Модели расчета биполярных транзисторов VBIC, HICUM, MEXTRAM

Д.В.

VBIC, MEXTRAM используют нормированный заряд.

к встроенному заряду НЗ в базе, состоит из q1, учитывающего

эффект Эрли, и q2, учитывающего большую инжекцию. q1 нормированный заряд qjbe и qjbc. Также используется параметр NKF для лучшей симуляции отрицательного наклона коэффициента усиления по току.
HICUM
Используется абсолютное значение заряда Qpt, компоненты времени переноса заряда Tft. В него входят компонента зависящая от напряжения Tf0, позволяющая учитывать эффект Эрли, и компонента зависящая от тока, позволяющая учитывать эффект насыщения скорости дрейфа НЗ в ОПЗ.
MEXTRAM
Используется нормированное значение заряда. Q2 рассчитывается с помощью концентрации электронов, нормированной на ток в точке перегиба ВАХ.

Использование вместо напряжений на p-n переходах выражения для нормированного заряда обедненной области коллекторного перехода, нелинейно зависящие от напряжений на переходах позволяют учесть эффект Эрли наиболее точно.

и в других моделях. Эти компоненты рассчитываются с помощью введения

параметра WBE. Компоненты туннельного тока имеют экспоненциальную зависимость.
Внутренний ток кб определяется в главном npn транзисторе, а внешний определяется как ток базы паразитного pnp транзистора.
HICUM
Внутренние и внешние компоненты содержат неидеальности.
MEXTRAM
Используется коэффициент усиления по току. Для расчета идеальной составляющей тока используется разделяющий параметр Ib1, для расчета неидеальной составляющей Ib2 не используется.
Для расчета тока кб используются идеальные компоненты Iex, XIEx, определяемые узлами В и В1. Неидеальная компонента, определяемая В1 и неразделенная.

на схеме представлено двумя резисторами: постоянный резистор RBX представляет сумму

сопротивлений контакта к базе и пассивной базы, а переменный резистор RBI - переменное сопротивление активной базы. Таким образом косвенно учитывается эффект оттеснения тока.
HICUM
переменное сопротивление базы представлено на эквивалентной схеме двумя отдельными резисторами: rBx и rBi. rBx - суммарное сопротивление пассивной базы и контакта к базе, а rBi – сопротивление активной базы, зависящее от концентрации носителей заряда в базе, поверхностного сопротивления и геометрических размеров активной базы, эффекта оттеснения тока в переходе эмиттер-база. Модель предоставляет наибольшее количество параметров для описания эффекта модуляции ширины базы, что позволяет точнее подогнать характеристики под эксперимент.
MEXTRAM
Включается так же параметр модели – сопротивление активной базы при нулевых напряжениях на переходах. Сопротивление постоянного и переменного тока вычисляются одновременно.

паразитные емкости перекрытия поликремниевых слоев.
HICUM
включены как внутренние, так и внешние

паразитные емкости. Однако, в эквивалентной схеме внутренний QBCx и внешний QBC’x составляющие паразитных емкостей представлены отдельными конденсаторами.
MEXTRAM
в эквивалентную схему входят дополнительные элементы QBE0 и QBC0, включающие в себя сумму внутренних и внешних паразитных емкостей транзисторной структуры.