границах раздела между полупроводниками n-типа и p-типа. Для анализа рассмотрим
плоскопараллельную границу между двумя примесными полупроводниками (рис 1) и для простоты не будем учитывать неосновные носители зарядов. На рис. 1 показаны только примесные атомы в p- и n полупроводниках, расположенные около контакта. При появлении границы раздела не участвующие в связях электроны примесных атомов n-полупроводника, расположенных около границы, переходят к примесным атомам p-полупроводника, тоже находящихся около границы, так как на атомах акцепторной примеси не заполнена одна валентная связь. Очевидно, атомы примеси n-области, отдавшие электрон, становятся положительными ионами, а примесные атомы p-области, принявшие электрон – отрицательными ионами.
Рис 1. Простейшая структура полупроводникового диода
