Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Физика реального кристалла
Содержание
- 1. Физика реального кристалла
- 2. Необходимо понять:1. Почему в кристаллах изначально присутствуют
- 3. Откуда берутся дислокации?
- 4. Слайд 4
- 5. Слайд 5
- 6. Дислокации несоответствия
- 7. Отпечатокиндентора!Гетерогенное зарождение дислокацийпод действием источника («концентратора»)напряжений
- 8. Определение способности кристалла к пластической деформации
- 9. Vd = l/ t
- 10. Избирательное травление
- 11. Слайд 11
- 12. Oscar Rodríguez de la Fuente, Ph.D. Thesis, UCMОблучение поверхности быстрыми частицамиСТМ реконструкция
- 13. Слайд 13
- 14. Дислокации несоответствияЭффекты механических напряженийпри гетероэпитаксии = (b-a)/aСохранение объемаэлементарной ячейки
- 15. Несоответствие решеток
- 16. d = b/
- 17. E ~ 2ED ~ ED ~ N ~ 1/d ~
- 18. Слайд 18
- 19. Слайд 19
- 20. Слайд 20
- 21. Механизмы размножения дислокаций
- 22. Слайд 22
- 23. Сила, действующая на единицу длины дислокацииСила всегда направленаперпендикулярно линиидислокацииGj =biijвекторСила Пича -- Келлера
- 24. Линейное натяжение дислокаций/L = /L = Линейное натяжениестремится уменьшитьдлину дислокационнойлинииСила, действующаяна концы линии
- 25. Изгиб линии дислокацииТаким образом, для того, чтобы
- 26. Источник Франка - Ридапроцесс повторяетсямного раз
- 27. Дислокационная сетка (сетка Франка)
- 28. = b/ Gc b/l
- 29. bМеханизм Франка - Рида. Стрелки показывают направление
- 30. Слайд 30
- 31. b
- 32. Слайд 32
- 33. Слайд 33
- 34. Слайд 34
- 35. Слайд 35
- 36. Другие источники дислокаций
- 37. Слайд 37
- 38. Слайд 38
- 39. Слайд 39
- 40. c 106 Н/м2
- 41. Призматические дислокацииЕсли образуется диск достаточно большого размера, то ему энергетически выгодно деформироваться с образованием дислокационной петли
- 42. Образование дислокаций при росте кристаллов из расплава1.
- 43. Слайд 43
- 44. Скачать презентанцию
Необходимо понять:1. Почему в кристаллах изначально присутствуют дислокации? 2. Почему дислокации размножаются при напряжениях много меньших теоретического порога текучести ?
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Профессор Б.И.Островский
Физика реального кристалла
ostr@cea.ru
Откуда берутся дислокации?
Механизмы размножения
и движения
Слайд 2Необходимо понять:
1. Почему в кристаллах изначально присутствуют дислокации?
2. Почему
дислокации размножаются при напряжениях много меньших теоретического порога текучести ?
Слайд 7Отпечаток
индентора!
Гетерогенное зарождение дислокаций
под действием источника («концентратора»)
напряжений
Слайд 12Oscar Rodríguez de la Fuente, Ph.D. Thesis, UCM
Облучение поверхности быстрыми
частицами
СТМ реконструкция
Слайд 14Дислокации несоответствия
Эффекты механических напряжений
при гетероэпитаксии
= (b-a)/a
Сохранение объема
элементарной ячейки
Слайд 23Сила, действующая на единицу длины дислокации
Сила всегда направлена
перпендикулярно линии
дислокации
Gj =biij
вектор
Сила
Пича -
- Келлера
Слайд 24Линейное натяжение дислокаций
/L =
/L =
Линейное натяжение
стремится уменьшить
длину дислокационной
линии
Сила,
действующая
на концы линии
Слайд 25Изгиб линии дислокации
Таким образом, для того, чтобы изогнуть дислокацию
в
кривую с эффективным радиусом R, необходимо
приложить к образцу напряжение:
= Gb/R
R = Gb/
Слайд 29b
Механизм Франка - Рида. Стрелки показывают направление обхода
линии дислокации; b
- вектор Бюргерса.
b/l
Критическое напряжение, при котором работает источник
c
b/lc 10-3
c P
Слайд 41Призматические дислокации
Если образуется диск достаточно большого размера,
то ему энергетически
выгодно деформироваться с
образованием дислокационной петли
Слайд 42Образование дислокаций при росте
кристаллов из расплава
1. Образование большого количества
равновесных вакансий
вблизи температуры плавления.
2. Коалесценция избыточных вакансий в
областях кристалла,где температура понижена относительно средней вследствие
температурных градиентов. Дальнейшее образование
призматических дислокационных петель – первичные дислокации.
3. Первичные дислокации являются источниками Франка-Рида и
происходит размножение дислокаций под действием
температурных напряжений, превышающих критические
напряжения размножений дислокаций c .
Процессы идут в следующей последовательности:
