Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Полевой транзистор
Содержание
- 1. Полевой транзистор
- 2. Полевой транзистор. Классификация полевых транзисторов. Полевые транзисторы
- 3. Общие сведенияПолевой транзистор (ПТ) – полупроводниковый прибор,
- 4. Классификация полевых транзисторовПо конструкции полевые транзисторы можно
- 5. Полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом
- 6. Полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом
- 7. Полевые транзисторы с управляющим p–n-переходомРежим отсечки:Линейный режим:Режим насыщения:
- 8. МОП-транзисторы с индуцированным каналом
- 9. МОП-транзисторы с индуцированным каналом
- 10. МОП-транзисторы с индуцированным каналомВыходная характеристика на участке,
- 11. МОП-транзисторы с встроенным каналом
- 12. МОП-транзисторы с встроенным каналом
- 13. Спасибо за вниманиеiuriimurashov@gmail.com
- 14. Скачать презентанцию
Полевой транзистор. Классификация полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом. МОП-транзисторы с индуцированным каналом. МОП-транзисторы с встроенным каналом. iuriimurashov@gmail.com
Слайды и текст этой презентации
Слайд 2Полевой транзистор. Классификация полевых транзисторов. Полевые транзисторы с управляющим p–n-переходом.
МОП-транзисторы с индуцированным каналом. МОП-транзисторы с встроенным каналом.
Слайд 3Общие сведения
Полевой транзистор (ПТ) – полупроводниковый прибор, в котором регулирование
тока осуществляется изменением проводимости проводящего канала с помощью поперечного электрического
поля.
Слайд 4Классификация полевых транзисторов
По конструкции полевые транзисторы можно разбить на две
группы:
с управляющим p–n-переходом
с металлическим затвором, изолированным от канала диэлектриком
Слайд 10МОП-транзисторы с индуцированным каналом
Выходная характеристика на участке, соответствующем линейному режиму,
аппроксимируется выражением:
где b – удельная крутизна МОП-транзистора.
