Материалы электронной техники I – триклинная ( a≠b≠c ;α≠β≠γ≠ 90 0 ); II –

Содержание

1. Материалы электронной техники I – триклинная ( a≠b≠c ;α≠β≠γ≠ 90 0 ); II –
2. Слайд 2
3. Слайд 3
4. Слайд 4
5. Точеные дефекты
6. Простейшие виды дислокаций – краевые и винтовыеРис.
7. Рис. 2.4. Механизм образования винтовой дислокацииПлотность дислокаций
8. Рис.3.1. Изменение свободной энергии в зависимости от
9. Рис.3.4. Модель процесса кристаллизацииРис. 3.5. Кинетическая кривая процесса кристаллизации
10. Рис. 3.6. Зависимость числа центров кристаллизации (а)
11. Физическая природа электропроводности металлов(1) где d –плотность материала;
12. Слайд 12
13. λт=(1 /2)kn (9)λт/=3k2e-2T=L0TL0=λт /(σT) =(π2/3)(k/e)2= 2,45 10-8 B2K-2CV=Cреш+Се=3R+(3/2)kN0=(9/2)RЭлектрохимическийпотенциалρт-тепловой факторβ=ρ300 /ρ4,2 (16)
14. Рис. 4.1. Схема микроструктуры механической смесиРис. 4.2.
15. Рис. 4.5. Диаграмма состоянияРис.5.1 Диаграмма состояния сплавов
16. Рис. 5.4. Схема микроструктур сплавов: а –
17. Рис. 5.8. Связь между свойствами сплавов и типом диаграммы состоянияЭлектрические свойства металлических сплавов
18. (3.3)(3.4) ρост = С·ХВ,Ф = L·i ,JX(z) = J0exp(-z/),J = ·E. SЭ = П = d.
19. RS = ρ/,1/l = 1/l + 1/lS,( 3.5)для /l > 1для /l
20. TKR = ТК – TKl.
21. Слайд 21
22. Скачать презентанцию

Точеные дефекты

Главная
Разное
Материалы электронной техники I – триклинная ( a≠b≠c ;α≠β≠γ≠ 90 0 ); II –

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Материалы электронной техники
I – триклинная (a≠b≠c ;α≠β≠γ≠ 900 ); II

– моноклинна я (a≠b≠c; α =β=900); III – ромбическая (a≠b≠c;

α =β=γ= 900);
IV – те трагональная (a=b≠ c; α =β=γ= 900); V – тригональ ная (a=b=c; α =β=γ≠ 900); VI – гекса гональная (a=b≠c;
α =β=900); VII – кубическая (a=b≠c; α =β=γ= 900).

Материалы электронной техникиI – триклинная (a≠b≠c ;α≠β≠γ≠ 900 ); II – моноклинна я (a≠b≠c; α =β=900); III

Слайд 2

Слайд 3

Слайд 4

Слайд 5Точеные дефекты

Слайд 6Простейшие виды дислокаций – краевые и винтовые
Рис. 2.2. Краевая дислокация

(а) и механизм ее образования (б)
Рис. 2.3. Искажения в кристаллической

решетке при наличии краевой дислокации

Простейшие виды дислокаций – краевые и винтовыеРис. 2.2. Краевая дислокация (а) и механизм ее образования (б)Рис. 2.3.

Слайд 7Рис. 2.4. Механизм образования винтовой дислокации
Плотность дислокаций в кристалле
определяется

как среднее число линий дислокаций,
пересекающих внутри тела площадку площадью

1 м2,
или как суммарная длина линий дислокаций в объеме 1 м3

(см-2; м-2)

Рис. 2.6. Разориентация
зерен и блоков в металле

Рис. 2.4. Механизм образования винтовой дислокацииПлотность дислокаций в кристалле определяется как среднее число линий дислокаций, пересекающих внутри

Слайд 8Рис.3.1. Изменение свободной энергии в
зависимости от температуры
Рис.3.2. Кривая охлаждения

чистого металла
Рис.3.3. Зависимость энергии системы от размера зародыша твердой фазы

Рис.3.1. Изменение свободной энергии в зависимости от температурыРис.3.2. Кривая охлаждения чистого металлаРис.3.3. Зависимость энергии системы от размера

Слайд 9Рис.3.4. Модель процесса кристаллизации
Рис. 3.5. Кинетическая кривая процесса кристаллизации

Слайд 10Рис. 3.6. Зависимость числа центров кристаллизации (а) и скорости роста

кристаллов (б) от степени переохлаждения
Рис. 3.7. Схема стального слитка Слиток

состоит из трех зон:
мелкокристаллическая корковая зона; зона столбчатых кристаллов;
внутренняя зона крупных равноосных кристаллов.

Рис.3.8. Схема дендрита по Чернову Д.К

Рис. 3.6. Зависимость числа центров кристаллизации (а) и скорости роста кристаллов (б) от степени переохлажденияРис. 3.7. Схема

Слайд 11Физическая природа электропроводности металлов
(1)
где d –плотность материала; А – атомная

масса; N0 – число Авогадро, N0 = 6,022045∙1023
(2)
где

− средняя скорость теплового движения; k – постоянная Больцмана, m − масса свободного электрона.

j = env, (3)

где v − средняя скорость направленного движения носителей заряда (скорость дрейфа), e − заряд электрона.

≫ v.

α = eE/m, (4)

vмах = ατ0, (5)

≫ v

τ0 = l/

j=e2nlE/m

, (7)

, (8)

, (9)

(10)

Физическая природа электропроводности металлов(1) где d –плотность материала; А – атомная масса; N0 – число Авогадро, N0 =

Слайд 12

Слайд 13λт=(1 /2)kn
(9)
λт/=3k2e-2T=L0T
L0=λт /(σT) =(π2/3)(k/e)2= 2,45 10-8 B2K-2
CV=Cреш+Се=3R+(3/2)kN0=(9/2)R
Электрохимический
потенциал
ρт
-тепловой фактор
β=ρ300 /ρ4,2

(16)

λт=(1 /2)kn (9)λт/=3k2e-2T=L0TL0=λт /(σT) =(π2/3)(k/e)2= 2,45 10-8 B2K-2CV=Cреш+Се=3R+(3/2)kN0=(9/2)RЭлектрохимическийпотенциалρт-тепловой факторβ=ρ300 /ρ4,2 (16)

Слайд 14Рис. 4.1. Схема микроструктуры
механической смеси
Рис. 4.2. Кристаллическая
решетка химического

соединения
Рис.4.3. Схема микроструктуры
твердого раствора
Рис.4.4. Кристаллическая решетка
твердых растворов замещения

(а),
внедрения (б)

Рис. 4.1. Схема микроструктуры механической смесиРис. 4.2. Кристаллическая решетка химического соединенияРис.4.3. Схема микроструктуры твердого раствораРис.4.4. Кристаллическая решетка

Слайд 15Рис. 4.5. Диаграмма состояния
Рис.5.1 Диаграмма состояния сплавов с неограниченной растворимостью

компонентов в твердом состоянии (а); кривые охлаждения типичных сплавов (б)
Рис.

5.2. Схема микроструктуры сплава
– однородного твердого раствора

Рис. 5.3. Диаграмма
состояния
сплавов с отсутствием
растворимости
компонентов в твердом
состоянии (а) и кривые

Рис. 4.5. Диаграмма состоянияРис.5.1 Диаграмма состояния сплавов с неограниченной растворимостью компонентов в твердом состоянии (а); кривые охлаждения

Слайд 16Рис. 5.4. Схема микроструктур сплавов: а – доэвтектического, б –

эвтектического, в – заэвтектического
Рис. 5.5 Диаграмма состояния сплавов с ограниченной

растворимостью
компонентов в твердом состоянии (а) и кривые охлаждения типичных сплавов (б)

Рис. 5.6. Диаграмма состояния сплавов, компоненты которых образуют химические соединения

Рис. 5.7. Диаграмма состояния сплавов, испытывающих фазовые превращения в твердом состоянии (а) и кривая охлаждения сплава (б)

Рис. 5.4. Схема микроструктур сплавов: а – доэвтектического, б – эвтектического, в – заэвтектическогоРис. 5.5 Диаграмма состояния

Слайд 17Рис. 5.8. Связь между свойствами сплавов и типом диаграммы состояния
Электрические

свойства металлических сплавов

Слайд 18(3.3)
(3.4)
ρост = С·ХВ,
Ф = L·i ,
JX(z) = J0exp(-z/),
J =

·E.
SЭ = П = d.

Слайд 19 RS = ρ/,
1/l = 1/l + 1/lS,
( 3.5)
для /l

> 1
для /l

R□·l0/d0,

λ/ = L0/T,

L0 = (·k)2/(3·е2).

RS = ρ/,1/l = 1/l + 1/lS,( 3.5)для /l > 1для /l

Слайд 20TKR = ТК – TKl.

(3.6)

U = Т(Т2–Т1),

Слайд 21

Скачать презентацию

Разделы презентаций