Разделы презентаций
- Разное
- Английский язык
- Астрономия
- Алгебра
- Биология
- География
- Геометрия
- Детские презентации
- Информатика
- История
- Литература
- Математика
- Медицина
- Менеджмент
- Музыка
- МХК
- Немецкий язык
- ОБЖ
- Обществознание
- Окружающий мир
- Педагогика
- Русский язык
- Технология
- Физика
- Философия
- Химия
- Шаблоны, картинки для презентаций
- Экология
- Экономика
- Юриспруденция
Лекція 14 -15 Рисунки та таблиці)
Содержание
- 1. Лекція 14 -15 Рисунки та таблиці)
- 2. Таблиця 1 Алотропні модифікації карбону залежно від
- 3. Рис. 2. Кристалічна ґратка кубічного (а) та
- 4. Таблиця 2 Застосування алмазних матеріалів
- 5. Рис 3. Кристалічна ґратка графітуРис. 4. Схематичне зображення графену
- 6. Рис. 5. Схематичне зображення вертикального польового
- 7. Рис. 6. Схематичне (а) та електронно-мікроскопічне (б)
- 8. Рис. 7. Схематичне зображення кристалічної структури графану
- 9. Рис 8. Прозорий ікосаедр (а), ікосаедр із лініями відсікання вершин (б) та фулерен (в)
- 10. Рис 9. Зовнішній вигляд фулеренів: а - С60, б - С70, в-С90
- 11. Рис.10. Кристалічна ґратка фулериту: а – схематичне зображення; б – об’ємний вигляд
- 12. Рис. 11. Схема отримання фулеренів із графіту
- 13. Рис. 12. Схематичне зображення польового транзистора з
- 14. Рис. 13. Електронно-мікроскопічне зображення
- 15. Рис. 14. Схематичне формування закритої нанотрубки (а) та зображення правого і лівого кристалів кварцу (б)
- 16. Рис. 15. Можливі індекси, вектори та кути
- 17. Рис. 16. Схематичне зображення ОВНТ типу крісло
- 18. Рис. 17. Поперечний переріз БВНТ: а
- 19. Таблиця 3 Порівняння механічних властивостей одношаровіих вуглецевих
- 20. Рис. 18. Функціоналізовані нанотрубки: 1 - інорідні
- 21. Рис. 19. Процес формування нанотрубки на каталітичній частинці
- 22. Рис. 20. Зміна типу провідності нанотрубки внаслідок
- 23. Рис. 22. Відведення тепла від Si кристалу за допомогою нанотрубок
- 24. Рис. 23. Характеристики резистивного (а) та ємнісного
- 25. Скачать презентанцию
Таблиця 1 Алотропні модифікації карбону залежно від типу гібридизаціїРис. 1. Види гібридизації електронних оболонок: а -sp3; б - sp2; в - sp
Слайды и текст этой презентации
Слайд 3Рис. 2. Кристалічна ґратка кубічного (а) та гексагонального алмазу (б)
а
аналогічний показник для алмазу – від 1000 до 2600 Вт/(м∙К),
залежно від чистоти кристалів.
Слайд 6Рис. 5. Схематичне зображення вертикального польового транзистору на основі
графену: 1 - шари графену; 2 - стік; 3 -
керуваль-ний електрод; 4 - витік; 5 -відокремлювальний шар діелектрика (BN або MoS2).
Слайд 7Рис. 6. Схематичне (а) та електронно-мікроскопічне (б) зображення нанотрубок вирощених
на шарі графену з використанням безшовної технології
Слайд 8Рис. 7. Схематичне зображення кристалічної структури графану (а) та пористий
матеріал на основі графану з приєднаними атомами лужних металів: 1
- атоми водню; 2 - атоми металу; 3 - вуглець (б).
Слайд 13Рис. 12. Схематичне зображення польового транзистора з використанням молекули фулерену:
1 - стік; 2 - витік; 3 - кантилевер, що
виконує функції затвора
Слайд 14Рис. 13. Електронно-мікроскопічне зображення вуглецевої нонотрубки
(а) та їх «ліс нанотрубок» (б, в)
Слайд 15Рис. 14. Схематичне формування закритої нанотрубки (а) та зображення правого
і лівого кристалів кварцу (б)
Слайд 16Рис. 15. Можливі індекси, вектори та кути хіральності одношарових вуглецевих
нанотрубок
.
Базис графітового шару визначається за векторами а1 і а2
(рис. 15), а вектор хіральності (Ch) можна подати сумою:де n i m – цілі числа (індекси хіральності).
Зв’язок між індексами хіральності (n, m) і кутом Θ має такий вигляд:
Слайд 17Рис. 16. Схематичне зображення ОВНТ типу крісло (12, 12) (а),
зигзаг (18, 0) (б) та хіральні (20, 3) (в)
Залежно
від кута хіральності розрізняють такі типи вуглецевих нанотрубок (рис. 16):- ахіральні зигзагоподібні (Θ = 0°, Ch = (n, 0));
- Θ ахіральні кріслоподібні (armchair) (0 = 30°, Ch = (n, n));
- хіральні (0 < Θ < 30°, Ch = (n, m)).
У випадку повного опису геометрії нанотрубки необхідно зазначити її діаметр. Індекси хіральності одношарової нанотрубки (n, m) визначають її діаметр D:
де d0 = 0,142 нм - відстань між сусідніми атомами вуглецю у графітовій площині. Діаметр одношарових вуглецевих нанотрубок знаходиться в діапазоні 0,3-5 нм
Слайд 18Рис. 17. Поперечний переріз БВНТ: а – матрьошка; б
– шестикутна призма; в – згорток
Відстань між шарами в бездефектних
багатошарових вуглецевих трубок залежить від початкового діаметра нанотрубки (D тр) і зменшується в міру його збільшення:де dc - відстань між шарами в багатошарових вуглецевих трубках
Слайд 19Таблиця 3 Порівняння механічних властивостей одношаровіих вуглецевих нанотрубок (ОВНТ )та
багатошарових вуглецевих нанотрубок (БВНТ)
Примітка: E Експериментальні спостереження. T Теоретичні дані.
* Кевлар – синтетичне волокно, що має високу міцність (у п’ять разів міцніше сталі, межа міцності σ0 = 3620 МПа)
Слайд 20Рис. 18. Функціоналізовані нанотрубки: 1 - інорідні атоми в пучку
нанотрубок; 2 - інкапсулювання частинок усередину ВНТ (піпод - фулерени
в нанотрубці); 3, 4 - ковалентна (3) та нековалентна (4) функціоналізація трубок; 5 - атомно-модифіковані нанотрубки (ВНТ модифікована атомами фтору)
Слайд 22Рис. 20. Зміна типу провідності нанотрубки внаслідок її деформації шляхом
впровадження в графітову сітку п’яти- і семикутника
Рис. 21. Схематичне зображення
польового транзистора на основі нанотрубки, з різним положенням затвору (а, б): 1 – підкладка (Si); 2 – ізолюючий шар; 3 – керуючий затвор; 4 – стік; 5 – нанотрубка; 6 – витік
Слайд 24Рис. 23. Характеристики резистивного (а) та ємнісного (б) модуля сенсора
від концентрації газів: 1 - CH4; 2 - CO2; 3
- H2; 4 - COТаблиця 4. Вплив додавання багатошарових вуглецевих нанотрубок (БВНТ) на чутливість газового датчика
