отличаются наличием в узлах решетки атомов посторонних примесей или других дефектовПримесные

Слайд 1413
СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХ
Если число частиц N в системе


много меньше числа возможных
состояний G, то проблем
с возможным

заселением одного
уровня несколькими частицами
не существует – это
невырожденное состояние.
Условие невырожденности
состояния системы
N/G<<1

Если число частиц N в системе
сравнимо с числом возможных
состояний G, то необходимы правила
заселением каждого уровня
несколькими частицам – это
вырожденное состояние.
Условие вырожденности
состояния системы
N/G ~ 1

Концентрацию электронов в некотором диапазоне энергий можно определить с помощью распределения электронов по энергиям

Функция плотности энергетических состояний

Энергия электрона, отсчитанная от границы зоны

13СТАТИСТИКА ЭЛЕКТРОНОВ В ТВЕРДЫХ ТЕЛАХЕсли число частиц N в системе много меньше числа возможных состояний G, то

Слайд 15Видеоролики
Термоэлектронная эмиссия -
https://youtu.be/O2-KQhmO5DM
Опыт Штерна и Герлаха
https://youtu.be/2F-7uc0jTgo

ВидеороликиТермоэлектронная эмиссия -https://youtu.be/O2-KQhmO5DMОпыт Штерна и Герлахаhttps://youtu.be/2F-7uc0jTgo

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика