Содержание
История развития Компании
Производство
Продукция
– Высоковольтные модули с
изолированным основанием на базе
диодных и тиристорных кристаллов
диаметром 24—56 мм
Освоены новые приборы такого типа на
напряжения 4000...6500 В, планируется в
ближайшее время расширить диапазон
напряжений до 8500 В;
Таблеточное исполнение
Штыревое
исполнение
IGBT транзистор - это довольно хитроумный прибор,
который представляет собой гибрид полевого и биполярного
транзистора
Упрощённая эквивалентная схема БТИЗ
Принцип работы IGBT (БТИЗ)
Со встроенным быстродействующим диодом
Поскольку БТИЗ имеет комбинированную структуру из полевого и биполярного транзистора, то и его выводы получили названия затвор - З (управляющий электрод), эмиттер (Э) и коллектор (К). На зарубежный манер вывод затвора обозначается буквой G, вывод эмиттера – E, а вывод коллектора – C.
Особенности IGBT (БТИЗ)
Освоение CAD-системы
SOLIDWORKS
3D-модель корпуса модуля IGBT смоделированная в SOLIDWORKS по образцу
Образец корпуса IGBT из пластика ABS
Освоение CAD-системы
SOLIDWORKS
Заключение
Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть