Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Лекции по электронике для направления подготовки 28.03.02 Наноинженерия -
Содержание
- 1. Лекции по электронике для направления подготовки 28.03.02 Наноинженерия -
- 2. Биполярные транзисторы Устройство n-p-n транзистора, условное графическое
- 3. Биполярные транзисторыУстройство p-n-p транзистора, условное графическое обозначение
- 4. Биполярные транзисторыСмещение переходов транзистора в различных режимах
- 5. Биполярные транзисторы Уравнение Эберса-Молла -зависимость тока
- 6. Биполярные транзисторыСхема замещения биполярного транзистора
- 7. Биполярные транзисторыУравнения биполярного транзистора в h – параметрах
- 8. Биполярные транзисторыСхема замещения биполярного транзистора в h – параметрах
- 9. Биполярные транзисторыРежим насыщенияУсловие насыщенияКоэффициент насыщения
- 10. Скачать презентанцию
Биполярные транзисторы Устройство n-p-n транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения В зависимости от последовательности чередования областей с различным типом проводимости различают n-p-n и p-n-p транзисторы
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Лекции по электронике для направления подготовки 28.03.02 Наноинженерия - Технология наноматериалов
Слайд 2Биполярные транзисторы
Устройство n-p-n транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения
Слайд 3Биполярные транзисторы
Устройство p-n-p транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения
В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам
транзистора различают режимы работы транзистора:1) линейный; 2) насыщения; 3) отсечки; 4) инверсный
Слайд 4Биполярные транзисторы
Смещение переходов транзистора в различных режимах
линейный режим: эмиттерный
переход смещен в прямом направлении, коллекторный переход - в обратном;
режим насыщения: эмиттерный и коллекторный переходы смещены в прямом направлении;
режим отсечки: эмиттерный и коллекторный переходы смещены
в обратном направлении;
инверсный режим: эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в прямом.
Возможен нерабочий режим – аварийный (режим пробоя)
Слайд 5Биполярные транзисторы
Уравнение Эберса-Молла -зависимость тока коллектора от напряжения
на эмиттерном переходе
При протекании тока базы возникает инжекция
зарядов из области коллектора в область базы и ток коллектора увеличивается в В раз, В – коэффициент передачи тока базы. Инжекция — физическое явление, при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n – переходах в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда. Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого смещения.
Слайд 9Биполярные транзисторы
Режим насыщения
Условие насыщения
Коэффициент насыщения
- ток базы в режиме насыщения
- ток базы в граничном режиме
