Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Общая организация памяти
Содержание
- 1. Общая организация памяти
- 2. Память вычислительной системы обычно состоит из одной
- 3. организация памяти МПС
- 4. Характеристики модуляИнформационная емкость микросхемы М = N
- 5. Характеристики модуляОрганизация матрицы модуля K x L K
- 6. Оперативная память на микросхемах статических ОЗУ Блок
- 7. Слайд 7
- 8. Слайд 8
- 9. Блок памяти 8КХ8
- 10. Блок памяти с раздельными входамиDD17- компараторDD19- ШИННЫЙ
- 11. Блок памяти на микросхемах РПЗУ-УФРешение практических задач
- 12. модуль РПЗУ емкостью 32К байта
- 13. Блок памяти может работать в режимах хранения,
- 14. Скачать презентанцию
Память вычислительной системы обычно состоит из одной или нескольких печатных плат, которые подключены к системной шин , в большинстве систем имеются модули ПЗУ
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2
Память вычислительной системы обычно состоит из одной или нескольких печатных
плат, которые подключены к системной шин
имеются модули ПЗУ и ЗУПВ.
Слайд 4Характеристики модуля
Информационная емкость микросхемы
М = N x n (бит)
N -количество ячеек микросхемы
(глубина адресов - 2*m,
m-количество входных адресных линий
п –разрядность ячейкиN x n –организация микросхемы
Слайд 5Характеристики модуля
Организация матрицы модуля
K x L K –количество адресов модуля
L -разрядность слова
К
= N1+N2+…..NqL = n1+n2+……ng
Слайд 6Оперативная память на микросхемах статических ОЗУ
Блок ОЗУ в общем
случае включает :
модуль ОЗУ, составленный из микросхем памяти,
контроллер ОЗУ (устройство управления), буферные регистры или магистральные приемопередатчики,
шинные формирователи, обеспечивающие сопряжение по нагрузке модуля ОЗУ с шинами адреса и данных.
Слайд 10Блок памяти с раздельными входами
DD17- компаратор
DD19- ШИННЫЙ ФОРМИРОВАТЕЛЬ
DD20,21-БУФЕРНЫЙ РЕГИСТР
DD1-
DD8 –МИКРОСХЕМЫ ПАМЯТИ
DI –вход записываемой информации
DO –выход читаемой информации
(блок
реализован на 16-и БИС К537РУ3 Организация 4КХ1 )
Слайд 11Блок памяти на микросхемах РПЗУ-УФ
Решение практических задач по применению микросхем
ПЗУ (ПЗУМ, ППЗУ, РПЗУ) включает этап их программирования и
этап
встраивания в принципиальную схему разрабатываемого устройства.При использовании микросхем ПЗУМ и ППЗУ программирование осуществляют предварительно, так что в устройстве эти микросхемы работают только в режимах считывания и хранения и для управления ими достаточно иметь вход для сигнала выбора микросхем.
Многие микросхемы ППЗУ имеют несколько таких входов, что позволяет повышать гибкость управления.
Микросхемы РПЗУ имеют более сложное управление, допускающее их программирование в составе устройства. Эти особенности сказываются на структуре контроллера ПЗУ.
Слайд 13
Блок памяти может работать в режимах
хранения, считывания и программирования.
Стирание информации производят облучением УФ светом кристалла микросхемы с соблюдением
требований.Для обращения к блоку РПЗУ необходимо совпадение кода адреса блока, установленного перемычками S1— S4 и кода А15 —А18, принятого с линий ША.
Выполнение этого условия контролирует компаратор DD1, на выходе которого появляется 1.
Элемент DD2 анализирует уровень сигнала EPROM2 разрешении обращения к ПЗУ м при 1 формирует сигнал разрешения для DD7 и других узлов контроллера.
