Выпрямители 1 Выпрямители преобразуют переменное напряжение питающей сети в

Основными компонентами выпрямителей служат вентили – элементы с явно выраженной

нелинейной ВАХ. В качестве таких элементов используют кремниевые диоды.

Однополупериодный выпрямитель

напряжения
Максимальное обратное напряжение на диоде

Диоды проводят ток поочередно, каждый в течение полупериода.
В положительный

полупериод открыт диод VD1, а в отрицательный – диод VD2.

фильтры

Емкостный фильтр (С-фильтр) в схеме однополупериодного выпрямителя
Сглаживание пульсаций выпрямленного

напряжения происходит за счет периодической зарядки конденсатора С (когда напряжение на вторичной обмотке трансформатора превышает напряжение на нагрузке) и последующей его разрядки на сопротивление нагрузки

заряжается.

На интервале t2 – t3 диод закрыт и

конденсатор разряжается через сопротивление Rн

Амплитуда пульсаций выпрямленного напряжения

- частота входного напряжения

Амплитуда пульсаций напряжения на выходе двухполупериодного выпрямителя

током в схемах полупроводниковой электроники.

Представляют из себя

трехслойную структуру с чередующимися слоями проводимости, имеют три вывода для подключения к внешней цепи.
В этой трёхслойной структуре имеются два p-n перехода.
Термин «биполярные» подчеркивает то, что у таких транзисторов используется оба типа носителей зарядов (электроны и дырки).

Существует два типа транзисторов:
1. С прямой проводимостью (p-n-p)
2. С обратной проводимостью (n-p-n)

Э-Б – эмиттерный переход.
Б-К – коллекторный переход.


Особенности

конструкции:
1. Толщина базы должна быть малой по сравнению с длиной
свободного пробега носителей зарядов (примерно 20-30 мкм).
2. Концентрация примесей и основных носителей в
эмиттере должна быть много больше, чем в базе.

Крайние слои называются эмиттером и коллектором. Между ними – база.

транзистор

коллекторный в обратном.
Схемы с общим эмиттером (ОЭ):

Схема с общим эмиттером называется так потому, что входная и выходная цепь имеют общую точку на эмиттере.

Так для p-n-p транзистора должны соблюдаться условия :
N a » N д , p p » n n .
Здесь N a – концентрация акцепторной примеси,
N д – концентрация донорной примеси,
p p – концентрация дырок, n n - концентрация электронов.

=0 и U КЭ =0
происходит диффузия дырок из эмиттера

в базу, т.к. концентрация дырок в эмиттере много больше, чем электронов в базе. Перейдя под действием сил диффузии металлургическую границу, дырки рекомбинируют с основными носителями базы. Рекомбинация – это встреча электронов с дырками.

возврат электронов из зоны проводимости в валентную зону. Также исчезают

свободные заряды.
За счет ухода основных носителей из одного слоя и их рекомбинации в другом, вблизи металлургической границы возникает область, обеднённая подвижными носителями заряда и имеющая высокое сопротивление (запирающий слой).
В запирающем слое нарушается баланс положительных и отрицательных зарядов, т.к. при уменьшении концентрации подвижных носителей оказывается нескомпенсированным объёмный заряд неподвижных ионов примесей : в p-слое – отрицательных, а в n- слое – положительных ионов.
Этот двойной электрический слой создает электрическое поле с напряженностью Е о , и возникает потенциальный барьер φ о .
Электрическое поле, возникшее внутри запирающего слоя, вызывает направленное движение носителей через переход – дрейфовый ток, направленный навстречу току диффузии через переход.
Диффузия носителей приводит к росту электрического поля и потенциального барьера, при этом растет дрейфовый ток.

тогда, когда суммарный ток через переход равен нулю, т.е.

I диф = - I дрейфа .

Такой режим соответствует равновесному состоянию р – n перехода.

.

Потенциальный барьер на эмиттерном переходе

уменьшится, так как полярность приложенного к нему напряжения – прямая ток диффузии через эмиттерный переход увеличится.
На коллекторном переходе полярность обратная потенциальный барьер коллекторного перехода увеличится.
Т.к. база тонкая, почти все дырки подойдут к коллекторному переходу, не попадая в центры рекомбинаций.
Центры рекомбинаций – это дефекты кристаллической решетки (нарушения кристаллической структуры, случайные примеси, трещины, дефекты в поверхностных слоях).

решетки (нарушения кристаллической структуры, случайные примеси, трещины, дефекты в поверхностных

слоях).
Дырки, подошедшие к коллекторному переходу будут втягиваться в коллектор (так как напряженность электрического поля коллекторного перехода будет «втягивающей» для неосновных носителей – дырок в базе n – типа).
Ток дырок, попавших из эмиттера в коллектор будет замыкаться через внешнюю цепь.
При этом приращение тока эмиттера ΔI э вызовет приращение тока коллектора Δ I К .

здесь

α – коэффициент передачи тока эмиттера. α = 0,9-0,99.
α < 1, т.к. небольшая часть дырок из эмиттера всё же рекомбинирует с электронами в базе.

подвижных носителей – электронов компенсировался зарядом положительных неподвижных ионов примесей.

Т.к. небольшая часть дырок из эмиттера всё же рекомбинирует с электронами в базе, нейтральность базы нарушится и для её восстановления из внешней цепи за счет U БЭ будут поступать электроны.

Б
К.
e
Электроны (не основные) из К
Б
обратный

(тепловой)
ток

Через коллекторный переход кроме движения основных носителей есть ещё движение неосновных носителей. Этот ток мал.

Полный ток через коллекторный переход, обуслов-ленный и основными и неосновными носителями :

является транзисторный ключ, т.е. каскад на транзисторе, работающем в двух

режимах: насыщенный (ключ открыт) и отсечки (ключ закрыт). Транзисторный ключ может быть построен по схемам с ОБ, ОЭ и ОК, однако, наибольшее распространение нашел ключ по схеме с ОЭ.  
Имея малое сопротивление во включенном состоянии и большое - в выключенном, биполярный транзистор достаточно полно удовлетворяет требованиям, предъявляемым к ключевым элементам.

максимально допустимого значения. В промежуток времени от 0 до t1

входное напряжение и ток базы близки к нулю, и транзистор находится в режиме отсечки. Напряжение Uкэ, является выходным и будет близко к Eк. В промежуток времени от t1 до t2 входное напряжение и ток базы транзистора становятся максимальными, и транзистор перейдёт в режим насыщения. После момента времени t2 транзистор переходит в режим отсечки. Вывод: транзисторный ключ является инвертором, т. е. изменяет фазу сигнала на 180 градусов.

и ток коллектора практически отсутствует IК»IКБ0 (точка отс. на выходных характеристиках (рис.78). Напряжение на

выходе транзистора uКЭ= ЕКЭ-IК *RК ≈ ЕКЭ.
При подаче на вход транзистора импульсов прямого тока iБ=(UВХ)/RБ=IБ НАС, транзистор открывается, рабочая точка перемещается в точку нас. (режим насыщения рис.78) и напряжение на коллекторе падает до значения uКЭ= ЕКЭ-IК НАС× RК=UКЭ ОСТ. При дальнейшем увеличении тока базы ток коллектора не увеличивается (рис.78) и напряжение на коллекторе не изменяется.

точка транзистора скачкообразно переходит из режима отсечки в режим насыщения

и наоборот, минуя линейный режим.
При практическом использовании транзистора большое значение имеет скорость переключения, обуславливающая быстродействие аппаратуры. Скорость переключения определяется процессами накопления и рассасывания неравновесного заряда в базе и коллекторе транзистора, эмиттерном и коллекторном переходах.
В эмиттерном и коллекторном переходах находятся нескомпенсированные заряды  неподвижных ионизированных атомов примеси- доноров и акцепторов; неравновесный заряд отсечки в базе можно считать равным нулю.

уменьшаются, происходит как бы разряд ёмкости эмиттерного перехода. Вследствии понижения напряжения на коллекторе, уменьшается

его толщина и заряд в нем, т.е. происходит разряд ёмкости коллекторного перехода, открывается коллекторный переход и в области базы за счет инжекции электронов из эмиттерного и коллекторного переходах накапливается большой неравновесный заряд насыщения. В транзисторах, имеющих высокоомный коллектор носители заряда инжектируют и  в область коллектора, где так же накапливается неравновесный заряд.
Графики напряжений и токов транзистора при переключении даны на рисунке 4. На базу транзистора подается прямоугольный импульс напряжения UВХ

появляется с задержкой tЗ, которая определяется главным образом скоростью нарастания напряжения эмиттерного перехода,

зависящей от величин ёмкости перехода и прямого тока базы, т.е. скоростью разряда эмиттерного перехода.
После того как транзистор перейдет из режима отсечки в активный режим, коллекторный ток начинает постепенно нарастать, достигая установившегося значения а время tн. Это время определяется скоростью накопления неравновесного заряда в базе и скоростью разряда емкости коллектора. Таким образом, полное время включения транзистора состоит из времени задержки и времени нарастания: 

не сразу. На протяжении некоторого времени рассасывания  tp  он практически сохраняет свою

величину, так как концентрация носителей заряда в базе у коллекторного перехода еще остается выше равновесной и коллекторный переход благодаря этому оказывается открытым.
Лишь после того как неравновесный заряд у коллекторного перехода рассосется за счет ухода электронов из базы и рекомбинации, ток коллектора начинает постепенно спадать, достигая время спада tС установившегося  значения IKЭ0. В течении этого времени продолжается рассасывание неравновесного заряда базы и происходит перезаряд емкости коллекторного перехода. Заметим, что эмиттерный переход при этом может закрыться  раньше или позже  коллекторного в зависимости от скорости рассасывания неравновесного заряда, сосредоточенного поблизости от него.