Слайд 1Вопросы для самоподготовки
Общие вопросы
Технология
Технологические процессы
Слайд 2 Общие вопросы
Статистические методы контроля процессов, X-R карты, диаграммы Парето, Ишикава
Основы
вакуумной техники: общие сведения о вакуумных насосах, скрубберах, теплообменных устройств,
расходомерах и измерителей давления…
Контрольно-измерительное оборудование, принципы работы SEM, TEM, TXRF (Total reflection x-ray fluorescence spectrometer), Оже-спектрометрия; приборы для измерения размеров элементов, дефектности, рельефа поверхности, толщин пленок, сопротивления.
Слайд 3 Технология/1
1. Базовая КМОП технология
Выбор подложки, эпитаксиальные слои, SOI
Формирование локальной изоляции, LOCOS?STI,
проблемы.
Подзатворные диэлектрики (техн.уровень 130nm-->90nm?65nm)
Инженерия транзисторов с поликремниевым затвором (техн.уровень 130nm?90nm?65nm)
Самосовмещенная
силицидизация, эволюция TiSi?CoSi?NiSi
Улучшение подвижности носителей, напряженный кремний (Strained Si)
BEoL от алюминиевой к медной многоуровневой разводке.
Барьерные слои и вольфрамовое заполнение контактов.
Преимущества и проблемы медной металлизации, интеграция с Low-k диэлектриками.
Single & Dual Damascene и разновидности.
Low-k диэлектрики, AMAT ‘Black Diamond’. Применяемые подслои и стоп слои.
Тестовый контроль и структуры (WET), функциональный контроль (Sort)
Тестирование на надежность, виды тестов, необходимые тестовые структуры
Зарядовые повреждения при плазменных обработках, предотвращение, дизайн ограничения по ‘антеннам’.
Слайд 4 Технология/2
2. Основы высоковольтных технологий, DMOS и латеральные биполярные транзисторы.
3. Основы Би-КМОП технологий,
SiC и SiGе биполярные транзисторы.
4. Технологии NVM, NOR&NAND flash, OTP.
5. Элементы аналоговых
схем
Слайд 5 Фотолитография
Контактная и проекционная ф/л, степперы, сканнеры;
NA
Основные параметры ф/л, разрешение,
совмещение, глубина фокуса;
g-line, i-line, DUV (KrF?ArF? F лазеры); EUV
Double
patterning, immersion литография
Фоторезисты, адгезия; BARC/TARC
OPC
Установки нанесения и обработки ф/р
Основные поставщики оборудования (ASML, Nikon, Cannon)
Слайд 6Плазменное травление
Основные параметры травления, скорость, равномерность, анизотропия, Aspect Ratio
Эволюция
процессов и оборудования: Down-stream плазма?RIT?МЕRIT?HDP
Кластерное оборудование и современные камеры основных
производителей, AMAT CENTURA MxP, eMxP+, IPS, SuperE, DPS /LAM 4520/TEL UNITY DRM/Mattson ASPEN II
Плазма-химия современных процессов для травления различных слоев (кремний и поликремний, нитрид, окисел, металлы…)
Эмиссионные детекторы окончания травления
Зарядовые повреждения в плазме.
Слайд 7 CVD
Высокотемпературное и плазменное осаждение слоев
Осаждение слоев поликристаллического кремния, окислов
и нитрида кремния; осаждение вольфрама и барьерных слоев
Low-k диэлектрики,
AMAT ‘Black Diamond’ (SiCOH, SiC)
Основные параметры и характеристики слоев, зависимости характеристик слоев от параметров процесса
Контроль механических напряжений в слоях
Оборудование AMAT Producer, NOVELLUS ALTUS, SEQUEL
Эпитаксиальное осаждении: Осаждение кремния, graded Si-Ge; селективное осаждение; оборудование AMAT, ASML.
Слайд 8Термические процессы и RTA:
процессы окисления, особенности получения сверхтонких слоев
окисла (25А и ниже).
Применение специальных добавок HCL, NO, N2O
в процессах окисления.
Отжиги после ионной имплантации в различных технологических средах. Назначение и особенности применения быстрых термических отжигов.
Процессы силицидизации, их назначение и особенности выполнения.
Низкотемпературные отжиги при создании многоуровневой медной разводки.
Оборудование для термических процессов фирмы TEL. Необходимость использования вертикальных печей.
Системы быстрой термической обработки, сравнительные характеристики различных вариантов систем. Достоинства системы AMAT.
Контроль проведения термических процессов виды и особенности его выполнения.
Слайд 9 СМР
Оборудование и процессы полировки окислов кремния, вольфрама и меди;
Применяемые суспензии
Селективность
Контроль окончания процесса, послеоперационный контроль (толщин и т.п.)
Проблемы очистки пластин
после проведения процесса СМР, особенности защиты от негативного воздействия меди
Оборудование AMAT MIRRA, SPEEDFAM AURIGA, LAM TERES.
Слайд 10 Cu Plating
Требования к барьерным и зародышевым слоям
Системы органических веществ, применяемые
в процессе осаждения с целью обеспечения преимущественного осаждения (bottom-up), контроль
их концентрации в процессе нанесения меди.
Контроль слоев Cu после осаждения.
Типичные дефекты и способы их устранения за счет оптимизации процесса осаждения.
Слайд 11 PVD (physical vapour deposition)
Основные процессы: испарение, распыление.
Катодное распыление и
его модификации.
Магнетронное распыление.
Реактивное распыление и его особенности.
Конформность
покрытия рельефа и способы её изменения.
Влияние параметров процесса на свойства наносимых слоев.
Методы и оборудование, используемое для контроля параметров слоев (поверхностное сопротивление, толщина, отражательная способность, привносимая дефектность и т.д.).
Оборудование для PVD процессов. Кластерное оборудование компаний AMAT и Novellus для PVD процессов.
Используемые материалы мишеней и требования к ним.
Слайд 12Жидкостное травление и химическая отмывка
Требования, предъявляемые к реагентам для проведения
процессов жидкостного травления и химической очистки.
Глубокая очистка поверхности и
механизмы удаления металлических примесей и частиц с поверхности кремния.
Особенности проведения процессов жидкостного травления оксидных и нитридных слоев.
RCA, SC1, SC2
Химические процессы для FeOL.
Химические процессы для BeOL.
Слайд 13 Ионное легирование
Оборудование ионного легирования: medium-current, high-current, high-energy implanters.
Требования к
установкам индивидуальной обработки пластин.
Особенности процессов легирования при формировании МОП-структуп с
коротким каналом.
Методы контроля концентрации и распределения примеси.
