Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем
Содержание
- 1. Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем
- 2. Напопительная балльная система по курсу КБ ЭВС
- 3. Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначенияМобильный телефонДомашний компьютерТелевизорКПККоммуникаторDVDНоутбукМузыкальный плейер
- 4. Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует:1)
- 5. Курс состоит из двух частей:Физика полупроводников (зонная
- 6. Классификация веществ: Удельное сопротивление материалов:Металлы ( 10-6
- 7. Зависимость удельного сопротивления от температуры
- 8. Зависимость удельной проводимости свинца и кремния от температуры
- 9. Использование кремния в качестве основного полупроводникового материала
- 10. Периодическая система элементов Д.И. Менделеева
- 11. Структура кристаллической решетки типа алмаз
- 12. Анизотропия в кристаллах
- 13. Связь атомов в решетке кремния
- 14. Процесс образования пары электрон-дырка
- 15. Схема движения дырки
- 16. Собственный полупроводник
- 17. Примесный полупроводник
- 18. Скачать презентанцию
Напопительная балльная система по курсу КБ ЭВС
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Национальный исследовательский университет «МИЭТ»
Физические основы элементной базы электронно-вычислительных систем
Кафедра Интегральной
электроники и микросистем
Слайд 3Применение интегральных схем и микросистем в устройствах бытового назначения
Мобильный
телефон
Домашний компьютер
Телевизор
КПК
Коммуникатор
DVD
Ноутбук
Музыкальный плейер
Слайд 4Проектирование и изготовление ИС и микросистем требует:
1) знание физики полупроводников
и полупроводниковых приборов;
2) знание технологии изготовления п/п приборов и ИС;
3)
знание схемотехнических решений формирования ИС;4) применение современных САПР и умение работать на них.
Слайд 5Курс состоит из двух частей:
Физика полупроводников (зонная структура п/п, типы
п/п, понятие носителей заряда, концентрация, подвижность и время жизни нз,
плотность электронного и дырочного токов и т.д.);Физика полупроводниковых приборов (диод, биполярный тр-р, МДП и т.д.);
Слайд 6Классификация веществ:
Удельное сопротивление материалов:
Металлы ( 10-6 - 10-4 ) Ом*см;
Полупроводники
( 10-3 – 109 ) Ом*см;
Диэлектрики – ( 1010-1018 )
Ом*см.Полупроводники (Si, Ge, GaAs):
химические элементы (Si, Ge, Se);
интерметаллические соединения (InSb, GaAs);
окислы (CuO2, ZnO);
карбиды (SiC);
сульфиды (CdS, ZnS) и т.д.
Слайд 9Использование кремния в качестве основного полупроводникового материала (преимущества)
1) Кремний доступен
(отработанная технология получения и обработки);
2) Оксид кремния SiO2 – идеальный
диэлектрик;3) Кремниевая интегральная технология отрабатывалась более 45 лет.
