Слайд 1История развития оперативной
памяти ЭВМ
Слайд 2Основные типы памяти
Полупроводниковая статическая (SRAM)
ячейки представляют собой
полупроводниковые триггеры
используется в качестве кеш-памяти.
Полупроводниковая динамическая
(DRAM)
каждая ячейка представляет собой конденсатор. Основной тип памяти, применяемый в ЭВМ.
Ферромагнитная
Использовалась на ЭВМ первых поколений, однако в последнее время интерес к ней возобновился в связи с разработками MRAM и FeRaM
Слайд 3DRAM Принципы работы
Физически DRAM-память представляет собой набор запоминающих ячеек, которые
состоят из конденсаторов и транзисторов, расположенных внутри полупроводниковой микросхем памяти.
Так как DRAM изготавливается на основе конденсаторов небольшой ёмкости, которые быстро теряют заряд, поэтому информацию приходится обновлять через определённые промежутки времени во избежание потерь данных. Этот процесс называется регенерация памяти.
Слайд 4Первые чипы памяти SDRAM
Патент на первый 16 битовый чип памяти
принадлежит Thomas J. Watson работавшим в IBM в 1968
Первый коммерческий
чип Intel 1103 (1024kbit) был выпущен в 1970
Слайд 6IBM PC, PC/XT
IBM PC комплектовался 8 или 32 отдельными чипами
2KB SDRAM памяти.
С началом массового производства PC/XT стандартный объем памяти
увеличился до 256 Кб, затем появились платы расширения объемом 384 Кб. Установка дополнительной памяти проходила следующим образом: в специальную плату расширения вставлялись микросхемы памяти, затем с помощью перемычек на материнской плате компьютеру сообщалось, сколько у него памяти.
Таким образом, суммарная емкость оперативной памяти стала достигать «целых» 640 Кб. Это было уже в 80-х годах. Именно тогда, в 1981 году, Билл Гейтс сделал свое знаменитое заявление: «640 килобайт должно хватить всем!».
Слайд 7SIPP
Этот тип памяти использовался в ПК 80286 начиная с 1982
года. Начиная с 1983 были заменены SIMM памятью
Слайд 8SIMM
Начиная с 1983 и вплоть до конца 1990 этот тип
памяти стал основным для ПК(вначале 30 контактные версии, позже 72)
Использовались
чипы памяти FPM(память со страничной адресацией) и позже EDO.
Объем 256KB - 16 MB для 30 контактной версии, до 128 МВ для 72
Максимальная частота шины 75 МГц(EDO)
Слайд 9DIMM
форм-фактор модулей памяти DRAM появился в 1997 году
Тактовая
частота 66-133Mhz
Объем до 256Мб
Пропускная способность – до 1600 Мбайт/сек
Слайд 10Rambus Ram
RDRAM — cтандарт оперативной памяти, разработанный компанией Rambus в
сотрудничестве с Intel в 1996 году. Основными преимуществами были многоканальный
режим и высокая тактовая чатота.
Пропускная способность памяти до 1 Гб\с
Частоты: 300-800Mhz
Недостатки: Главным и основным недостатком нового типа памяти являлись очень большая стоимость производства, а так же неверная политика лицензирования Rambus и Intel.
Применение: Использовались вместе с некоторыми первыми процессорами Pentium 4 и серверными Xeon.
Широкого распространения так и не получила, и Intel отказался от поддержки этого типа памяти.
В настоящий момент применяются в некоторых игровых приставках.
Слайд 11DDR SDRAM
В то время, как Intel продвигал RdRam AMD продолжал
усовершенствовать SDRAM
Совместно с Samsung выпускается стандарт SDRAM II
или DDR SDRAM. Основным преимуществом которого являлся двухканальный режим.
Тактовая частота 100-266Mhz
Пропускная способность до 8533 Мбайт/сек
Слайд 12DDR2
Приходит на смену DDR в 2003 году, Основное отличие DDR2
от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой
данные передаются в буфер микросхемы памяти, а так же пониженное электропитание 1,8 В (для DDR1 - 2,5 В )
Тактовая частота 266 МГц-600 МГцMhz
Пропускная способность 9600 МБ/с
Слайд 13DDR3
DDR3 имеет еще более пониженное рабочее напряжение(1,5В)
Возможность работы в трехканальном
режиме
Пропускная способность до 19200 МБ/с
Частота : до 1200 МГц
Слайд 15Сводная диаграмма
Пропускная способность памяти, МБ/с
Слайд 16Дальнейшее развитие
В наиболее производительных графических картах уже используется GDDR5
c пропускной способностью до
28 ГБ/с. Как было
с DDR2 и DDR3 через 2-3 года новый тип памяти видеокарт становится стандартом и для ПК. Вероятнее всего это же произойдет с DDR5( DDR4 оказался неудачным, и скорее всего он так и останется памятью для видеокарт)
Существует большое количество перспективных разработок, с новым подходом. Например разработки быстрой памяти, способной сохранять информацию без подачи электроэнергии. Некоторые из таких разработок FeRAM и MRAM(Магниторезистивная оперативная память “Универсальная память”).
