Разделы презентаций


Рассеяние на тепловых колебаниях решетки

Содержание

Связь уровня Ферми и с концентрацией носителей заряда- Произведение концентраций электронов и дырок не зависит от положения уровня Ферми.- Ширина запрещенной зоны.- Отношение концентраций электронов и дырок.- Электростатический потенциал (потенциал середины

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Рассеяние на тепловых колебаниях решетки
Взаимодействие электрона с фононом (обмен энергией

и квазиимпульсом):
1) Электрон передает часть своей энергии решетке – в

результате такого рассеяния образуется фонон с энергией и квазиимпульсом (число фононов возрастает на 1).

2) Электрон получает часть энергии от решетки – в результате такого рассеяния исчезает фонон с энергией и квазиимпульсом (число фононом уменьшается на 1)

Время рассеивания и длина свободного пробега электронов на оптических фононах в ионном кристалле при высоких температурах:

Время рассеивания и длина свободного пробега электронов на оптических фононах в ионном кристалле при низких температурах:

Полупроводники с ионным характером связи

Рассеяние на тепловых колебаниях решеткиВзаимодействие электрона с фононом (обмен энергией и квазиимпульсом):1) Электрон передает часть своей энергии

Слайд 2Связь уровня Ферми и с концентрацией носителей заряда
- Произведение концентраций

электронов и дырок не зависит от положения уровня Ферми.
- Ширина

запрещенной зоны.

- Отношение концентраций электронов и дырок.

- Электростатический потенциал (потенциал середины запр. зоны)

Для электронов
Для дырок

В общем виде потенциал Ферми:

В условиях равновесия: т.е.

Связь уровня Ферми и с концентрацией носителей заряда- Произведение концентраций электронов и дырок не зависит от положения

Слайд 3Невырожденные и вырожденные полупроводники
1) Если

и , то

интеграл сводится к ур-ю , решением которого будут химические потенциалы:

Полученные решения справедливы при условии , а полупроводники, у которых выполняется это условие, называются невырожденными.

Потенциал Ферми для невырожденных п/п:

2) Если , и следует уравнение: , решениями которого будут химические потенциалы:

Решения действительны при условии

Полупроводники, у которых концентрация свободных носителей существенно превышает эффективную плотность состояний в разрешенной зоне, называют вырожденными и полуметаллами.

Невырожденные и вырожденные полупроводники1) Если       и

Слайд 4Концентрация носителей
Концентрация собственных носителей:
Если положить, что

то концентрация носителей:
Для электронного п/п:

Уровень Ферми

в n-п/п:

Для дырочного п/п:

Уровень Ферми в p-п/п:

Условие электронейтральности:

Концентрация носителейКонцентрация собственных носителей:Если положить, что         то концентрация носителей:Для

Слайд 5Подвижность носителей заряда
Подвижность – средняя направленная скорость носителей заряда в

электрическом поле с напряженностью 1В/см.
Средняя тепловая скорость:
При Т=300К и m*=m

>

При небольших электрических полях дрейфовая скорость намного меньше тепловой. Подвижность можно выразить:

Где tср и lср – средние величины времени и длины свободного пробега.

Подвижность носителей зарядаПодвижность – средняя направленная скорость носителей заряда в электрическом поле с напряженностью 1В/см.Средняя тепловая скорость:При

Слайд 6Подвижность носителей заряда
При обычных температурах результирующая подвижность зависит от двух

механизмов рассеяния: на атомах решетки и ионах примеси
При решеточном рассеивании:
При

ионном рассеивании:

В обычном диапазоне температур:

Для Si b=2,8
Для Ge b=2,1

Подвижность носителей зарядаПри обычных температурах результирующая подвижность зависит от двух механизмов рассеяния: на атомах решетки и ионах

Слайд 7Подвижность носителей заряда

Подвижность носителей заряда

Слайд 8Удельная проводимость и удельное сопротивление
- Полная удельная проводимость.
Удельная проводимость собственного,

электронного и дырочного полупроводников:

Удельная проводимость и удельное сопротивление- Полная удельная проводимость.Удельная проводимость собственного, электронного и дырочного полупроводников:

Слайд 9Рекомбинация носителей заряда
Межзонная рекомбинация

С участие ловушек

- межзонная рекомбинация;
- рекомбинация на ловушках.
Рекомбинация носителей зарядаМежзонная рекомбинация

Слайд 10Скорость рекомбинации
- скорость объемной рекомбинации;
- скорость поверхностной рекомбинации (100 –

104 см/c и более)
Эффективное время жизни (объемная и поверхностная рекомбинации):


Скорость рекомбинации- скорость объемной рекомбинации;- скорость поверхностной рекомбинации (100 – 104 см/c и более)Эффективное время жизни (объемная

Слайд 11Равновесное состояние
Возможные обратимые реакции для электронного полупроводника:
Согласно закона действующих масс

коэффициенты действующих масс связаны с концентрацией примеси:
Коэффициент K2 (T) также

связан с эффективной плотностью состояний в зоне проводимости:

Условие равновесия:

r – коэффициент рекомбинации, - скорость генерации.

- Количество актов рекомбинации в единице объема и в единице времени (скорость рекомбинации носителей в равновесном состоянии).

Средний интервал между актами рекомбинации (среднее время жизни):

Условие равновесия:

Равновесное состояниеВозможные обратимые реакции для электронного полупроводника:Согласно закона действующих масс коэффициенты действующих масс связаны с концентрацией примеси:Коэффициент

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика