Системный блок ПК

кГц
Частота синхронизации: 740 кГц
Гарвардская архитектура
Разрядность шины: 4 бит

Память команд (ПЗУ): 4 Кбайт
Объём адресуемой памяти: 640 байт
Количество регистров: 16 4-битных
Количество транзисторов: 2250
Площадь кристалла (кв. мм): 12
Техпроцесс (нм): 10000 (10 мкм)
Корпус: 16-контактный: plastic DIP, ceramic DIP

Технические характеристики
Дата анонса: апрель 1974 года
Тактовая частота: 2 МГц (позже 2,5 и 3 МГц)
Разрядность регистров: 8 бит
Разрядность шины данных: 8 бит
Разрядность шины адреса: 16 бит
Объём адресуемой памяти: 64 Кбайт
Количество транзисторов: 6000
Техпроцесс (нм): 6000 (6 мкм)
Требуемые источники питания: +5В, −5В, +12В
Разъём: микросхема припаивалась к плате
Корпус: 40-контактный керамический DIP
Поддерживаемые технологии: 80 инструкций

8216/8226 — шинные формирователи (8226 - инвертирующий);
8224 — генератор синхросигналов;
8228/8238 — системные контроллеры;
8231 — арифметический сопроцессор;
8232 — процессор чисел с плавающей запятой (32 и 64 разряда);
8251 — микросхема последовательного интерфейса;
8256 — микросхема многофункционального периферийного адаптера: PCI, TIMER, PPA;
8253 — 3-канальный таймер/счётчик;
8255 — микросхема трёхканального параллельного интерфейса;
8271 — контроллер накопителя на гибких магнитных дисках (НГМД);
8275 — контроллер монитора;
8355 — микросхема интерфейса с периферией (с 16 Кбайт ПЗУ).

от 4 до 10
5 (модель 8086), при частоте 4,77

производительность - 0,33 MIPS
8 (модель 8086-2, 0,66 MIPS)
10 (модель 8086-1, 0,75 MIPS)
Разрядность регистров: 16 бит
Разрядность шины данных: 16 бит
Разрядность шины адреса: 20 бит
Объём адресуемой памяти: 1 Мбайт
Адресное пространство I/O: 64 Кбайт
Количество транзисторов: 29 000
Техпроцесс (нм): 3000 (3 мкм)
Площадь кристалла (кв. мм): ~30 (по другим данным, 16 мм²)
Максимальное тепловыделение: 1,75 Вт
Напряжение питания: +5 В
Поддерживаемые технологии: 98 инструкций

Технические характеристики
Дата анонса: 1 февраля 1982 года
Тактовая частота (МГц): зависит от маркировки:
80286-6 — 6 МГц, 80286-8 — 8 МГц,
80286-10 — 10 МГц, 80286-12 — 12,5 МГц
Разрядность регистров: 16 бит
Разрядность шины данных: 16 бит
Разрядность шины адреса: 24 бит
Объём адресуемой памяти: 16 Мбайт
Объём виртуальной памяти: 1 Гбайт
Количество транзисторов: 134 000
Техпроцесс (нм): 1500 (1,5 мкм)
Площадь кристалла: 49 мм²
Напряжение питания: +5 В
Разъём: 68-pin

Микропроцессоры (продолжение)