Разделы презентаций

Постоянные запоминающие устройства

Содержание

Постоянные запоминающие устройства ROM (Read-Only Memory)Используются для хранения неизменяемой информации: загрузочных программ ОС, программ BIOS, тестовых программ.Программируемые при изготовлении – классические ROMОднократно программируемые после изготовления PROMМногократно программируемые EPROMЭнергонезависимая

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Постоянные запоминающие устройства
Кафедра ВТ

Постоянные запоминающие устройстваКафедра ВТ

Слайд 2Постоянные запоминающие устройства ROM (Read-Only Memory)
Используются для хранения неизменяемой информации:

загрузочных программ ОС, программ BIOS, тестовых программ.
Программируемые при изготовлении –

классические ROM

Однократно программируемые после изготовления PROM

Многократно программируемые EPROM

Энергонезависимая

Постоянные запоминающие устройства ROM (Read-Only Memory)Используются для хранения неизменяемой информации: загрузочных программ ОС, программ BIOS, тестовых программ.Программируемые

Слайд 3Классические ПЗУ – масочные диодные и транзисторные, лазерные
Выборка
слова
Выборка разряда слова
Увеличивают

толщину подзатворного окисла.
За счет этого транзистор не включается
при подаче рабочего

напряжения.
Классические ПЗУ – масочные диодные и транзисторные, лазерныеВыборкасловаВыборка разряда словаУвеличивают толщину подзатворного окисла.За счет этого транзистор не

Слайд 4Однократно программируемые ПЗУ PROM и EPROM-OTP
Информация однократно записывается потребителем.
Плавкая перемычка
Встречно

включенные диоды
Плавкая перемычка
1
0
0
1
1
0

Однократно программируемые ПЗУ PROM и EPROM-OTPИнформация однократно записывается потребителем.Плавкая перемычкаВстречно включенные диодыПлавкая перемычка100110

Слайд 5Многократно программируемые ПЗУ
EPROM (Erasable Programmable ROM) – стираемые программируемые

ПЗУ.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) – электрически стираемые программируемые ПЗУ.

Флэш-память.

Многократно программируемые ПЗУ EPROM (Erasable Programmable ROM) – стираемые программируемые ПЗУ.EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) – электрически

Слайд 6EPROM и EEPROM
Основной режим - чтение, выполняется с большой скоростью.

Чтобы

заменить информацию микросхема выводится из рабочего режима и подвергается воздействию

ультрафиолетом или электрическими сигналами. При этом информация удаляется полностью.

Основа данных ЗУ – МОП транзисторы, над каналами которых созданы области – ловушки способные захватывать и удерживать электрический заряд. Репрограммирование это удаление или создание заряда.
EPROM и EEPROMОсновной режим - чтение, выполняется с большой скоростью.Чтобы заменить информацию микросхема выводится из рабочего режима

Слайд 7Структуры транзисторов с с зонами хранения зарядов MNOS (Metal-nitrid-oxide-semicondaductor)
Отсутствие или

наличие заряда создают
условия хранения 0 или 1.
Заряд записывают, создавая под

затвором
напряженность электрического поля,
достаточную для возникновения тунельного
перехода электронов через слой двуокиси кремния.

Срок хранения до десятков лет. Количество перезаписей до 1000000.

ЛОВУШКА1

Структуры транзисторов с с зонами хранения зарядов MNOS (Metal-nitrid-oxide-semicondaductor)Отсутствие или наличие заряда создаютусловия хранения 0 или 1.Заряд

Слайд 8Транзисторы с плавающим затвором
Используются в ЗУ с
ультрафиолетовым стиранием
электрической записью.
Запись

0 – записывается путем приложение к
P-n переходу повышенного напряжения и

за счет этого в область плавающего
затвора вводится заряд инжекцией электронов.
За счет этого создается проводящий канал.

ЛИЗМОП транзистор

Отсутствует управление по затвору.

Транзисторы с плавающим затворомИспользуются в ЗУ сультрафиолетовым стиранием электрической записью.Запись 0 – записывается путем приложение кP-n переходу

Слайд 9Транзисторы с двумя затворами
Применяется в ЗУ с
электрической записью и


стиранием.
Заряженный электронам плавающий затвор увеличивает пороговое
напряжение транзистора так, что

при подаче рабочего напряжения
на затвор транзистор не работает, проводящий канал не образуется.

Программирование - подача высокого
напряжения на затвор и сток.
Стирание – подача низкого напряжения
на затвор и высокого на исток.

Транзисторы с двумя затворамиПрименяется в ЗУ с электрической записью и стиранием.Заряженный электронам плавающий затвор увеличивает пороговое напряжение

Слайд 10EPROM и EPROM-OTR
Запоминающий элемент состоит из обычного транзистора для выборки

адреса и ЛИЗМОП транзистора, выполняющего роль программируемой перемычки.
(One Time Programmable)
Число

циклов УФ стирания ограничено до 1000 раз.

К573 имеет емкость 1 Мбит и время доступа 350 нс.
Микросхемы имеют специальное окно для УФ лучей.

Современные EPROM
Обладают емкостью до
32Мбит и доступом 70-100 нс.

EPROM и EPROM-OTRЗапоминающий элемент состоит из обычного транзистора для выборки адреса и ЛИЗМОП транзистора, выполняющего роль программируемой

Слайд 11EEPROM
Длительность процесса «стирание –запись» значительно меньше , чем у EPROM.

Допускает до 100000 циклов.
Современные EEPROM обладают емкостью до 4 Мбит

и работают на 50 МГц.

Стирание – запись единиц

EEPROMДлительность процесса «стирание –запись» значительно меньше , чем у EPROM. Допускает до 100000 циклов.Современные EEPROM обладают емкостью

Слайд 12Пример структуры EPROM фирмы Cypress Semicondactor
4 кбит при организации 512

на 8, время доступа 25 нс.

Пример структуры EPROM фирмы Cypress Semicondactor4 кбит при организации 512 на 8, время доступа 25 нс.

Слайд 13Флэш- память
По основным принципам работы сходна с EEPROM, но имеет

структурные и технологические особенности. Для заряда плавающих затворов используется лавинная

инжекция, а для стирания – тунелирование электронов через тонкий слой диэлектрика (эффект Нордхайма-Фаули).

Стирание производится блоками.

Флэш на основе ИЛИ-НЕ
NOR

Флэш на основе И-НЕ
NAND

Два типа схемотехники

Флэш- памятьПо основным принципам работы сходна с EEPROM, но имеет структурные и технологические особенности. Для заряда плавающих

Слайд 14Флэш на ячейках ИЛИ-НЕ (NOR)
Полезная приемственность с ЗУ предшествениками
Каждый столбец

–
группа ячеек ИЛИ-НЕ
При работе ячейки столбца – все транзисторы
заперты, кроме

транзистора выбранной строки

Для NOR микросхем размер стираемого блока варьируется
от единиц до сотен кБайт, сектор записи — от единиц до
сотен байт, страница чтения — единицы-десятки байт

Количество циклов до 100000
Время хранения 10-20 лет.

Флэш на ячейках ИЛИ-НЕ (NOR)Полезная приемственность с ЗУ предшественикамиКаждый столбец –группа ячеек ИЛИ-НЕПри работе ячейки столбца –

Слайд 15Флэш на ячейках И-НЕ (NAND)
В два раза компактнее, чем флэш

на или-не
Для считывания состояния адресованного
транзистора все остальные должны быть

открыты.

Состояние разрядной
линии определяется
состоянием одного
транзистора в
линии.

Микросхема NAND может иметь размер стираемого блока в сотни
кБайт, размер страницы записи и чтения 4 кБайт.

Флэш на ячейках И-НЕ (NAND)В два раза компактнее, чем флэш на или-неДля считывания состояния адресованного транзистора все

Похожие презентации

Легочная гипертензия. Определение, клиника, диагностика. Студентка 23 группы VI Легочная гипертензия. Определение, клиника, диагностика. Студентка 23 группы VI 272
HR- community HR- community 255
Марий-Эл 100 лет Моя республика Марий-Эл 100 лет Моя республика 383
Правонарушения в сети интернет Правонарушения в сети интернет 546
ЗАГАЛЬНІ ВІДОМОСТІ ПРО ДЕРЕВООБРОБНІ ПІДПРИЄМСТВА ЗАГАЛЬНІ ВІДОМОСТІ ПРО ДЕРЕВООБРОБНІ ПІДПРИЄМСТВА 257
ЗАНЯТИЕ НАЧАТО! ПРОСЬБА ОТКЛЮЧИТЬ СОТОВЫЕ ТЕЛЕФОНЫ О единой государственной ЗАНЯТИЕ НАЧАТО! ПРОСЬБА ОТКЛЮЧИТЬ СОТОВЫЕ ТЕЛЕФОНЫ О единой государственной 273
МБУК Питерская межпоселенческая центральная библиотека Над нами реет флаг МБУК Питерская межпоселенческая центральная библиотека Над нами реет флаг 496
Христианская практика Христианская практика 221
Заработная плата, гарантии, компенсации Заработная плата, гарантии, компенсации 374
Санкт-Петербургский Технологический институт (Технический университет). Кафедра Санкт-Петербургский Технологический институт (Технический университет). Кафедра 221
Лечение переломов верхней челюсти Лечение переломов верхней челюсти 255
ИЗБИРАТЕЛЬНОЕ ПРАВО ЗАРУБЕЖНЫХ СТРАН ИЗБИРАТЕЛЬНОЕ ПРАВО ЗАРУБЕЖНЫХ СТРАН 406
Античная цивилизация Античная цивилизация 256
Богатства отданные людям Богатства отданные людям 383
ЗООЛОГИЯ ПОЗВОНОЧНЫХ ЗООЛОГИЯ ПОЗВОНОЧНЫХ 238
Лоскуты в пластической хирургии головы и шеи Лоскуты в пластической хирургии головы и шеи 292
США в первой половине ХХ ст. Дышленко Богдан О-11 США в первой половине ХХ ст. Дышленко Богдан О-11 257
Тема: СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ КООПЕРАЦИИ И ИНТЕГРАЦИИ Тема: СОЦИАЛЬНО-ЭКОНОМИЧЕСКОЕ ЗНАЧЕНИЕ КООПЕРАЦИИ И ИНТЕГРАЦИИ 340
Экономика безопасности Экономика безопасности 297
6_лекция_14.11,_20.11_ВИЧ-инфекция._Парэнтеральные_гепатиты.ppt 6_лекция_14.11,_20.11_ВИЧ-инфекция._Парэнтеральные_гепатиты.ppt 287

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.

Для правообладателей

Яндекс.Метрика