Валентные электроны
участвуют в валентных связях
и возбуждаются в изучаемых явлениях
нужно рассматривать в явном виде
Кристалл
Тяжелая подсистема - атомные остовы=ядра+электроны внутренних оболочек
Легкая подсистема – валентные электроны
- Базис при фиксированных R
R - параметры
ищем базис из стационарных состояний кристалла в виде
умножаем обе части на φ* и интегрируем по r
Задача о состояниях кристалла
Задача о состояниях электронов
В поле неподвижных ядер
Задача о стационарных состояниях ядер
В эффективном среднем поле εe(R), создаваемом электронами
- Одноэлектронный спектр и базис из в.ф. одноэлектронных стационарных состояний
2) В стационарном состоянии всей системы в целом каждый из электронов находится в одном из одночастичных стационарных состояний. Поэтому стационарное состояние всего газа в целом однозначным образом задается указанием чисел заполнения всех одночастичных стационарных состояний
Электроны – фермионы => подчиняются принципу запрета Паули =>
числа заполнения могут принимать только два значения
- Поле Хартри
обменное взаимодействие
Любая линейная комбинация решений – тоже решение с той же энергией
- непрерывна в пределах зоны Бриллюэна
- -ая энергетическая зона
Ситуация I
ℓ+1 зона
ℓ зона
Запрещенная зона (щель)
Eℓ+1,min
Eℓ,maх
Ситуация II (зоны перекрываются)
Eℓ+1,min
Eℓ,maх
Последняя полностью заполненная при Т=0 К – валентная зона
Следующая за валентной зонной – зона проводимости
Уникальность свойств полупроводников – следствие наличия щели между
валентной зоной и зоной проводимости.
Эффективная масса электрона учитывает влияние кристаллической
решетки а электрон, и принципиальным образом отличается от
гравитационной массы электрона (массы свободного электрона)
Абсолютное значение эффективной массы электрон сильно отличается от его гравитационной массы
Пример: на дне зоны проводимости GaAs m*=0.067m0
2) Эффективная масса может быть не только положительной, но и отрицательной
Это не антигравитация!!!!
3) Эффективная масса может быть разной в различных направлениях (обычная ситуация для валентной зоны полупроводника)
- значение энергии в точке экстремума (константа)
- точка экстремума
Алгоритм расчета:
1) Вычисляем состояния блоха в точке экстремума k=0.
2) Применяя теорию стационарного возмущения, вычисляем состояния Блоха в окрестности экстремума зоны. При этом состояния Блоха в точке экстремума используются как приближение нулевого порядка.
kp-метод: невырожденный экстремум
Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:
Email: Нажмите что бы посмотреть