Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Формирование сквозных металлизированных отверстий в арсенид-галлиевых СВЧ
Содержание
- 1. Формирование сквозных металлизированных отверстий в арсенид-галлиевых СВЧ
- 2. Целью данной работы было выполнение анализа влияния
- 3. Операционные параметры режима ПХТ
- 4. Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments GmbH Установка Sentech SI 500Схема установки
- 5. Подбор материала маскиИспользуемые варианты масок
- 6. Подбор материала маскиВ качестве маскирующего материала была
- 7. Подбор оптимальных параметровТравление проводилось в газовой среде
- 8. Результаты исследованияЗависимость средней скорости ПХТ GaAs от давления
- 9. Результаты исследованияЗависимость средней скорости ПХТ ФР маски от давления
- 10. ПрименениеЛицевая (а) и обратная сторона (б) рНЕМТ
- 11. ЗаключениеПо результатам проведенных исследований, можно оценить скорость
- 12. Спасибо за внимание!
- 13. Скачать презентанцию
Целью данной работы было выполнение анализа влияния операционных параметров режима плазмохимического травления GaAs в плазме смеси газов Cl2/BCl3/Ar при формировании сквозных отверстий, а также исследование влияния давления в камере на скорость
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1
Формирование сквозных металлизированных отверстий в арсенид-галлиевых СВЧ МИС
Выполнил: студент группы
9032 Лукин В.А.
Слайд 2Целью данной работы было выполнение анализа влияния операционных параметров режима
плазмохимического травления GaAs в плазме смеси газов Cl2/BCl3/Ar при формировании
сквозных отверстий, а также исследование влияния давления в камере на скорость травления GaAs и фоторезиста.Цель работы
Слайд 3
Операционные параметры режима ПХТ GaAs
Соотношение расхода реакционных газов, стандартные см3/мин
(sccm);
Мощность ICP источника, Вт;
Давление в рабочей камере, Па;
Мощность, подаваемая на
столик, Вт.
Слайд 4Установка травления в индуктивно-связанной плазме SI 500 производства SENTECH Instruments
GmbH
Установка Sentech SI 500
Схема установки
Слайд 6Подбор материала маски
В качестве маскирующего материала была применена двухслойная фоторезистивная
(ФР) маска на основе фоторезиста ФП-2550, толщиной (10-11) мкм, которая
наносилась на пластины методом центрифугирования.
Слайд 7Подбор оптимальных параметров
Травление проводилось в газовой среде Cl2/BCl3/Ar. Соотношение расхода
газов составило (40:20:5) sccm.
Оптимальные параметры для травления:
PICP =
850 Вт,WRF = 50 Вт,
где PICP – мощность источника плазмы, WRF – мощность, подаваемая на столик.
Слайд 10Применение
Лицевая (а) и обратная сторона (б) рНЕМТ транзистора
Полученные результаты с
успехом были использованы при разработке технологии формирования обратной стороны СВЧ
МИС, которая включает в себя следующие основные процессы: ПХТ GaAs, напыление системы металлов, и гальваническое осаждение слоя золота, толщиной (2-3) мкм.Для иллюстрации, показаны лицевая и обратная стороны изготовленного СВЧ рНЕМТ транзистора с заземлением истоков при помощи сформированных металлизированных отверстий.
Слайд 11Заключение
По результатам проведенных исследований, можно оценить скорость травления при изменении
давления в камере. Было показано, что при увеличении давления в
камере средняя скорость травления увеличивается до 3,5 Па, далее падает.Наиболее подходящим является значение давления 3,5 Па, при котором наблюдается оптимальная плазмостойкость маски, высокая средняя скорость травления.
