Ферми не зависит от температуры.
уровень Ферми сдвигается в сторону Ec
уровень
Ферми сдвигается в сторону EvСобственная концентрация
носителей заряда:
Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
lection5.ppt
Содержание
- 1. lection5.ppt
- 2. Сильно вырожденные примесные полупроводникиДонорныйАкцепторный Условие полного вырождения:
- 3. Собственный полупроводникКонцентрация свободный носителей:Невырожденный собственный полупроводник:Положение уровня
- 4. Вырожденный собственный полупроводникСобственная концентрация носителей заряда с
- 5. Механизмы рассеяния электронов и дырокРассеяние на тепловых
- 6. Уравнение БольцманаПоведение носителей заряда при термодинамическом равновесии
- 7. Время релаксацииВ отсутствие электрического поля функция распределения
- 8. Рассеяние на ионах примесиПотенциальная энергия взаимодействия электрона с ионом:
- 9. Рассеяние на ионах примесиУгол рассеяния зависит от
- 10. Рассеяние на атомах примеси и дислокацияхВремя релаксации
- 11. Скачать презентанцию
Сильно вырожденные примесные полупроводникиДонорныйАкцепторный Условие полного вырождения:
Слайды и текст этой презентации
Слайд 3Собственный полупроводник
Концентрация свободный носителей:
Невырожденный собственный полупроводник:
Положение уровня Ферми:
При T=0:
Если
Если
Если
положение уровня
Ферми не зависит от температуры.
Ферми сдвигается в сторону Ev
Слайд 4Вырожденный собственный полупроводник
Собственная концентрация носителей заряда с учетом вырождения п/п:
Положение
уровня Ферми:
Антимонид индия
Соотношение эффективных масс :
Ширина запр. зоны:
При Т=200К уровень
Ферми лежит ниже Ec всего на 4 kT .При T=450К уровень Ферми пересекает уровень Ec и входит в зону проводимости.
Слайд 5Механизмы рассеяния электронов и дырок
Рассеяние на тепловых колебаниях решетки;
Рассеяние на
атомах и ионах примеси;
Рассеяние на вакансиях, дислокациях и т.д.
Количество рассеянных
электронов в единицу времени:Эффективное сечение рассеяния:
Вероятность столкновения (рассеяния):
Время и длину свободного пробега можно выразить через эффективное сечение:
Вероятность рассеяния на единичном интервале пути
Полная вероятность рассеяния:
Полная длина свободного пробега:
Слайд 6Уравнение Больцмана
Поведение носителей заряда при термодинамическом равновесии определяется функцией распределения,
которая в общем случае зависит от энергии частиц:
Во внешнем электрическом
поле система движущихся части определяется функцией f=f(k,r,t). Уравнение Больцмана описывает изменение функции распределения во времени:В равновесии:
Слайд 7Время релаксации
В отсутствие электрического поля функция распределения изменяется благодаря наличию
соударений электронов с дефектами решетки:
Если отклонение распределения носителей заряда
от равновесного невелико, то:Тогда :
Слайд 9Рассеяние на ионах примеси
Угол рассеяния зависит от прицельного расстояния:
Угол между
косинусами:
Время релаксации при рассеянии на ионах:
Длина свободного пробега:
Слайд 10Рассеяние на атомах примеси и дислокациях
Время релаксации при рассеянии на
нейтральных атомах примеси:
Время релаксации при рассеянии на дислокациях кристаллической решетки:
