Как следует из определения, измерения деформаций с помощью тензорезисторов основано на тензоэффекте. Тензоэффектом называется свойство проводниковых и полупроводниковых материалов изменять электропроводность (электрическое сопротивление) при изменении объёма или напряжённого состояния.
Интегральные полупроводниковые тензорезисторы выращивают методами планарной технологии в кристалле микросхемы, содержащей также термокомпенсирующие элементы. Отсутствие клея и идентичность тензорезисторов обеспечивают им не только высокую чувствительность, но и термостабильность. При этом на одном кристалле выращивают все четыре тензорезистора моста и линии связи
между ними. Основное применение интегральные полупроводниковые датчики нашли при измерении давления. Кристалл подложки выполняет функцию упругого элемента и работает как мембрана, деформируя выращенные в нем тензорезисторы. На рис. 2.5 показаны различные конструкции тензорезисторов.
и автоматически компенсируется температурная погрешность. Резисторами R6 и R10 балансируют мост, причем R10 служит для балансировки реактивной составляющей напряжения разбаланса. Емкости Сэ1 и Сэ2 — паразитные емкости линий связи.
Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть