свои преимущества
1. Возможность измерения относительных профилей концентрации различных элементов в
неоднородном по объему образце.
Эта возможность обусловлена самой физической основой метода ВИМС, так как первичный ионный пучок производит распыление поверхности. Если предварительно измерить скорость ионного травления, то временное изменение IА+ соответствует изменению СА(z), так как z = vтрt.
Получить с помощью метода ВИМС надежные сведения о профиле концентрации можно лишь в том случае, если поддерживается постоянная интенсивность тока первичных ионов и обеспечивается однородность плотности тока пучка в той части поверхности образца, из которой отбираются вторичные частицы. В стационарном сфокусированном ионном пучке плотность тока, падающего на образец, непостоянна по сечению пучка, и, следовательно, распыление поверхности в этих условиях не может быть равномерным. Если зона, из которой поступает информация, охватывает все сечение первичного пучка, то вклад в сигнал ионов с краев кратера распыления будет искажать профиль концентрации элемента в приповерхностном слое.