Разделы презентаций


Выполнил студент гр. 71-МХ: Анисин А.А. Руководитель по производственной

1. История развития2. Производство3. Продукция4. IGBT транзистор5. Принцип работы IGBT (БТИЗ)6. Особенности IGBT (БТИЗ)7. Сферы применения IGBT (БТИЗ)8. Освоение CAD-системы SOLIDWORKS 9. Построение в CAD-системе SOLIDWORKS отдельных частей IGBT модуля с

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Выполнил студент гр. 71-МХ: Анисин А.А.
Руководитель по производственной практике: Савин

Л.А.

Отчет по производственной практике
на предприятии:

Выполнил студент гр. 71-МХ: Анисин А.А.Руководитель по производственной практике: Савин Л.А. Отчет по производственной практикена предприятии:

Слайд 21. История развития
2. Производство
3. Продукция
4. IGBT транзистор
5. Принцип работы IGBT

(БТИЗ)
6. Особенности IGBT (БТИЗ)
7. Сферы применения IGBT (БТИЗ)
8. Освоение CAD-системы

SOLIDWORKS
9. Построение в CAD-системе SOLIDWORKS отдельных частей IGBT модуля с использованием 3D моделирования
10. Заключение


Содержание

1. История развития2. Производство3. Продукция4. IGBT транзистор5. Принцип работы IGBT (БТИЗ)6. Особенности IGBT (БТИЗ)7. Сферы применения IGBT

Слайд 31996 - Год основания АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС». Предприятие было создано специалистами,

которые имели опыт в области микроэлектроники. Первый самостоятельный проект молодого

коллектива - выпуск в 1996 году быстродействующих полупроводниковых приборов.
1997 - Организовано механическое производство, поставлено более 1О тысяч различных силовых сборок.
1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности
1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности
2002 - Договор с компанией GvA Leistungselektronik GmbH (Германия)
1998 - Предприятие выходит в лидеры отечественной электротехнической промышленности
2002 - Договор с компанией GvA Leistungselektronik GmbH (Германия)
2003 - Производство силовых полупроводниковых приборов в модульном исполнении
2006 - Была создана дочерняя компания АО «Торговый Дом «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС».
2009 - Организована техническая приемка продукции представителями ОАО «РЖД»
2010 - Создание совместного российско-китайского предприятия Hebei Proton-Electrotex Electronic СоLtd в провинции Хебей, КНР
2010- В Москве создан Научно-технический Центр АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС»
2016 - Запуск производства IGВТ-модулей в корпусах MIFA и MIM. До этого более 95% IGBT поставлялись в Россию из-за рубежа




История развития Компании

1996 - Год основания АО «ПРОТОН-ЭЛЕКТРОТЕКС». Предприятие было создано специалистами, которые имели опыт в области микроэлектроники. Первый

Слайд 4Для изготовления биполярных силовых полупроводниковых приборов – диодов и тиристоров

– АО «Протон-Электротекс» имеет полный производственный цикл, развитую инфраструктуру, современные

технологические линии, измерительное оборудование и площади для «чистых технологий».

Производство

Для изготовления биполярных силовых полупроводниковых приборов – диодов и тиристоров – АО «Протон-Электротекс» имеет полный производственный цикл,

Слайд 5На сегодняшний день поставляются: – высоковольтные тиристоры и диоды (на напряжения до

6500 В) с прецизионно подобранными характеристиками обратного восстановления для работы

в последовательных сборках или готовые последовательные сборки таких приборов;

Продукция

– Высоковольтные модули с
изолированным основанием на базе
диодных и тиристорных кристаллов
диаметром 24—56 мм
Освоены новые приборы такого типа на
напряжения 4000...6500 В, планируется в
ближайшее время расширить диапазон
напряжений до 8500 В;

Таблеточное исполнение

Штыревое
исполнение

На сегодняшний день поставляются: – высоковольтные тиристоры и диоды (на напряжения до 6500 В) с прецизионно подобранными характеристиками

Слайд 6Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT)
в переводе на русский: Биполярный Транзистор

с Изолированным Затвором (БТИЗ)

IGBT транзистор
БТИЗ - электронный силовой прибор, который


используется в качестве мощного электронного ключа,
устанавливаемого в импульсные источники питания, инверторы,
а также системы управления электроприводами.

IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор,
который представляет собой гибрид полевого и биполярного
транзистора

Упрощённая эквивалентная схема БТИЗ

Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) в переводе на русский: Биполярный Транзистор с Изолированным Затвором (БТИЗ)IGBT транзисторБТИЗ - электронный

Слайд 7Весь процесс работы БТИЗ может быть представлен двумя этапами: как

только подается положительное напряжение, между затвором и истоком открывается полевой

транзистор, то есть образуется n - канал между истоком и стоком. При этом начинает происходить движение зарядов из области n в область p, что влечет за собой открытие биполярного транзистора, в результате чего от эмиттера к коллектору устремляется ток.

Принцип работы IGBT (БТИЗ)

Со встроенным быстродействующим диодом

Поскольку БТИЗ имеет комбинированную структуру из полевого и биполярного транзистора, то и его выводы получили названия затвор - З (управляющий электрод), эмиттер (Э) и коллектор (К). На зарубежный манер вывод затвора обозначается буквой G, вывод эмиттера – E, а вывод коллектора – C.

Весь процесс работы БТИЗ может быть представлен двумя этапами: как только подается положительное напряжение, между затвором и

Слайд 8Отличительные качества IGBT:
Управляется напряжением (как любой полевой транзистор);
Имеют низкие потери

в открытом состоянии;
Могут работать при температуре более 1000 C;
Способны работать с

напряжением более 1000 Вольт и мощностями свыше 5 киловатт.

Особенности IGBT (БТИЗ)

Отличительные качества IGBT:Управляется напряжением (как любой полевой транзистор);Имеют низкие потери в открытом состоянии;Могут работать при температуре более 1000

Слайд 9Сферы применения IGBT (БТИЗ)

Сферы применения IGBT (БТИЗ)

Слайд 10SolidWorks — это система гибридного параметрического моделирования, предназначенная для проектирования

деталей и сборок в трехмерном пространстве с возможностью проведения различных

видов экспресс-анализа, а также оформления конструкторской документации в соответствии с требованиями ЕСКД.

Освоение CAD-системы
SOLIDWORKS

3D-модель корпуса модуля IGBT смоделированная в SOLIDWORKS по образцу

Образец корпуса IGBT из пластика ABS

SolidWorks — это система гибридного параметрического моделирования, предназначенная для проектирования деталей и сборок в трехмерном пространстве с

Слайд 11Можно также получить массовые характеристики данной детали с помощью CAD-системы

SOLIDWORKS:
Материал: пластик ABS
Масса = 8.012 граммов
Объем = 7663.38 кубических миллиметров
Площадь

поверхности = 9932.52 квадратных миллиметров

Освоение CAD-системы
SOLIDWORKS

Можно также получить массовые характеристики данной детали с помощью CAD-системы SOLIDWORKS:Материал: пластик ABSМасса = 8.012 граммовОбъем =

Слайд 12Построение в CAD-системе SOLIDWORKS отдельных частей IGBT модуля с использованием

3D моделирования

Медная плата с кристаллами
Основание медное для платы
Сборка из деталей

Построение в CAD-системе SOLIDWORKS отдельных частей IGBT модуля с использованием 3D моделированияМедная плата с кристалламиОснование медное для

Слайд 13Производственная практика предоставила возможность вживую узнать о работе инженера на

производстве АО Протон-Электротекс, ознакомиться с производством продукции IGBT транзисторов, а

также с их проектированием в CAD-системе SOLID WORKS

Заключение

Производственная практика предоставила возможность вживую узнать о работе инженера на производстве АО Протон-Электротекс, ознакомиться с производством продукции

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика