Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Лекция 5 Технология производства ИС
Содержание
- 1. Лекция 5 Технология производства ИС
- 2. Преимущества КМОП ИС над биполярными ИСМалые
- 3. КМОП структура
- 4. КМОП процесс
- 5. Слайд 5
- 6. Слайд 6
- 7. Слайд 7
- 8. Слайд 8
- 9. Слайд 9
- 10. Базовые операции технологического маршрута создания n-МОП –
- 11. г) Проявление д) Формирование рельефа в маскирующем слое (травление)
- 12. 3. Подзатворное окисление (отжиг в окисляющей среде) 4. Осаждение поликремния
- 13. 5. Фотолитография 2, шаблон поликремния А - А
- 14. 6. Легирование и термический отжиг N+-слоя Р (Аs)N+N+7. Осаждение маскирующего окисла
- 15. 8. Фотолитография 3, шаблон контактных окон 9. Вскрытие контактных окон А - ААI – АI
- 16. 10. Осаждение металла 11. Фотолитография 4, шаблон металлизации
- 17. 12. Формирование разводки в слое Металл 1
- 18. Основные технологические операцииФотолитографияОсаждениеИонное легированиеОтжигТравлениеЛюбая интегральная структура формируется
- 19. ЛитографияЛитография (от греческого lithos – камень, grapho
- 20. Фотошаблон – стеклянная пластина со сформированным
- 21. Экспонирование – процесс облучения светочувствительного материала (фоторезиста)
- 22. Суть метода фотолитографииНа стеклянную пластину наносят топологический
- 23. Установка фотолитографии
- 24. ФотоповторительСтол фотоповторителя перемещается на нужный шаг, обеспечивая многократный перенос изображения на фотошаблон.
- 25. Проецирование в масштабе 4 : 1Метки, по которым совмещают фотошаблон с пластиной
- 26. Основные достоинства фотолитографии Гибкость, т. е. простой
- 27. Фоторезисты — материалы, чувствительные к излучению. Фоторезисты
- 28. Основные свойства фоторезистовЭкспозиция – количество света, попадающего
- 29. Экспозиция и светочувствительностьСвет проникает на всю глубину
- 30. Разрешающая способностьРазрешающая способность зависит от многих технологических
- 31. Фокусировка
- 32. Искажение рисунка при фотолитографииИзгиб подложки может приводить
- 33. Литература:1. Королев М.А., Ревелева М.А. Технология и
- 34. Фотолитография – photolithographyОсаждение – depositionЛегирование – dopingОтжиг
- 35. Скачать презентанцию
Преимущества КМОП ИС над биполярными ИСМалые размеры и площадьУпрощенная изоляцияНизкая потребляемая и рассеиваемая мощностьУстойчивость к перегрузкамВысокое входное сопротивлениеПомехоустойчивостьНизкая себестоимость производства
Слайды и текст этой презентации
Слайд 1Лекция 5
Технология производства ИС
Маршрут формирования КМОП ИС
Основные технологические операции производства ИС
Слайд 2Преимущества КМОП ИС
над биполярными ИС
Малые размеры и площадь
Упрощенная изоляция
Низкая
потребляемая и рассеиваемая мощность
Устойчивость к перегрузкам
Высокое входное сопротивление
Помехоустойчивость
Низкая себестоимость производства
Слайд 10Базовые операции технологического маршрута создания n-МОП – транзистора
А - А
а) Нанесение фоторезиста
б) Совмещение фотошаблона
в) Экспонирование
Исходный материал – подложка
р-типа 1. Формирование маскирующего слоя SiO2 (осаждение)
2. Фотолитография 1, шаблон N+-слоя (тонкий окисел)
Слайд 18Основные технологические операции
Фотолитография
Осаждение
Ионное легирование
Отжиг
Травление
Любая интегральная структура формируется с помощью одних
и тех же многократно повторяющихся технологических операций
Слайд 19Литография
Литография (от греческого lithos – камень, grapho – пишу, рисую)
–технологический процесс, предназначенный для формирования на кремниевой подложке топологического рисунка
микросхемы с помощью чувствительных к излучению покрытий.По типу излучения литография делится на:
оптическую (фотолитографию) – длина волны от 200 до 450 нм
рентгеновскую – длина волны от 0.5 до 1.5 нм
электронную – длина волны 0.01 нм
Самая распространенная – фотолитография.
Чем меньше длина волны, тем меньшие размеры элементов можно получить.
Слайд 20Фотошаблон – стеклянная пластина со сформированным на ее поверхности рисунком
элементов схем из материала, не пропускающего электромагнитное излучение.
Фоторезист – полимерный
светочувствительный материал, который наносится на обрабатываемый материал с целью получить соответствующее фотошаблону расположение окон для доступа травящих или иных веществ к поверхности обрабатываемого материала.Определения
Слайд 21Экспонирование – процесс облучения светочувствительного материала (фоторезиста) электромагнитным излучением. Воздействие
либо разрушает фоторезист, или, наоборот, вызывает его полимеризацию и понижает
его растворимость в специальном растворителе.Проявление фоторезиста – процесс удаления слоя фоторезиста из тех областей, где он не нужен.
Селективность процесса травления говорит о различных скоростях травления в разных направлениях
Определения
Слайд 22Суть метода фотолитографии
На стеклянную пластину наносят топологический рисунок, непрозрачный для
излучения (это фотошаблон).
При экспонировании рисунок фотошаблона передается на слой фоторезиста,
чтобы после проявления воплотиться в виде защитного рельефа.Передача рисунка с фотошаблона на фоторезист осуществляется либо при непосредственном контакте (контактная фотолитография), либо проецированием его в различных (от 1:1 до 10:1) масштабах через высококачественный объектив (проекционная фотолитография).
Слайд 24Фотоповторитель
Стол фотоповторителя перемещается на нужный шаг, обеспечивая многократный перенос изображения
на фотошаблон.
Слайд 26Основные достоинства фотолитографии
Гибкость, т. е. простой переход от одной
конфигурации
к другой путем смены фотошаблонов.
Точность и высокая разрешающая
способность.Высокая производительность, обусловленная групповым характером обработки, когда на пластине одновременно формируются от десятка до нескольких тысяч структур будущей ИМС.
Универсальность, т. е. совместимость с другими технологическими процессами.
Слайд 27Фоторезисты — материалы, чувствительные к излучению.
Фоторезисты делятся на 2 класса:
Негативные
– неэкспонированные участки вымываются, а экспонированные образуют рельеф (маску) заданной
конфигурации.Позитивные – экспонированные участки вымываются, а неэкспонированные образуют рельеф (маску) заданной конфигурации.
При последующей обработке происходит травление в «окнах», образованных засвеченными (позитивный фоторезист) или незасвеченными (негативный фоторезист) участками фоторезиста.
Слайд 28Основные свойства фоторезистов
Экспозиция – количество света, попадающего на светочувствительный фотоматериал
за определенный промежуток времени.
Светочувствительность – величина, обратная экспозиции, требуемой для
перевода фоторезиста в растворимое или нерастворимое состояние под воздействием света.Разрешающая способность – минимальный размер рисунка, который может быть получен с помощью системы экспонирования.
Стойкость к воздействию агрессивных факторов.
Стабильность эксплуатационных свойств фоторезисторов во времени выражается сроком службы при определенных условиях хранения и использования.
Слайд 29Экспозиция и светочувствительность
Свет проникает на всю глубину фоторезиста и отражается
в обратную сторону. Оба потока участвуют в процессе проявления фоторезиста.
Необходимо правильно подобрать мощность излучения и время воздействия.Экспозиция
H = E * t,
где E – интенсивность излучения (мощность на единицу площади),
t – время экспонирования, сек.
Светочувствительность – 1/H.
фоторезист
Слайд 30Разрешающая способность
Разрешающая способность зависит от многих технологических факторов, а также
от свойств фоторезиста и источника излучения:
свойств и толщины фоторезиста;
свойств и качества фотошаблонов;длины волны излучения;
времени экспонирования;
фокусировки;
селективности;
обработки поверхности подложки.
Слайд 32Искажение рисунка при фотолитографии
Изгиб подложки может приводить
к значительным искажениям
рисунка
Дифракция светового потока (на краю рисунка световой поток расширяется
и
заходит в область геометрической тени)Интерференция светового потока (наложение волн)
Слайд 33Литература:
1. Королев М.А., Ревелева М.А. Технология и конструкции интегральных микросхем.
ч.1. 2000 М; МИЭТ.
2. Королев М.А., Крупкина Т.Ю., Ревелева М.А. Технология,
конструкции и методы моделирования кремниевых интегральных микросхем: в 2 ч. / под общей ред. Чаплыгина Ю.А. –Ч. 1: Технологические процессы изготовления кремниевых интегральных схем и их моделирование. – 397 с. - М.: БИНОМ. Лаборатория знаний. – 2007
Слайд 34Фотолитография – photolithography
Осаждение – deposition
Легирование – doping
Отжиг – diffusion
Травление –
etch
Светочувствительность – light sensitivity
Разрешающая способность – resolution
Селективность – selectivity
Экспонирование –
exposureИнтенсивность воздействия – exposure latitude
Время экспонирования (продолжительность) – exposure range
Проявление – development
Фоторезист – photoresist (mask)
Фокусировка – focus latitude
