Разделы презентаций


Логические элементы на МОП-транзисторах

Содержание

Разновидности полевых транзисторовКарта входных и выходных полярностей МОП транзисторов

Слайды и текст этой презентации

Слайд 1Логические элементы на МОП-транзисторах

Логические элементы на МОП-транзисторах

Слайд 2Разновидности полевых транзисторов
Карта входных и выходных полярностей МОП транзисторов

Разновидности полевых транзисторовКарта входных и выходных полярностей МОП транзисторов

Слайд 3МОП-транзисторы с каналом р-типа и их условные изображения:
а) — со

встроенным каналом; б) — с индуцированным каналом

МОП-транзисторы с каналом р-типа и их условные изображения:а) — со встроенным каналом; б) — с индуцированным каналом

Слайд 4Характеристика n-МОП
Тип транзистора n-МОП
n-МОП
Выходные характеристики ПТ с управляющим переходом и

каналом n-типа
Характеристики транзисторов p-типа имеют аналогичный вид, но отличаются напряжением

на затворе и полярностью приложенных напряжений (зеркальное отображение в третьем квадранте).
Характеристика n-МОПТип транзистора n-МОПn-МОПВыходные характеристики ПТ с управляющим переходом и каналом n-типаХарактеристики транзисторов p-типа имеют аналогичный вид,

Слайд 5Характеристики n-МОП и p-МОП транзисторов

Характеристики n-МОП и p-МОП транзисторов

Слайд 6p-МОП транзистор
Передаточная характеристика
Передаточная характеристика
n-МОП транзистор

p-МОП транзисторПередаточная характеристикаПередаточная характеристикаn-МОП транзистор

Слайд 7р-МОП элемент 2ИЛИ-НЕ
Реализация логического элемента 2ИЛИ-НЕ в интегральной схеме
RK,Т1 ≥

100 кОм
RK,Т2,Т3 ≤ 1 кОм
Логические элементы на p-МОП транзисторах

р-МОП элемент 2ИЛИ-НЕРеализация логического элемента 2ИЛИ-НЕ в интегральной схемеRK,Т1 ≥ 100 кОмRK,Т2,Т3 ≤ 1 кОмЛогические элементы на

Слайд 8Важнейшие параметры семейства p-МОП
Напряжение питания – -12В (от -9 В

до -20 В)
Энергопотребление на вентиль – 6 мВт при H

и 0 мВт при L
Быстродействие – 40 нс
Частота переключения – 10 МГц макс.
Зазор помехоустойчивости – 5 В тип.

p-МОП логические элементы работают медленно, но устойчиво. Нуждаются в достаточно большом напряжении питания.
Применяются в схемах с низким быстродействием и высокой помехоустойчивостью.
Интегральные схемы обладают высокой плотностью упаковки элементов.

Важнейшие параметры семейства p-МОПНапряжение питания – -12В (от -9 В до -20 В)Энергопотребление на вентиль – 6

Слайд 9р-МОП элемент 2И-НЕ
р-МОП элемент НЕ
Диапазон напряжений

р-МОП элемент 2И-НЕр-МОП элемент НЕДиапазон напряжений

Слайд 10Логические элементы на n-МОП транзисторах
n-МОП элементы
Диапазон напряжений
Напряжение питания – +5В
Энергопотребление

– 2 мВт (L)
0 мВт

(Н)
Быстродействие – 5 нс
Максимальная частота – 80 МГц
Зазор помехоустойчивости – 2 В.
Логические элементы на n-МОП транзисторахn-МОП элементыДиапазон напряженийНапряжение питания – +5ВЭнергопотребление – 2 мВт (L)

Слайд 11Логические элементы на КМОП транзисторах
Схема КМОП НЕ-элемента
Принцип действия КМОП НЕ-элемента
Все

КМОП-элементы устроены так, что в токовой ветви один транзистор всегда

закрыт, а другой всегда открыт.
Энергопотребление КМОП-элементов крайне низко. Оно зависит в основном от количества переключений в секунду или частоты переключения.
Только во время переключения от источника питания потребляется небольшой ток, так как оба транзистора одновременно, но недолго открыты. Один из транзисторов переходит из открытого состояния в запертое и еще не полностью заперт, а другой — из запертого в открытое и еще не полностью открыт. Также должны перезарядиться транзисторные емкости.
Логические элементы на КМОП транзисторахСхема КМОП НЕ-элементаПринцип действия КМОП НЕ-элементаВсе КМОП-элементы устроены так, что в токовой ветви

Слайд 12Изменение потребляемого тока в процессе переключения логического элемента КМОП
Мощность изменения

энергопотребления ЛЭ КМОП

Изменение потребляемого тока в процессе переключения логического элемента КМОПМощность изменения энергопотребления ЛЭ КМОП

Слайд 13Схема КМОП ИЛИ-НЕ-элемента
Схема КМОП И-НЕ-элемента
Базовые логические элементы КМОП
Схема КМОП НЕ-элемента

с тремя состояниями выхода

Схема КМОП ИЛИ-НЕ-элементаСхема КМОП И-НЕ-элементаБазовые логические элементы КМОПСхема КМОП НЕ-элемента с тремя состояниями выхода

Слайд 14Передаточный логический элемент КМОП
(электронный ключ, переключатель)
Ключ на n-канальном МОП-транзисторе с

индуцированным каналом
Принципиальная схема передаточного логического элемента
Передаточный элемент работает как переключатель.
Рабочая

таблица передаточного логического элемента
Передаточный логический элемент КМОП(электронный ключ, переключатель)Ключ на n-канальном МОП-транзисторе с индуцированным каналомПринципиальная схема передаточного логического элементаПередаточный элемент

Слайд 15Принципиальная схема
Передаточный логический элемент с управляющим элементом НЕ
Для того чтобы

перевести коммутатор в состояние включено, нужно приложить к затвору нормально

открытого МОП-транзистора VT1 положительное управляющее напряжение Uупр, равное, по меньшей мере 2Uoтc, а к затвору транзистора VT2 – такое же напряжение, но противоположное по знаку. При малых величинах входного напряжения Uвх оба МОП-транзистора будут открыты.
При отрицательных значениях входного напряжения транзисторы VT1 и VT2 меняются ролями.
Для того чтобы перевести коммутатор в состояние выключено, необходимо изменить полярность управляющего напряжения.
Принципиальная схемаПередаточный логический элемент с управляющим элементом НЕДля того чтобы перевести коммутатор в состояние включено, нужно приложить

Слайд 16Важнейшие параметры семейства КМОП
Передаточные характеристики КМОП
UИ.П. = +5В

+10В

(30÷40% от UИ.П.)

Важнейшие параметры семейства КМОППередаточные характеристики КМОПUИ.П. = +5В

Слайд 17Специфические особенности микросхем КМОП структуры: чувствительность к статическим зарядам, диодно-резистивная

охранная цепочка и малая токовая отдача требуют соблюдения правил предосторожности

в применении и обращении.

Емкость на выходе и входе. Если на выходе инвертора присутствует конденсатор, в моменты переключений через открытые транзисторы протекают токи заряда и разряда. При больших значениях ёмкости, открытый транзистор работает в режиме близком к короткому замыканию. В обычных условиях емкостная нагрузка не должна превышать 500 пФ. Если ёмкость больше, то надо использовать разрядный резистор для ограничения тока, чтобы был не более 1÷2 мА.

Защита входов от перегрузок. Входное напряжение микросхем КМОП с охранной диодно-резистивной цепочкой на входе для предотвращения отпирания входных диодов в прямом направлении не должно выходить за пределы –0,7В ≤ Uвх ≤ UИ.П.+0,7В. Иначе также надо использовать токоограничивающий резистор для ограничения тока уровнем 1÷2мА.

Особенности микросхем КМОП структуры

Диодно-резистивная охранная цепочка

Включение ограничивающих резисторов

Специфические особенности микросхем КМОП структуры: чувствительность к статическим зарядам, диодно-резистивная охранная цепочка и малая токовая отдача требуют

Слайд 18Неиспользуемые входы КМОП. Их надлежит включать определённым образом, так, чтобы

не нарушились условия работы микросхемы в целом.
Так же как и

в ТТЛ свободные входы объединяют с +UИ.П. или общим проводом в зависимости от функции элемента либо объединяют их с другими, задействованными входами.

а) б)

В случае варианта б) за счёт постоянного смещения отпирание n-канальных транзисторов происходит раньше и общее пороговое напряжение становится меньше, чем в случае а). Поэтому вариант а) более эффективен применительно к помехам, возникающим в общей шине, а вариант б) в отношении защиты от помех, возникающих в шине питания.

Входы КМОП микросхем (в отличие от ТТЛ) оставлять свободными недопустимо.

Если какой-нибудь вход окажется неподсоединённым, на нём могут возникнуть непредсказуемые напряжения за счёт наводок и связей через паразитные ёмкости. Следствием этого может быть не только неверное действие микросхемы, но и её повреждение.

Неиспользуемые входы КМОП. Их надлежит включать определённым образом, так, чтобы не нарушились условия работы микросхемы в целом.Так

Слайд 19Правила обращения с микросхемами КМОП
Микросхемы КМОП структуры нуждаются сравнительно с

микросхемами других семейств в более бережном отношении. Это касается как

условий монтажа микросхем на платах, так и правил хранения их и эксплуатации в аппаратуре.
При обращении с микросхемами КМОП следует соблюдать следующие меры предосторожности:

В процессе хранения и транспортировки отдельных микросхем выводы их должны быть соединены между собой;
Нельзя производить смену микросхем при включённом напряжении питания;
Допустимый электростатический потенциал на входах – не более 100В;
Плату со смонтированными микросхемами следует брать за торцы, не касаясь разъёмов;
При монтаже тело монтажника должно быть заземлено с помощью проводящего браслета, соединённого с контуром заземления через резистор 500 кОм или вначале коснуться общего провода питания;
Необходимо избегать одежды из синтетических материалов;
Микросхему следует устанавливать на плату после выполнения всех остальных соединений;
Пайку выводов следует вести в последовательности: «общий». «питание», остальные контакты.

Правила обращения с микросхемами КМОПМикросхемы КМОП структуры нуждаются сравнительно с микросхемами других семейств в более бережном отношении.

Обратная связь

Если не удалось найти и скачать доклад-презентацию, Вы можете заказать его на нашем сайте. Мы постараемся найти нужный Вам материал и отправим по электронной почте. Не стесняйтесь обращаться к нам, если у вас возникли вопросы или пожелания:

Email: Нажмите что бы посмотреть 

Что такое TheSlide.ru?

Это сайт презентации, докладов, проектов в PowerPoint. Здесь удобно  хранить и делиться своими презентациями с другими пользователями.


Для правообладателей

Яндекс.Метрика