Разделы презентаций


Лекции по электронике для направления подготовки 28.03.02 Наноинженерия - презентация, доклад

Биполярные транзисторы Устройство n-p-n транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения В зависимости от последовательности чередования областей с различным типом проводимости различают n-p-n и p-n-p транзисторы

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Лекции по электронике для направления подготовки 28.03.02 Наноинженерия - Технология наноматериалов

Лекции по электронике для направления подготовки 28.03.02 Наноинженерия - Технология наноматериалов

Слайд 2Биполярные транзисторы
Устройство n-p-n транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения

В зависимости от последовательности чередования областей

с различным типом проводимости различают n-p-n и p-n-p транзисторы
Биполярные транзисторы Устройство n-p-n транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения     В зависимости

Слайд 3Биполярные транзисторы
Устройство p-n-p транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения

В зависимости от полярности напряжений, приложенных к электродам

транзистора различают режимы работы транзистора:
1) линейный; 2) насыщения; 3) отсечки; 4) инверсный
Биполярные транзисторыУстройство p-n-p транзистора, условное графическое обозначение и схема замещения   В зависимости от полярности напряжений,

Слайд 4Биполярные транзисторы









Смещение переходов транзистора в различных режимах

линейный режим: эмиттерный

переход смещен в прямом направлении, коллекторный переход - в обратном;

режим насыщения: эмиттерный и коллекторный переходы смещены
в прямом направлении;
режим отсечки: эмиттерный и коллекторный переходы смещены
в обратном направлении;
инверсный режим: эмиттерный переход в обратном направлении, коллекторный в прямом.

Возможен нерабочий режим – аварийный (режим пробоя)

Биполярные транзисторыСмещение переходов транзистора в различных режимах линейный режим: эмиттерный переход смещен в прямом направлении, коллекторный переход

Слайд 5Биполярные транзисторы
Уравнение Эберса-Молла -зависимость тока коллектора от напряжения

на эмиттерном переходе

При протекании тока базы возникает инжекция

зарядов из области коллектора в область базы и ток коллектора увеличивается в В раз, В – коэффициент передачи тока базы.







Инжекция — физическое явление, при котором при пропускании электрического тока в прямом направлении через p-n – переходах в прилежащих к переходу областях создаются высокие концентрации неравновесных («инжектированных») носителей заряда. Явление инжекции является следствием уменьшения высоты потенциального барьера в p-n-переходе при подаче на него прямого смещения.

Биполярные транзисторы  Уравнение Эберса-Молла -зависимость тока коллектора от напряжения на эмиттерном переходе  При протекании тока

Слайд 6Биполярные транзисторы
Схема замещения биполярного транзистора

Биполярные транзисторыСхема замещения биполярного транзистора

Слайд 7Биполярные транзисторы
Уравнения биполярного транзистора
в h – параметрах

Биполярные транзисторыУравнения биполярного транзистора в h – параметрах

Слайд 8Биполярные транзисторы
Схема замещения биполярного транзистора в h – параметрах

Биполярные транзисторыСхема замещения биполярного транзистора в h – параметрах

Слайд 9Биполярные транзисторы
Режим насыщения
Условие насыщения
Коэффициент насыщения

- ток базы в режиме насыщения


- ток базы в граничном режиме



Биполярные транзисторыРежим насыщенияУсловие насыщенияКоэффициент насыщения      - ток базы в режиме насыщения

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика